【应用】EPC增强型氮化镓功率晶体管EPC2059用于激光驱动开关,开关损耗小,零反向恢复电荷

2021-10-26 世强
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激光雷达的驱动电路需要在极短时间内提供大电流,为了增强控制,则需要有较高的开关频率,目前传统的MOSFET硅器件已经很难满足激光驱动器的性能要求。而GaN晶体管带隙较宽且比传统的MOSFET管相更具的导电性,所以通常使用采用GaN晶体管来作为驱动电路的核心,利用超低结电容的特点提高开关频率从而实现超高开关频率性能。


本文介绍一款EPC增强型氮化镓功率晶体管EPC2059,开关速度更快,效率更高,能够很好的满足激光驱动开关的性能需求激光驱动开关如图1所示。

           

1 激光驱动开关应用框图

EPC2059增强型氮化镓功率晶体管在激光驱动中的优势:

1. 开关频率快:宽带隙,高电子迁移率以及极低的栅极电荷QG,使其具有更快开关速度。

2. 效率更高:低开关损耗,零反向恢复电荷Q-RR,实现高效整流。

3. 安全性高:能够承受170V漏极耐压,24A额定电流,具有非常低的温度系数,温度范围-40~150℃。

4. 体积小:芯片尺寸2.8mm×1.4mm,符合RoHS 6/6要求,能够实现更高功率密度。


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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

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