【产品】升压电路+H桥IGBT功率模块,集成开尔文发射器和温度传感器
全球领先的电力电子模块(IGBT模块)解决方案的供应商VINCOTECH(威科)推出的10-FZ07BIA030RW-P894E88、10-PZ07BIA030RW-P894E88Y系列IGBT功率模块,为flow SOL 0 BI产品线,采用单相逆变器拓扑,集成了升压开关、升压二极管、升压开关保护二极管、旁路二极管、和H桥开关等多种功能。由于内部集成了用于提高开关性能的开尔文发射器,具有快速转换的突出优势。另外,其内部集成的温度传感器,可实时地对模块进行温度监测,避免温度过高对系统造成永久性的损坏。该产品非常适用于太阳能逆变器和电源供应器中。
从参数上来看,Tj=25℃(除其他特殊说明外)时,该功率模块的工作电压为650V,旁路二极管(图3 D7)的反向重复峰值电压的最大值为1600V。功率模块的直流隔离电压高达6000V(t=2s),可以满足大功率隔离设计,同时有效的抑制输入谐波,具有超高的安全性与稳定性。
功率模块采用IGBT H5芯片技术,由于内部集成开尔文发射器,升压开关(图3 T5)的上升沿时间和下降沿时间的典型值分别仅为18ns和31ns(Tj=25℃),H桥开关(图3 T1/2/3/4)的上升沿时间和下降沿时间的典型值分别仅为22ns和39ns(Tj=25℃),具有较快切换速率,可使功率模块灵活地接受外部激励并快速响应。另外,其具有较低的闸极电荷,闸极电荷的典型值仅为84nC(Tj=25℃),切换频率高,换流响应性能好,可工作在对频率有一定要求的应用场合。
10-FZ07BIA030RW-P894E88、10-PZ07BIA030RW-P894E88Y系列IGBT功率模块工作温度范围为-40~125℃(Tjmax-25℃,Tjmax取决于模块中结温最低的器件),符合军品级器件温度要求,可应用在多种苛刻的温度环境中。采用flow 0 12mm的封装设计,有效减少了设计面积,节省PCB空间。此外,此类封装比同类产品离散电感更低,降低了不必要的功率损失(热损耗),能量利用率更高。
10-FZ07BIA030RW-P894E88、10-PZ07BIA030RW-P894E88Y系列功率模块的外形图、尺寸图、原理图如下:
图1 10-FZ07BIA030RW-P894E88、10-PZ07BIA030RW-P894E88Y系列IGBT功率模块外形图
图2 10-FZ07BIA030RW-P894E88、10-PZ07BIA030RW-P894E88Y系列IGBT功率模块的尺寸图
图3 10-FZ07BIA030RW-P894E88、10-PZ07BIA030RW-P894E88Y系列IGBT功率模块的原理图
10-FZ07BIA030RW-P894E88、10-PZ07BIA030RW-P894E88Y系列IGBT功率模块突出特点与优势
·升压电路+H桥
·提高开关性能的开尔文发射器
·温度传感器
10-FZ07BIA030RW-P894E88、10-PZ07BIA030RW-P894E88Y系列IGBT功率模块应用领域
·电源供应器
·太阳能逆变器
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VINCOTECH提供以下技术参数的IGBT功率模块产品选型,VOLTAGEIN:600-1800V,CURRENTIN:4-1800A
产品型号
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品类
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SUB-TOPOLOGY
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PRODUCT LINE
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VOLTAGEIN(V)
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CURRENTIN(A)
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MAIN CHIP TECHNOLOGY
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HOUSING FAMILY
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HEIGHTIN(mm)
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ISOLATION
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V23990-K429-A40-PM
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IGBT功率模块
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CIB-KE-NTC
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MiniSKiiP® PIM 3
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1200
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75
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IGBT4
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MiniSKiiP® 3
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16
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Al2O3
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选型表 - VINCOTECH 立即选型
VINCOTECH功率模块选型表
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产品型号
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品类
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产品状态
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拓扑
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电压(V)
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电流(A)
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模块高度 (mm)
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晶圆工艺
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封装
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10-0B06PPA004RC-L022A09
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SiC功率模块
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Series production
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PIM+PFC(CIP)
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600V
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4A
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17mm
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IGBT RC
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