【产品】车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4026DEHR，漏源电压最大值为750V

时间： 2022-06-21 来源：ROHM

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SCT4026DEHR是罗姆（ROHM）推出的一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准。在绝对最大额定值 (T_c=25℃)方面，其漏源电压为750V，脉冲漏极电流（V_GS=V_{GS_on}）为91A（PW≤10μs，占空比≤1%），等效结温为175℃，存储温度范围为-40℃~+175℃。

该器件具有低静态漏源导通电阻，在T_vj=25℃条件下，其R_DS(on)（脉冲）典型值仅为26mΩ（V_GS=18V, I_D=29A）。该器件采用TO-247N封装，其产品外形如图1所示，内部电路如图2所示，包装规格如图3所示，封装尺寸如图4所示，可用于汽车、开关电源领域。

图1 产品外形

图2 内部电路

图3 包装规格

特点：

•符合AEC-Q101

•导通电阻低

•开关速度快

•反向恢复快

•易于并联

•驱动简单

•无铅电镀，符合RoHS标准

应用：

•汽车

•开关电源

绝对最大额定值 (T_c=25℃)

注释：

*1 受限于最大T_vj 和Max. R_thJC

*2 PW≤10μs，占空比≤1%

*3 仅适用于体二极管，重复脉冲，PW≤500ns，占空比≤5%

*4 用作保护功能时，PW≤10μs

*5 可接受的V_GS波形示例

*6 请注意不要使用V_GS低于10V的SiC-MOSFETs，否则可能会导致热失控

图4 封装尺寸（单位：mm）

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