【产品】N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A040120L，易于并联和驱动，具有高阻断电压和低通态电阻
WM2A040120L是中电国基南方（CETC）推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET，该器件具有高阻断电压、低通态电阻、低寄生电容等特性，可用于高速开关。器件的漏-源电压（VDS）：1200V，漏源通态电阻（RDS(on)）：40mΩ，连续漏极电流（ID）：68A@Tc=25℃。广泛应用于再生能源、电动车蓄电池充电桩、高压DC/DC转换器、开关模式电源等场景。
产品特征
高阻断电压，低通态电阻
低寄生电容，可作为高速开关
易于并联和驱动
产品优势
更高的系统效率
降低冷却要求
增加功率密度
增加系统开关频率
产品应用
再生能源
电动车蓄电池充电桩
高压DC/DC转换器
开关模式电源
产品封装
产品尺寸
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