【产品】双通道隔离式硅肖特基整流器CTLSH1-40M832DS，最大功耗为1.65W

时间： 2018-10-24 来源：Central

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CTLSH1-40M832DS是Central半导体公司推出的一款双通道、隔离式、低VF硅肖特基整流器，是为小尺寸和高效率的应用而设计的。该器件的最大功耗为1.65W，封装尺寸非常小（约等于SOT-23），与用同等尺寸表面贴装封装的类似器件相比，该器件能够耗散4倍的功率。该器件主要应用于DC-DC转换器、反向电池保护、电池供电的便携式设备等领域。

图1.CTLSH1-40M832DS肖特基整流器产品外观图

CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器反向重复峰值电压VRRM为40V，平均正向电流IF为1.0A。该器件正向压降很低，VF的最大值为0.55V@ IF=1.0A。在tp<1.0ms的条件下，CTLSH1-40M832DS肖特基整流器的正向重复峰值电流IFRM为3.5A。在tp=8.0ms时，该器件的峰值正向浪涌电流为10A, 抗电流冲击能力较强。其反向电流IR的最大值为0.2mA@VR=40V，这表示反向泄露电流所产生的危害较小。该器件热阻值为75.8℃/W，功耗PD仅1.65W，符合低功耗产品的设计要求。此外，该器件结电容CJ的典型值为50pF @ VR=4.0V，f=1.0MHz。

CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器的工作和存储结温范围均为-65℃~+150℃，该器件在恶劣的环境条件下也可正常工作。

CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器的特性：

•高电流（IF=1.0A）
•低正向压降（VF=0.55V MAX@1.0A）
•热效率高

•TLM 3x2mm小型外壳

图2. TLM832DS外壳轮廓

CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器的相关参数(TA=25°C)：

反向重复峰值电压：VRRM=40V
平均正向电流：IF=1.0A

正向重复峰值电流：tp<1.0ms IFRM=3.5A
正向浪涌峰值电流：tp=8.0ms IFSM=10A
功耗：PD=1.65W
工作和存储结温范围：-65°C~+150°C
热阻：75.8°C/W

CTLSH1-40M832DS硅肖特基整流器的应用领域：

•DC-DC转换器
•反向电池保护
•电池供电的便携式设备

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蓝烟 Lv4. 资深工程师 2018-11-02

学习了
道道 Lv7. 资深专家 2018-10-24

学习了，很哟用
耕者 Lv6. 高级专家 2018-10-24

坐着沙发等资料学习！

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