【经验】以SCS210A系列为例说明SiC SBD相对于Si FRD具有更低导通压降和反向恢复损耗

时间： 2020-07-04 来源：世强

技术问答

ROHM的碳化硅二极管（SiC SBD）SCS210AGHRC规格为650V/10A（Tc=137℃），封装TO-220。SCS210AJHRTLL规格为650V/10A（Tc=137℃），封装TO-263。该SCS210A系列型号主要是用于车载PFC拓扑设计中。

在PFC设计上，相对于Si二极管（Si FRD）器件，采用SiC SBD具有低损耗特性。该特性主要体现在低导通压降和低反向恢复损耗上。

1：更低的导通压降。

SCS210A系列的导通压降低至1.35V。在25℃温度下，从If和Vf的关系曲线可以看出，相对于市场常用Si FRD在If=10A的条件下，Vf有0.15V的差距，采用SiC SBD相当于1.5W的功耗优势。在高温125℃温度下，同样是If=10A的条件下，采用SiC SBD有0.25V的差距，相当于2.5W的功耗优势。

2：更低的反向恢复损耗。

当反向电压400V，导通电流10A的条件下，高温125℃，测试对比SiC SBD和Si FRD两者之前的反向特性。从波形可以看出，Si FRD的反向电流高达28A，相对的SiC SBD的反向电流才7A，反向电流小，反向损耗更低。另外SiC SBD的整体振铃幅度远小于Si FRD的，产品的可靠性更高。

如下是为了体现SiC SBD的稳定特性，在同样反向电压400V、25℃条件下，针对不同的电流能力的测试曲线，If分别为2.5A、10A（SCS210A）和20A三个电流等级。从曲线可以看出，SiC SBD整体反向特性随电流变化不大且反向损耗小，而采用Si FRD是电流越小则反向的电流冲击和振铃越小，但相比之下SiC SBD稳定性更高损耗更低。

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