【技术】UMS推出三种GaAs PHEMT工艺流程,助力MMIC设计,提供代工服务

2018-10-20 UMS
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UMS(United Monolithic Semiconductors)是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商,法国公司Thales&EADS的子公司。主要服务于航空、通信、汽车雷达、工业、仪器等市场。此外,UMS还是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商,拥有GaN、GaAs、GeSi的工艺,可为客户提供Foundry service。


PH10PH15PH25是UMS推出的三种低噪声GaAs PHEMT工艺流程,基于一个高产量4英寸生产线,可以为客户代工,实现他们设计的低噪声或功率型单片微波集成电路(MMIC)解决方案。PHEMT是对高电子迁移率晶体管(HEMT)的一种改进结构,具有双异质结的结构,这不仅提高了器件阈值电压的温度稳定性,而且也改善了器件的输出伏安特性,使得器件具有更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等。这三种工艺包括两个金属互连层、精密TaN电阻器、高值TiWSi电阻器、MIM电容器、空气桥以及穿过基板的通孔,具有极好的降噪能力,具有多种涂层可供选择,且通过ESA(EPPL)的空间应用评估,非常适合用于无线通信、光电网络、汽车防撞雷达、太空通信等领域。


PH10

PH10是UMS推出的0.1μm pHEMT工艺,该工艺流程针对高达110GHz的极低噪声进行了优化。该改进型高电子迁移率晶体管的阈值电压典型值为-0.45V,饱和电流Idmax典型值为280mA/mm,击穿电压Vbds典型值为6V,跨导Gme典型值为100mS,最大值为115mS,具有很低的输入电容与反馈电容。其输入电容仅为110fF(额定值),最大不超过125fF,反馈电容仅为28fF,最大不超过33fF。其输出电阻Rout典型值为110Ω,接触电阻典型值为0.13Ω.mm。此外,PH10特性还包括典型Ft值为130GHz,操作Vds =3V,晶圆厚度为70μm,直径为100mm。


PH10设计套件的特性:

•适用于Keysight的ADS,NI-AWR的MwO

•ADSPDK,包括DRC规则和Momentum堆叠文件

•具有噪声源的FET的可扩展非线性模型

•传播分析数据


PH10工艺流程推荐器件及型号:低噪声放大器(CHA1008-99CHA2080-98F)、中功率放大器( CHA3090-98F


PH15

PH15是UMS推出的0.15μm pHEMT工艺,该工艺流程针对高达60GHz的极低噪声进行了优化。该改进型高电子迁移率晶体管的阈值电压典型值为-0.75V,饱和电流Idmax典型值为280mA/mm,击穿电压Vbds典型值为6V,跨导Gme典型值为95mS,最大值为110mS,具有很低的输入电容与反馈电容。其输入电容仅为110fF(额定值),最大不超过140fF,反馈电容仅为25fF,最大不超过30fF。其输出电阻Rout典型值为160Ω,接触电阻典型值为0.13Ω.mm。此外,PH15特性还包括典型Ft值为110GHz,操作Vds =2.5V,晶圆厚度为100μm,直径为100mm。


PH15设计套件的特性:

•适用于Keysight的ADS,NI-AWR的MwO和Ansoft的Nexxim

•ADSPDK,包括DRC规则和Momentum堆叠文件

•具有自动布局生成的原理图输入

•无源设备的可扩展模型

•具有噪声的FET的可扩展非线性模型

•可扩展的非线性模型转发二极管(混频器和检测器)

•传播分析数据


PH15工艺流程推荐器件及型号:中功率放大器(CHA5050-QDG)、高功率放大器(CHA6194-QXGCHA6550-QXGCHA6652-QXG)、低噪声放大器(CHA3218-99F


PH25

PH25是UMS推出的0.25μm pHEMT工艺,该工艺流程针对高达60GHz的极低噪声进行了优化。该改进型高电子迁移率晶体管的阈值电压典型值为-0.75V,饱和电流Idmax典型值为340mA/mm,击穿电压Vbds典型值为7.5V,跨导Gme典型值为85mS,最大值为100mS,具有很低的输入电容与反馈电容。其输入电容仅为150fF(额定值),最大不超过180fF,反馈电容仅为25fF,最大不超过30fF。其输出电阻Rout典型值为220Ω,接触电阻典型值为0.15Ω.mm。此外,PH25特性还包括典型Ft值为90GHz,操作Vds =3V,晶圆厚度为100μm,直径为100mm。


PH25设计套件的特性:

•适用于Keysight的ADS,NI-AWR的MwO

•ADSPDK,包括DRC规则和Momentum堆叠文件

•具有自动布局生成的原理图输入

•无源设备的可扩展模型

•FET可扩展非线性模型

•FET可扩展线性和噪声模型

•用于串联和并联开关配置的可扩展模型

•用于反向(变容二极管)和正向二极管(混频器)的可扩展非线性模型

•用于扩展分析的数据


PH25工艺流程推荐器件及型号:低噪声放大器(CHA3666-QAG, CHA3666-FAA)、高频开关(HP07)、混频器(CHX3068-QDG)、倍频器(CHX2092A99F)、降频变频器(CHR3693-QDG, CHR3762-QDG)、移相器(CHP3010-QFG


PS:PH10、PH15、PH25三种GaAs PHEMT工艺流程,具有低噪声、成本低、高效率、高截止频率等特点,三者截止频率分别为130GHz、110GHz、90GHz。其非常适合用于制作低噪声、高带宽、大容量、高成品率的MMICs如如低噪声放大器、开关、混频器、倍频器、衰减器、单芯片接收器等。此外,UMS还可提供代工服务,帮助客户实现方案产品化。


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  • zwjiang Lv9. 科学家 2022-10-31
    学习学习
  • KoFaCh Lv8. 研究员 2019-07-23
    学习
  • terrydl Lv9. 科学家 2019-07-22
    学习了
  • 学习 Lv4. 资深工程师 2019-07-21
    学习收藏
  • Smith Lv6. 高级专家 2019-07-18
    学习
  • zhouyd Lv7. 资深专家 2019-07-12
    厉害哈
  • 小乐 Lv7. 资深专家 2019-01-07
    学习了,
  • 幸运星 Lv7. 资深专家 2018-12-29
    贯彻学习下
  • 唉吆喂 Lv7. 资深专家 2018-12-06
    学习一下
  • xingwangjy Lv4. 资深工程师 2018-12-05
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产品型号
品类
RF Bandwidth (GHz)min
RF Bandwidth (GHz)max
Gain(dB)
IP3(dBm)
P-1dB OUT(dBm)
Sat. Output Power(dBm)
PAE(%)
Bias(mA)
Bias(V)
Case
CHA1008-99F
低噪声放大器
80
105
17
DC
5
DC
DC
115
2.5
Die

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