【产品】待机功耗低至0.45μA的RMLV0816BGSD-4S2低功耗静态随机存取存储器，助力备用电池系统

时间： 2018-10-13 来源：Renesas

瑞萨电子（RENESAS）是全球十大半导体芯片供应商之一，也是高级半导体解决方案的首选供应商。由其推出的RMLV0816BGSD-4S2低功耗8 Mb静态随机存取存储器，由524,288-word × 16-bit组成，采用瑞萨高性能先进LPSRAM技术制造，实现了更高密度、更高性能和更低功耗的出色表现，非常适用于静态存取存储，备用电池系统等领域。

RMLV0816BGSD-4S2低功耗静态随机存取存储器，采用3V单电源供电，工作时的电源电压范围为2.4V~3.6V（典型值3V），较低的电源电压水平有利于降低产品功耗。其平均工作电流典型值不超过25mA（Cycle = 55ns, duty =100%, I_I/O = 0mA），待机电流典型值更是低至0.45μA，具有突出的低电流消耗特色，功率损耗最大值仅为0.7W，较低的功率损耗使其可用于备用电池系统等电量敏感类产品。

RMLV0816BGSD-4S2静态随机存取存储器具有快速访问能力，2.7V~3.6V电源电压时访问时间最大45ns，2.4V~2.7V电源电压时访问时间最大55ns。输入电容最大值8pF（V_I/O=0V），输入/输出电容最大为10pF（V_I/O=0V），充放电时间短，可用于较高频率的操作。另外，RMLV0816BGSD-4S2低功耗静态随机存取存储器的通用数据输入和输出为三态输出，且所有输入输出均可直接兼容TTL电平，便于多功能多场景的应用。

在封装形式上，RMLV0816BGSD-4S2静态随机存取存储器采用52引脚的塑封μTSOP（II）封装，封装尺寸为10.79mm*10.49mm。RMLV0816BGSD-4S2低功耗静态随机存取存储器的最大储存温度范围为-65°C~+150°C，工作温度范围为-40°C~+85°C，满足工业级产品应用需求，可安全稳定地应用于各工业领域中。其引脚配置如下：

图1 RMLV0816BGSD-4S2静态随机存取存储器

RMLV0816BGSD-4S2静态随机存取存储器突出特点与优势：

·单3V电源供电：2.4V~3.6V

·访问时间：

-2.7V~3.6V电源电压时访问时间最大45ns

-2.4V~2.7V电源电压时访问时间最大55ns

·待机电流典型值0.45μA

·通用数据输入和输出──三态输出

·所有输入输出均可直接TTL兼容

RMLV0816BGSD-4S2静态随机存取存储器应用领域：

·静态存取存储

·备用电池系统

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全部评论（4）

中电徐 Lv5. 技术专家 2018-11-08

不错
用户17776108 Lv5. 技术专家 2018-10-30

学习
艾格 Lv4. 资深工程师 2018-10-13

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luose Lv8. 研究员 2018-10-13

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