【产品】650V/TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET，符合AEC-Q101标准
P3M06040K4/P3M06060K4是派恩杰推出的两款漏源电压650V，TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET，无卤素，符合RoHS标准。产品通过了100%UIS测试，符合AEC-Q101标准，适用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器等。
图1 产品图
产品特点
•符合AEC-Q101标准
•高阻断电压、低导通电阻
•高频操作
•超小型Qgd
•100%UIS测试
产品优点
•提高系统效率
•提高功率密度
•降低散热要求
•降低系统成本
产品应用
•太阳能逆变器
•电动汽车电池充电器
•高压DC / DC转换器
•开关电源
最大额定值和电气特性如下图：
图2 最大额定值
图3 电气特性
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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选型表 - 派恩杰 立即选型
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