【产品】双通道隔离式硅肖特基整流器CTLSH1-40M832DS,最大功耗为1.65W
CTLSH1-40M832DS是Central半导体公司推出的一款双通道、隔离式、低VF硅肖特基整流器,是为小尺寸和高效率的应用而设计的。该器件的最大功耗为1.65W,封装尺寸非常小(约等于SOT-23),与用同等尺寸表面贴装封装的类似器件相比,该器件能够耗散4倍的功率。该器件主要应用于DC-DC转换器、反向电池保护、电池供电的便携式设备等领域。
图1.CTLSH1-40M832DS肖特基整流器产品外观图
CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器反向重复峰值电压VRRM为40V,平均正向电流IF为1.0A。该器件正向压降很低,VF的最大值为0.55V@ IF=1.0A。在tp<1.0ms的条件下,CTLSH1-40M832DS肖特基整流器的正向重复峰值电流IFRM为3.5A。在tp=8.0ms时,该器件的峰值正向浪涌电流为10A, 抗电流冲击能力较强。其反向电流IR的最大值为0.2mA@VR=40V,这表示反向泄露电流所产生的危害较小。该器件热阻值为75.8℃/W,功耗PD仅1.65W,符合低功耗产品的设计要求。此外,该器件结电容CJ的典型值为50pF @ VR=4.0V,f=1.0MHz。
CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器的工作和存储结温范围均为-65℃~+150℃,该器件在恶劣的环境条件下也可正常工作。
CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器的特性:
•高电流(IF=1.0A)
•低正向压降(VF=0.55V MAX@1.0A)
•热效率高
•TLM 3x2mm小型外壳
图2. TLM832DS外壳轮廓
CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器的相关参数(TA=25°C):
反向重复峰值电压:VRRM=40V
平均正向电流:IF=1.0A
正向重复峰值电流:tp<1.0ms IFRM=3.5A
正向浪涌峰值电流:tp=8.0ms IFSM=10A
功耗:PD=1.65W
工作和存储结温范围:-65°C~+150°C
热阻:75.8°C/W
CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器的应用领域:
•DC-DC转换器
•反向电池保护
•电池供电的便携式设备
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