【技术】UMS推出三种GaAs PHEMT工艺流程，助力MMIC设计，提供代工服务

时间： 2018-10-20 来源：UMS

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UMS（United Monolithic Semiconductors）是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商，法国公司Thales&EADS的子公司。主要服务于航空、通信、汽车雷达、工业、仪器等市场。此外，UMS还是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商，拥有GaN、GaAs、GeSi的工艺，可为客户提供Foundry service。

PH10、PH15、PH25是UMS推出的三种低噪声GaAs PHEMT工艺流程，基于一个高产量4英寸生产线，可以为客户代工，实现他们设计的低噪声或功率型单片微波集成电路（MMIC）解决方案。PHEMT是对高电子迁移率晶体管（HEMT）的一种改进结构，具有双异质结的结构，这不仅提高了器件阈值电压的温度稳定性，而且也改善了器件的输出伏安特性，使得器件具有更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等。这三种工艺包括两个金属互连层、精密TaN电阻器、高值TiWSi电阻器、MIM电容器、空气桥以及穿过基板的通孔，具有极好的降噪能力，具有多种涂层可供选择，且通过ESA（EPPL）的空间应用评估，非常适合用于无线通信、光电网络、汽车防撞雷达、太空通信等领域。

PH10

PH10是UMS推出的0.1μm pHEMT工艺，该工艺流程针对高达110GHz的极低噪声进行了优化。该改进型高电子迁移率晶体管的阈值电压典型值为-0.45V，饱和电流Idmax典型值为280mA/mm，击穿电压Vbds典型值为6V，跨导Gme典型值为100mS，最大值为115mS，具有很低的输入电容与反馈电容。其输入电容仅为110fF（额定值），最大不超过125fF，反馈电容仅为28fF，最大不超过33fF。其输出电阻Rout典型值为110Ω，接触电阻典型值为0.13Ω.mm。此外，PH10特性还包括典型Ft值为130GHz，操作Vds =3V，晶圆厚度为70μm，直径为100mm。

PH10设计套件的特性：

•适用于Keysight的ADS，NI-AWR的MwO

•ADSPDK，包括DRC规则和Momentum堆叠文件

•具有噪声源的FET的可扩展非线性模型

•传播分析数据

PH10工艺流程推荐器件及型号：低噪声放大器（CHA1008-99、CHA2080-98F）、中功率放大器（ CHA3090-98F）

PH15

PH15是UMS推出的0.15μm pHEMT工艺，该工艺流程针对高达60GHz的极低噪声进行了优化。该改进型高电子迁移率晶体管的阈值电压典型值为-0.75V，饱和电流Idmax典型值为280mA/mm，击穿电压Vbds典型值为6V，跨导Gme典型值为95mS，最大值为110mS，具有很低的输入电容与反馈电容。其输入电容仅为110fF（额定值），最大不超过140fF，反馈电容仅为25fF，最大不超过30fF。其输出电阻Rout典型值为160Ω，接触电阻典型值为0.13Ω.mm。此外，PH15特性还包括典型Ft值为110GHz，操作Vds =2.5V，晶圆厚度为100μm，直径为100mm。

PH15设计套件的特性：

•适用于Keysight的ADS，NI-AWR的MwO和Ansoft的Nexxim

•ADSPDK，包括DRC规则和Momentum堆叠文件

•具有自动布局生成的原理图输入

•无源设备的可扩展模型

•具有噪声的FET的可扩展非线性模型

•可扩展的非线性模型转发二极管（混频器和检测器）

•传播分析数据

PH15工艺流程推荐器件及型号：中功率放大器（CHA5050-QDG）、高功率放大器（CHA6194-QXG，CHA6550-QXG 和CHA6652-QXG）、低噪声放大器（CHA3218-99F）

PH25

PH25是UMS推出的0.25μm pHEMT工艺，该工艺流程针对高达60GHz的极低噪声进行了优化。该改进型高电子迁移率晶体管的阈值电压典型值为-0.75V，饱和电流Idmax典型值为340mA/mm，击穿电压Vbds典型值为7.5V，跨导Gme典型值为85mS，最大值为100mS，具有很低的输入电容与反馈电容。其输入电容仅为150fF（额定值），最大不超过180fF，反馈电容仅为25fF，最大不超过30fF。其输出电阻Rout典型值为220Ω，接触电阻典型值为0.15Ω.mm。此外，PH25特性还包括典型Ft值为90GHz，操作Vds =3V，晶圆厚度为100μm，直径为100mm。

