【产品】650V/TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET，符合AEC-Q101标准

时间： 2020-11-14 来源：派恩杰

技术问答

P3M06040K4/P3M06060K4是派恩杰推出的两款漏源电压650V，TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET，无卤素，符合RoHS标准。产品通过了100%UIS测试，符合AEC-Q101标准，适用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器等。

图1 产品图

产品特点
•符合AEC-Q101标准

•高阻断电压、低导通电阻

•高频操作

•超小型Q_gd

•100%UIS测试

产品优点

•提高系统效率

•提高功率密度

•降低散热要求

•降低系统成本

产品应用

•太阳能逆变器

•电动汽车电池充电器

•高压DC / DC转换器

•开关电源

最大额定值和电气特性如下图：

图2 最大额定值

图3 电气特性

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产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