【产品】35A/100V的N沟道功率MOSFET DI035N10PT, 采用QFN3×3封装
DIOTEC(德欧泰克)的N沟道功率MOSFET DI035N10PT,采用QFN3×3封装,具有低导通电阻和快速开关时间的特点。电气参数方面,漏极-源极电压为100 V,栅极-源极电压为±20V,功率耗散为25 W,允许通过的漏极持续电流为35 A(TC = 25℃ ),漏极峰值电流为130 A,工作结温和存储温度范围-55~+150℃。适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关、极性保护等应用。
图1. 产品外形、尺寸及内部结构图
主要特征:
● 小型封装,可节省空间
● 低剖面
● 低通态电阻
● 高速开关时间
● 低栅极电荷
● 符合RoHS,REACH,矿物冲突
典型应用:
● 电源管理单元
● 电池供电设备
● 负载开关,极性保护
● 商业级应用
● 后缀-AQ:获得AEC-Q101认证
机械参数:
盘带包装:5000/13”
重约0.1 g
外壳材料阻燃等级:UL 94V-0
焊接和组装条件:260℃/10s,MSL=1
最大额定值:
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