【产品】35A/100V的N沟道功率MOSFET DI035N10PT， 采用QFN3×3封装
DIOTEC（德欧泰克）的N沟道功率MOSFET DI035N10PT，采用QFN3×3封装，具有低导通电阻和快速开关时间的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为100 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为25 W，允许通过的漏极持续电流为35 A（TC = 25℃ ），漏极峰值电流为130 A，工作结温和存储温度范围-55~+150℃。适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关、极性保护等应用。
图1. 产品外形、尺寸及内部结构图
主要特征：
● 小型封装，可节省空间
● 低剖面
● 低通态电阻
● 高速开关时间
● 低栅极电荷
● 符合RoHS，REACH，矿物冲突
典型应用：
● 电源管理单元
● 电池供电设备
● 负载开关，极性保护
● 商业级应用
● 后缀-AQ：获得AEC-Q101认证
机械参数：
盘带包装：5000/13”
重约0.1 g
外壳材料阻燃等级：UL 94V-0
焊接和组装条件：260℃/10s，MSL=1
最大额定值：
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