瑞萨为工业应用提供600V到1250V超低损耗IGBT，满足功率设备的性能与节能需求
除微型计算机，模拟器件和电源管理IC（PMIC）外，瑞萨还提供可在高电压和高电流下工作的离散功率器件，例如MOSFET，IGBT，三端双向可控硅和晶闸管。瑞萨的每种离散功率器件均具有出色的性能和功能。
因此，此博客将介绍离散功率器件的产品阵容和功能。本文将介绍IGBT产品。
瑞萨IGBT适用于汽车和工业应用。瑞萨拥有一系列产品，这些产品主要用于汽车应用的EV逆变器和需要高效率的工业应用的能源管理设备。在这篇文章中，将介绍用于工业应用的IGBT。
功率设备在功率变换中发挥作用。在功率器件中，尤其是IGBT在大功率应用中起着重要作用。其性能与节能直接相关，这是我们社会的一个重大问题。瑞萨电子增加了第8代（G8H）产品，从而扩大了IGBT产品阵容，而第8代（G8H）是瑞萨当前的主要产品第七代（G7H）的进一步发展。在G8H系列中，“薄晶圆”和“小型化”的最新技术改善了导通损耗和开关损耗之间的权衡，实现了前所未有的超低损耗。对于令人不满意的地方，瑞萨还在开发一种新的工艺G9H，它可以进一步减少损耗。
这是瑞萨特别关注的应用。
瑞萨致力于为能源管理领域做出贡献，例如可再生能源（风力发电和太阳能发电），电网，电力存储和充电设备（UPS和EV充电器），这些设备有望在未来产生巨大需求，以此来实现生态社会。
产品形式有两种，晶片和封装。对于阻断电压，有从600V到1250 V的阵容。此外，瑞萨还为针对高功率风力发电和电网的晶圆产品开发1800V（计划很快开始生产）。瑞萨提供的产品可以根据客户的发展进行最佳选择。
除此之外，在评估板上查看瑞萨的效率评估结果，该评估板被模拟为每个应用电路，以便让您知道瑞萨的设备在应用电路中也具有良好的性能。例如，下图显示了逆变器电路中部分评估结果。您可以看到瑞萨IGBT的良好性能，包括电路效率，产品的功率损耗和工作波形。
瑞萨的IGBT提供了业界最高水平的低损耗和高效率来满足客户的性能！
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