本文由覃晓莉提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
评论
全部评论(4)
-
白胖子一个 Lv6. 高级专家 2023-11-03学习
-
奋进鸭 Lv6. 高级专家 2023-10-24测试过UTC的物料
-
开心快乐 Lv6. 高级专家 2023-08-06了解了
-
豆芽 Lv8. 研究员 2023-06-25学习
相关推荐
凌讯微电子授权世强硬创代理,平台新增国产超结MOS/SiC/IGBT等功率器件
近年来,国产功率半导体已在众多领域应用,特别是中高端产品,如超结MOSFET、IGBT、碳化硅等,市场逐渐从依赖进口向国内自给自足转变。 为服务更多硬科技企业实现国产化替代,功率半导体器件制造商广东凌讯微电子有限公司(下称“凌讯微电子”,英文名:LXMICRO)授权世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)代理,进一步扩大国产功率器件市场应用。 资料显示,凌讯微电子(LXMICRO)功
MDLM358 36V双通道通用运算放大器产品说明书
描述- MDLM358是一款36V双通道通用运算放大器,具有低功耗、宽电源电压范围、高单位增益带宽特性。产品适用于充电桩、不间断电源、工业控制、通讯等领域。
型号- MDLM358
推进新能源/工业布局进程,台湾友顺(UTC)授权世强硬创代理
老牌企业友顺(UTC)旗下电源管理芯片、运算放大器、比较器、低压MOS管、高压MOS管、超结MOS、IGBT、肖特基、线性稳压器、PWM 控制器、肖特基功率整流器、晶闸管、低压降压转换器等全线产品授权世强硬创一级代理。
美禄科技授权世强硬创代理氮化镓功率器件、平面/超结MOS等产品
产品广泛应用于PD快充、户外电源、UPS、储能、逆变器、充电桩、数字服务器、马达驱动、PD快充、电源适配器、LED照明、通讯电源、白色家电、工业控制、光伏逆变、移动储能等领域。
PT32S038x 32 位基于 ARM 内核的带 64KB 存储器的微控制器CAN、LCD 控制器、9 个定时器,1 个 ADC,11 个通讯接口运算放大器,比较器以及 7 位的 LDAC数据手册
描述- PT32S038x系列微控制器基于ARM Cortex-M0内核,具备64KB存储器、CAN、LCD控制器、多个定时器、ADC和多个通信接口。产品支持多种工作频率和供电电压,具有低功耗模式,适用于工业和消费电子产品。
型号- PT32S038C6,PT32S038C8,PT32S038K6U6,PT32S038K6,PT32S038C8T6,PT32S038K8U6,PT32S038K8,PT32S038K6T6,PT32S038K8T6,PT32S038X,PT32S038C6T6,PT32S038R6,PT32S038R6R6,PT32S038R8T6,PT32S038R8,PT32S038R8T6R,PT32S038R8R6,PT32S038X 系列,PT32S038R6T6,PT32S038X6,PT32S038X8
HI-SEMICON(深鸿盛)场效应管(MOSFET)选型表
目录- 中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs
型号- SFU6007T,SFP20N65,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFF10N65R,SFD7N70,SFF4N60E,SFQ0320T4,SFM4009T,SFE6001T2,SFP20N60,SFK2N50,SFF60N06,SFM041R8T,SFD60N06,SFD2N50,SFP4N65,SFP33N10,SFP4N65E,SCP60R190C,SFP20N70,SFS3401,SFD4N60E,SFS3400,SFD6005T,SFD7N65E-Y,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SCA60R280C,SFM4N65,SFD1N65,SCP70R360C6,SFD3015T,SGA855R0T,SFP50N06,SCA65R540T,SCF65R640C,SFQ0322T4,SFU4N65E,SFF12N65,SFD6006T,SFD6N70,SGM10HR14T,SFQ0420T4,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3N50-P,SFN3009T,SCD60R360C,SFF6N70,SFU3006T,SCF65R1K15C,SFP9N20,SFF50N06,SFD6007T,SFF3N50-P,SFP10N60,SCF65R380C,SFP7N65E-Y,SCP65R380C,SCP60R280C,SFS4008T2,SFS2300,SFF7N65-Y,SCF60R280C,SFF13N50,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP10N70,SCD65R1K2C,SFM4010T,SFD3N50TS,SFF6007T,SCF80R500C,SCD80R500C,SFF2N50,SFD3012T,SFA3018T,SFF7N65,SCF65R310C,SFF7N65E-Y,SCD70R360C6,SFF6006T,SCK65R1K15C,SFD4N65E,SFF15N10,SFU4N65,SFF7N70,SFD4003T,SFU9N65,SFF6005T,SFD7N65-Y,SCP60R160C,SCA60R190C,SCF80R950C,SFK3N50,SCF55R2K7C,SFF12N65-Y,SFE3007T,SFP3006T,SFD5N50,SGM6005DT,SFF9N20,SGF15N10,SFP60N06,SFS2N10,SCF70R600C6,SFD4001PT5,SFP10N65-Y,SFF3N50,SFM4N65E,SCD65R125C,SCF65R125C,SFD4N70,SFP7N65-Y,SFF5N50TS,SFP6005T,SCP65R125C,SGM031R1T,SCF70R420C,SCD70R420C,SFP12N65-Y,SCP65R540