【应用】虹美N沟道功率MOSFET BSS123助力TWS蓝牙耳机小型化，长续航，更安全可靠
客户与应用
TWS蓝牙耳机其高水平降噪，高保值音乐特性，有助于消费者在不同场景下享受音乐，私密通话及游戏，影音带来的极大乐趣，因而使其成为当下最流行的蓝牙耳机，已经得到广泛的应用。本文以某客户其采用虹美半导体推出的N沟道功率MOSFET BSS123应用于TWS蓝牙耳机应用为例进行分享。
挑战
TWS硬件方案中，左、右耳机及充电仓都需要较多数量的MOSFET，且单TWS蓝牙耳机也需求数量较多的MOSFET，因此MOSFET能够在一定程度上影响整体方案PCBA面积和整机功耗。
MOSFET主要功能为开关通路的切换，包括通信通路切换，5V和1V8(或者3V3)电平的切换等应用，而受限于蓝牙耳机较小的体积，又因为ANC及通话声学算法需要足够的声腔，因此预留给PCBA的空间需要足够的小，且受限于小容量电池，整机漏电流也需要尽量低，这样才能保证蓝牙耳机具有较长的待机时间，因此在TWS蓝牙耳机应用中对于MOSFET关键性能要求主要为：小尺寸封装、低漏电流特性。因为只有这样MOSFET才能在满足耳机电性能要求的基础上，也为TWS蓝牙耳机的小型化，长续航做出突出贡献。
解决方案与采用技术
虹美半导体推出的N沟道功率MOSFET BSS123是一款漏-源电压为100V，无铅，且通过了AEC-Q101认证，采用SOT-23外壳封装的器件，详细尺寸图如下所示：
小尺寸封装。如上图所示，器件采用SOT-23外壳封装，器件小型化，低剖面，可有助于节省电路板空间，便于布线，另外采用此高散热性封装，也有助于实现电池的更长续航时间和快速充电； PCBA面积减少，也有助于增大电池容量，在一定程度上提升TWS蓝牙耳机的工作时长和待机时长。
低漏电流特性。TA=25℃时，在关断模式下，漏-源短路时的栅极电流最大值可低至50nA，栅-源短路时的漏极电流最大值可低至15μA(TJ=25℃), 漏电流小,可以提高电池续航功能，并且防止过度放电，保护电池；在导通状态下，具有典型值低至5.0Ω的低导通电阻，导通损耗低，从而使得TWS蓝牙耳机具有更长的待机和工作时长，带来更佳的用户体验。
另外TWS蓝牙耳机是深入耳道内工作的消费电子器件，其安全性和可靠性尤为中亚，而BSS123器件通过了AEC-Q101认证，具有高可靠性，能够为锂电池安全护航，同时也确保了蓝牙耳机安全、可靠的工作。
成果与效益
虹美半导体推出的N沟道功率MOSFET BSS123应用于TWS蓝牙耳机，不仅可有效减少PCBA面积，也为TWS蓝牙耳机的长续航做出贡献，给消费者带来极佳的用户体验；除此之外，该器件可广泛应用于智能音箱，头戴耳机等各类家用电子设备，具有极其广泛的应用领域。
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