【产品】双通道隔离式硅肖特基整流器CTLSH1-40M832DS,最大功耗为1.65W

2018-10-24 Central
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CTLSH1-40M832DSCentral半导体公司推出的一款双通道、隔离式、低VF硅肖特基整流器,是为小尺寸和高效率的应用而设计的。该器件的最大功耗为1.65W,封装尺寸非常小(约等于SOT-23),与用同等尺寸表面贴装封装的类似器件相比,该器件能够耗散4倍的功率。该器件主要应用于DC-DC转换器、反向电池保护、电池供电的便携式设备等领域。

 

图1.CTLSH1-40M832DS肖特基整流器产品外观图

 

CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器反向重复峰值电压VRRM为40V,平均正向电流IF为1.0A。该器件正向压降很低,VF的最大值为0.55V@ IF=1.0A。在tp<1.0ms的条件下,CTLSH1-40M832DS肖特基整流器的正向重复峰值电流IFRM为3.5A。在tp=8.0ms时,该器件的峰值正向浪涌电流为10A, 抗电流冲击能力较强。其反向电流IR的最大值为0.2mA@VR=40V,这表示反向泄露电流所产生的危害较小。该器件热阻值为75.8℃/W,功耗PD仅1.65W,符合低功耗产品的设计要求。此外,该器件结电容CJ的典型值为50pF @ VR=4.0V,f=1.0MHz。

 

CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器的工作和存储结温范围均为-65℃~+150℃,该器件在恶劣的环境条件下也可正常工作

 

CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器的特性:

•高电流(IF=1.0A)
•低正向压降(VF=0.55V  MAX@1.0A)
•热效率高

•TLM 3x2mm小型外壳


 

图2. TLM832DS外壳轮廓

 

CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器的相关参数(TA=25°C)

反向重复峰值电压:VRRM=40V
平均正向电流:IF=1.0A

正向重复峰值电流:tp<1.0ms  IFRM=3.5A
正向浪涌峰值电流:tp=8.0ms  IFSM=10A
功耗:PD=1.65W
工作和存储结温范围:-65°C~+150°C
热阻:75.8°C/W

 

CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器的应用领域:

•DC-DC转换器
•反向电池保护
•电池供电的便携式设备

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • 蓝烟 Lv4. 资深工程师 2018-11-02
    学习了
  • 道道 Lv7. 资深专家 2018-10-24
    学习了,很哟用
  • 耕者 Lv6. 高级专家 2018-10-24
    坐着沙发等资料学习!
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