【产品】650V/TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET，符合AEC-Q101标准

时间： 2020-11-14 来源：派恩杰

技术问答

P3M06040K4/P3M06060K4是派恩杰推出的两款漏源电压650V，TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET，无卤素，符合RoHS标准。产品通过了100%UIS测试，符合AEC-Q101标准，适用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器等。

图1 产品图

产品特点
•符合AEC-Q101标准

•高阻断电压、低导通电阻

•高频操作

•超小型Q_gd

•100%UIS测试

产品优点

•提高系统效率

•提高功率密度

•降低散热要求

•降低系统成本

产品应用

•太阳能逆变器

•电动汽车电池充电器

•高压DC / DC转换器

•开关电源

最大额定值和电气特性如下图：

图2 最大额定值

图3 电气特性

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由一号演员翻译自派恩杰，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】1700V的N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，采用TO-247-3封装

派恩杰推出的1700V N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，符合RoHS标准，无卤素，封装采用TO-247-3，具有高阻断电压，低导通电阻，工作结温范围为-55℃ 至 +200 ℃，可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC / DC转换器等领域。

新产品发布时间 : 2020-06-26

【产品】派恩杰新推基于SiC MOSFET的双向3.3kW图腾柱PFC评估板，峰值效率达99.19%

派恩杰基于650V，60mΩ的SiC MOSFET，推出高性能高效双向3.3kW Totem-Pole PFC评估板。在输入电压265Vac时峰值效率可达99.19%，大范围负载效率都高过98.5%，可以满足80+钛金效率要求。

新产品发布时间 : 2022-05-28

【产品】采用TO-220-3封装的增强型N沟道碳化硅场效应晶体管P3M06300T3，漏源电压为650V

P3M06300T3是派恩杰推出的一款增强型N沟道碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET），具有高频工作，低通态电阻和超低Qgd等特性，满足RoHS和无卤要求，可用于太阳能逆变器，开关电源等应用。

新产品发布时间 : 2022-05-31

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。

活动发布时间 : 2023-04-14

派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

选型指南 - 派恩杰 PDF 中文下载

P3M12020K4 N-Channel Enhancement Mode SiC MOSFET

型号- P3M12020K4

数据手册 - 派恩杰 - Ver. 1.3 - Mar. 2024 PDF 英文下载

派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表

派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