PH25设计套件的特性：

•适用于Keysight的ADS，NI-AWR的MwO

•ADSPDK，包括DRC规则和Momentum堆叠文件

•具有自动布局生成的原理图输入

•无源设备的可扩展模型

•FET可扩展非线性模型

•FET可扩展线性和噪声模型

•用于串联和并联开关配置的可扩展模型

•用于反向（变容二极管）和正向二极管（混频器）的可扩展非线性模型

•用于扩展分析的数据

PH25工艺流程推荐器件及型号：低噪声放大器（CHA3666-QAG， CHA3666-FAA）、高频开关（HP07）、混频器（CHX3068-QDG）、倍频器（CHX2092A99F）、降频变频器（CHR3693-QDG， CHR3762-QDG）、移相器（CHP3010-QFG）

PS：PH10、PH15、PH25三种GaAs PHEMT工艺流程，具有低噪声、成本低、高效率、高截止频率等特点，三者截止频率分别为130GHz、110GHz、90GHz。其非常适合用于制作低噪声、高带宽、大容量、高成品率的MMICs如如低噪声放大器、开关、混频器、倍频器、衰减器、单芯片接收器等。此外，UMS还可提供代工服务，帮助客户实现方案产品化。

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zwjiang Lv9. 科学家 2022-10-31

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KoFaCh Lv8. 研究员 2019-07-23

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terrydl Lv9. 科学家 2019-07-22

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学习 Lv4. 资深工程师 2019-07-21

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Smith Lv6. 高级专家 2019-07-18

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zhouyd Lv7. 资深专家 2019-07-12

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小乐 Lv7. 资深专家 2019-01-07

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幸运星 Lv7. 资深专家 2018-12-29

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唉吆喂 Lv7. 资深专家 2018-12-06

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xingwangjy Lv4. 资深工程师 2018-12-05

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【技术】0.25μm大功率pHEMT制程PPH25X，优化后的产品功率密度可达900mW/mm

PPH25X是UMS推出的0.25um大功率pHEMT制程，旨在优化应用在40GHz以下的器件的功率性能，该工艺主要包括两个金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM(金属电极)电容、空气桥、穿过基板的通孔、GaAs电阻等特征，优化设计后的pHEMT器件功率密度可达900mW/mm（栅极长度0.25um，截止频率45GHz）。

2019-11-28 - 新技术代理服务技术支持采购服务

【技术】UMS的多项目晶圆MPW，能够在单个晶圆上进行不同的客户项目

UMS推出的共享铸造流程（即多项目晶圆，MPW）是一种经济高效的铸造方法，非常适合研究所，实验室，研究中心和大学。该服务允许在单个晶圆上进行不同的客户项目。参与者可以免费使用设计套件。UMS最终以Gel-Pak®包装盒的形式提供20片未经测试的MMIC。

2020-10-15 - 新技术代理服务技术支持采购服务

The AGH University Publishes on Innovative Circuits Designed with UMS GaAs PH25 Process

UMS 0.25µm GaAs pHEMT technology (PH25) was retained by the AGH University to design in foundry mode.A 24GHz sensor for permittivity measurement with many applications such as blood glucose, acetone in breath, water in vegetable, fat in milk detection.An ultra-broadband directional coupler, covering 3.9 to 41GHz for many broadband applications such as beamforming network receivers or reflectometers for RF measurements.

2021-04-09 - 新技术代理服务技术支持采购服务

UMS功率放大器（PA）选型表

UMS提供以下品类和技术指标的放大器产品，频率最高可达105GHz，带宽超过20GHz，Gain(dB)：10-38.5，Bias(mA)：30-2300，Bias(V）：2.5-30.

产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Gain(dB)	IP3(dBm)	P-1dB OUT(dBm)	Sat. Output Power(dBm)	PAE(%)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHA1008-99F	低噪声放大器	80	105	17	DC	5	DC	DC	115	2.5	Die

选型表 - UMS 立即选型

X110 型 GaAs低噪声放大器

描述- X110是一款由重庆声光电有限公司和中国电子科技集团公司研发的高性能单片低噪声放大器，采用GaAs pHEMT工艺制造。该放大器工作频率范围为0.6GHz至4.2GHz，具有低噪声和高线性度等特点，适用于无线通信等领域。

型号- X110

2019.07.22 - 西南集成 - 数据手册 - Rev 1.2 代理服务技术支持采购服务

PPH15X-20 0.15μm Power P高电子迁移率晶体管铸造工艺数据表

描述- 本资料介绍了0.15µm pHEMT工艺，适用于宽带高功率放大，频率可达45GHz。该工艺包含两层金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥和通孔，可选覆盖层。主要特性包括：典型Ft为70GHz，功率密度为800mW/mm，支持TaN和TiWSi电阻、GaAs电阻、MIM电容器（标准和高密度）、空气桥和通孔，操作Vds为6.0V，Vbds > 12.0V，晶圆厚度为70µm，晶圆直径为100mm。

型号- PPH15X-20

2024/6/10 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【产品】GaAs高性能单片低噪声放大器X118A，工作频率覆盖20MHz~3GHz，用于无线通信