T,SCF60R160C,SFD4N65,SFS2N7002,SFF3N50TS,SFF33N10,SCF70R360C6,SFS2302B,SFS2301B,SFD15N10,SFF20N60,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFS4606T,SFU4003T,SGD15N10,SFF9N50,SFD10N65-J,SFF4N65E,SFD4004PT,SFD9N65,SFF20N70,SFU10N65R,SCD55R2K7C,SFU6003T,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SFF9N65,SFP13N50,SCD70R600C6,SFU7N70,SCD65R380C,SFD5N50TS,SFAP4580,SFF10N60,SCD65R540T,SCP60R360C,SFF4N65,SFM0320T4,SCF65R1K2C,SCP80R500C,SGP855R0T,SFU6005T,SFD10N65R,SFD3N50,SFP12N65,SFU6N70,SFU4N60E,SFF4N70,SFF10N65-Y,SFF9N90,SGU15N10,SFM3011T,SFF16N65,SFP110N55,SFU6006T,SFP18N50,SFU15N10,SFF5N50,SFF10N65-J,SFN6004T5,SFP59N10,SFD9N20,SCF65R240C,SCD65R640C,SFM3012T,SFS5N10S,SFN0250T2,SCD65R1K15C
SemiHow授权世强硬创代理,超结MOSFET产品供货三星/华为/LG等企业
目前,SemiHow的超结MOSFET产品已在三星、LG、华为、飞利浦、中兴、MW、vivo等客户产品中成功应用。
PT32L076x 32 位基于 ARM 内核的带 128KB 存储器的微控制器LCD 控制器、11 个定时器,1 个 ADC,10 个通讯接口AES 硬件加速器、运算放大器,比较器以及 7 位的 LDAC数据手册
描述- PT32L076x系列微控制器是基于ARM Cortex-M0内核,具备128KB存储器、11个定时器、1个ADC、10个通讯接口、AES硬件加速器、运算放大器、比较器和7位LDAC功能的器件。该系列支持1.8至3.6V供电,工作温度范围为-40°C至+105°C,适用于多种应用场合。
型号- PT32L076X 系列,PT32L076R8T7,PT32L076R8,PT32L076KBT7,PT32L076X,PT32L076R8T7R,PT32L076CB,PT32L076CBT7,PT32L076X8,PT32L076RBR7,PT32L076KXX7 系列,PT32L076C8,PT32L076RBT7,PT32L076KB,PT32L076KBX7,PT32L076XB,PT32L076K8,PT32L076K8X7,PT32L076C8T7,PT32L076R8R7,PT32L076KXX7,PT32L076K8T7,PT32L076RB
【产品】扬州国芯推出内置高增益频率补偿的双路运算放大器LM2904,宽工作电压3V~32V
LM2904是扬州国芯推出的由两个独立的高增益频率补偿的运算放大器组成,这些运算放大器设计为可在较宽的电压范围内由单电源供电。最低工作电压为3V,最高工作电压达到32V。LM2904提供SOP8和DIP8两种封装形式。
高压MOS管HKTD7N65可用于高压电源和电机驱动等应用,具有大电流承受能力以及超低功耗特点
高压MOS管在很多场景应用,通常高压MOS的特点是沟道区宽、漏极区大、导通损耗小、低导通电阻、耐高电压、高开关速度、栅极采用特殊工艺等,这些特点使得它的管子能够承受高电压。本期,合科泰给大家推荐一款经典且应用很广的高压MOS管HKTD7N65,可用于高压电源、快充、开关调节器和电机驱动等应用。
合科泰自主生产种封装高压MOS管,广泛应用于新能源、汽车、家电和工控等领域
作为一家专业生产MOS产品的原厂,合科泰对高压MOS产品的研发、生产投入很大,目前,合科泰可以自主生产很多种封装的高压MOS,如采用TO-220封装的4N80/6N80产品,采用TO-252封装的HKTD4N50/HKTD4N65,采用TO-263封装的HKTE180N08,采用PDFN5*6封装的HKTG48N10等产品。
【选型】变频器上DSP推荐国产ADP32F034QP80S,丰富外设功能降低系统成本
变频器通常需要采用高性能的数字信号处理器DSP来做其主控制器,该控制器的处理速度、功耗、资源对变频器来说,是比较重要的考虑因素。笔者推荐国产进芯电子(Advancechip)的DSP ADP32F034QP80S。
【视频】虹美车规SiC二极管/GaN FET/IGBT,提供DC-DC/光伏逆变/快充等新能源、工业解决方案
型号- HM01N100PR,HMS11N70Q,HMS7N80,HMS5N80,HMS5N90R,HM4N65R,HMS5N70R2,HMS20N80,HM3N150,HM8N100F,HMG20N65F,HMS5N70R,HMG20N65D,HMS10N80,HMS13N65Q,HMS15N80D,HM40N120AT,HMS11N65Q,HMG40N65AT,HMS5N65R,HM3N100,HM1N60R,HMS5N90R2,HM0565MR,HMN9N65D,HMS5N65R2,HMN11N65D,HM3N120,HM2N65R,HM40N120FT,HMG40N65FT,HM4N60R
合科泰高压MOS管具有耐压值高、开关速度快等特点,散热性能好,产品稳定可靠,满足大功率应用需求
作为一家专业从事MOS管等分立器件研发生产和制造的原厂,合科泰生产的高压MOS管具有耐压值高、开关速度快、高频、损耗小、工作效率高、产品稳定可靠等特点。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户端子定制线束,制程能力:Min: 0.13mm2、Max: 120mm2;具有设计方案验证、定案、样品交付及量产快速响应能力。
最小起订量: 1000pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论