【产品】德欧泰克推出全新高功率TDSON-8(QFN5*6) 封装的MOSFET，通流能力更强且开关速度更快
DIOTEC推出全新高功率无铅的QFN5*6封装的MOSFET，该SMD封装面积有30平方毫米，可挑战传统的SMD封装D2PAK（TO263）和DPAK（TO252），不管是在开关特性还是热阻都有具大的优势。该较小尺寸QFN5*6提供更高的电流能力ID=110A，同时它比现有最小贴片DPAK封装的ID=20A高5倍，比DPAK面积65平方毫米整整缩小一倍，该封装根据JEDEC标准，也称TSON-8封装。此外Diotec还会在2020年的第三季度推出更小的QFN 3*3封装的MOSFET。
本文主要介绍如下3点内容：
1.QFN5*6 封装尺寸以及应用的优势；
2.QFN5*6 的应用；
3.德欧泰克所有MOSFETS的型号；
1. QFN5*6 的封装尺寸以及应用的优势
封装优势：
最高可达175℃操作温度；
符合ROHS标准；
100%测试；
应用优势：
具有抗雪崩能量；
具有超低导通电阻以及超低开启电压；
具有快速响应时间与切断高压的能力；
具有超低损耗；
2. QFN5*6的应用
2.1 主要应用于电动工具（电钻、电动螺丝刀，切割机），的直流有刷马达开关，型号推荐：
2.2 工业电动控制电路输出级的制动单动以及 DC/AC转换
2.3 PFC (功率因素校正)
2.4 同步整流
3.德欧泰克所有MOSFET的型号
3.1产品优势交期短，样品送达快，价格相对国际一线品牌较有优势；
3.2 所有产品交期没有受到疫情影响交期；
3.3 现有普通MOSFETS 型号以及封装清单如下:
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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