【产品】德欧泰克推出全新高功率TDSON-8(QFN5*6) 封装的MOSFET，通流能力更强且开关速度更快
DIOTEC推出全新高功率无铅的QFN5*6封装的MOSFET，该SMD封装面积有30平方毫米，可挑战传统的SMD封装D2PAK（TO263）和DPAK（TO252），不管是在开关特性还是热阻都有具大的优势。该较小尺寸QFN5*6提供更高的电流能力ID=110A，同时它比现有最小贴片DPAK封装的ID=20A高5倍，比DPAK面积65平方毫米整整缩小一倍，该封装根据JEDEC标准，也称TSON-8封装。此外Diotec还会在2020年的第三季度推出更小的QFN 3*3封装的MOSFET。
本文主要介绍如下3点内容：
1.QFN5*6 封装尺寸以及应用的优势；
2.QFN5*6 的应用；
3.德欧泰克所有MOSFETS的型号；
1. QFN5*6 的封装尺寸以及应用的优势
封装优势：
最高可达175℃操作温度；
符合ROHS标准；
100%测试；
应用优势：
具有抗雪崩能量；
具有超低导通电阻以及超低开启电压；
具有快速响应时间与切断高压的能力；
具有超低损耗；
2. QFN5*6的应用
2.1 主要应用于电动工具（电钻、电动螺丝刀，切割机），的直流有刷马达开关，型号推荐：
2.2 工业电动控制电路输出级的制动单动以及 DC/AC转换
2.3 PFC (功率因素校正)
2.4 同步整流
3.德欧泰克所有MOSFET的型号
3.1产品优势交期短，样品送达快，价格相对国际一线品牌较有优势；
3.2 所有产品交期没有受到疫情影响交期；
3.3 现有普通MOSFETS 型号以及封装清单如下:
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
DI255N04PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI255N04PQ型号的N-Channel Power MOSFET（N-沟道功率MOSFET）的特性、参数和应用领域。产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动、电动工具、同步整流器等应用。
型号- DI255N04PQ
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DI070P04PQ P沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI070P04PQ型号的P-Channel Power MOSFET（功率MOSFET）的特性、参数和应用领域。该器件具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷和良好的热性能，适用于DC/DC转换器、电源、电机驱动器、电动工具和同步整流器等应用。
型号- DI070P04PAQ,DI070P04PQ
DI025N20PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI025N20PQ型号的N-Channel Power MOSFET（N-沟道功率MOSFET）的特性、应用领域和机械数据。产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于DC/DC转换器、电源、驱动器、电动工具和同步整流器等领域。
型号- DI025N20PQ
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型号- DIW170SIC070
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型号- DIW120SIC023,DIW120SIC023-AQ
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型号- DI006P02PW
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型号- DI350N08TL-AQ
DI280N10TL N沟道功率MOSFET
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型号- DI280N10TL,DI280N10TL-Q
DI100N10PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI100N10PQ型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。它涵盖了静态和动态特性、热特性、封装尺寸、工作温度范围、最大额定值和应用领域。
型号- DI100N10PQ-AQ,DI100N10PQ-Q,DI100N10PQ
DI120N04PQ-AQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI120N04PQ-AQ型号的N-Channel Power MOSFET（N-沟道功率MOSFET）的特性、应用领域和机械数据。产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动器、电动工具和同步整流器等领域。
型号- DI120N04PQ-AQ
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