西南集成推出的X118A是一款高性能单片低噪声放大器，设计采用GaAs pHEMT工艺，工作频率覆盖20MHz~3GHz。内部集成有源偏置网络，在不同温度及工艺角变化情况下，可以为器件提供稳定的偏置电流，内部的偏置关断功能可以支持TDD应用。

2023-03-01 - 产品代理服务技术支持采购服务

X110D型GaAs低噪声放大器

描述- X110D是一款由重庆声光电股份有限公司（Chongqing Acoustic-Optic-Electric CO., LTD.）生产的GaAs低噪声放大器。该放大器采用pHEMT工艺制造，工作频率范围为0.6GHz至5GHz，具有低噪声和高线性度等特点。它适用于无线通信和4G/5G通信基站等领域。

型号- X110D

2021.01.28 - 中科芯 - 数据手册 - Rev 1.5 代理服务技术支持采购服务

PH25 0.25μm低噪声P高电子迁移率晶体管铸造工艺数据表

描述- 该资料介绍了PH25 0.25µm低噪声pHEMT工艺，该工艺针对低噪声和多用途操作优化，适用于高达60GHz的频率。工艺包括两层金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥和通过衬底的通孔。可选的覆盖层。资料还提供了设计套件特性，包括ADS和MwO支持，以及可扩展的模型和特性。

型号- PH25

2024/6/10 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

UMS倍频器选型表

UMS提供倍频器选型，Input Bandwidth (GHz)-min：6.25-38，Input Bandwidth (GHz)-max：8.25-38.5，Input Power(dBm)：-1~14，Output Power(dBm)：6-20，Bias(mA)：50-270.

产品型号	品类	Xn	Input Bandwidth (GHz)-min	Input Bandwidth (GHz)-max	Output Bandwidth (GHz)-min	Output Bandwidth (GHz)-max	Input Power(dBm)	Output Power(dBm)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHX2193-FAB	倍频器	x2	6.25	8.25	12.5	16.5	10	14	60	3.5	Hermetic SMD

选型表 - UMS 立即选型

ZRL1304 宽带低噪声放大器 GaAs pHEMT MMIC LNA,17~24GHz

描述- 本资料介绍了ZRL1304 GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器，其工作频率范围为17至24GHz。该放大器具有高增益、低噪声系数和良好的线性度，适用于各种无线通信系统。

型号- ZRL1304

20221124 - 知融科技 - 数据手册 - Rev.A1 代理服务技术支持采购服务

利用低噪声、高成本效益的UMS PH25 GaAs工艺

描述- UMS将于2024年7月19日启动PH25 GaAs工艺的共享晶圆代工服务，该工艺以其成本效益和易于使用而著称，适用于生产低噪声、宽带和高产量MMIC。PH25工艺适用于设计低噪声放大器、开关、混频器、倍频器、衰减器等，适用于电信无线电、光电子网络和太空通信系统。设计师可以以2000欧元/平方毫米的合理入门价格参与PH25工艺的共享代工。资料中还包括了PH25工艺的主要参数和微波性能示例，以及如何参与共享晶圆代工的说明。

型号- CHA2394-99F,CHS2411-QDG,CHA3688AQDG,CHR3662-QDG,PH25,CHR3762-ODG,CHX2092A99F

2024/2/2 - UMS - 技术文档代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PH10 UMS 0.1μM GaAs甚高频P高电子迁移率晶体管工艺

描述- PH10技术提供0.1µm GaAs Very High Frequency pHEMT工艺，适用于低噪声放大，频率可达110GHz，典型Ft为130GHz，功率密度超过300mW/mm，典型噪声系数为2.3dB @ 70GHz。工艺特点包括双金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥、通孔和金镀背面。PH10产品适用于E波段通信、W波段雷达、光纤、安全传感器、空间仪器等领域。典型产品包括LNA 71-86GHz、MPA 71-76GHz、MPA 81-86GHz和Down-converter CHR1080a98F。

型号- PH10,CHA3080-98F,CHR1080A98F,CHA2080-98F,CHA3090-98F

2021/06/01 - UMS - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

利用宽带、低噪声、中等功率UMS PH10 GaAs工艺2024-Winter

型号- PH10,CHR1080-98F,CHA1008-99F,CHA3080-98F,CHM1080-98F,CHA2080-98F,CHA3090-98F

2024/2/2 - UMS - 技术文档代理服务技术支持采购服务

【产品】0.15μm pHEMT改进型高电子迁移率晶体管PH15，主要应用于高频电路

PH15是UMS公司推出的一款射频二极管，该二极管的阈值电压典型值为-0.75V，饱和电流Idmax典型值为280mA/mm，击穿电压Vbds典型值为6V，跨导Gme典型值为95mS,最大值为110mS,与其他同类产品相比，PH15具有很低的输入电容与反馈电阻。其输入电容仅为110fF（额定值），最大不超过140fF，反馈电容仅为25fF，最大不超过30fF。

2018-10-14 - 新产品代理服务技术支持采购服务