【产品】35A/100V的N沟道功率MOSFET DI035N10PT， 采用QFN3×3封装
DIOTEC（德欧泰克）的N沟道功率MOSFET DI035N10PT，采用QFN3×3封装，具有低导通电阻和快速开关时间的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为100 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为25 W，允许通过的漏极持续电流为35 A（TC = 25℃ ），漏极峰值电流为130 A，工作结温和存储温度范围-55~+150℃。适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关、极性保护等应用。
图1. 产品外形、尺寸及内部结构图
主要特征：
● 小型封装，可节省空间
● 低剖面
● 低通态电阻
● 高速开关时间
● 低栅极电荷
● 符合RoHS，REACH，矿物冲突
典型应用：
● 电源管理单元
● 电池供电设备
● 负载开关，极性保护
● 商业级应用
● 后缀-AQ：获得AEC-Q101认证
机械参数：
盘带包装：5000/13”
重约0.1 g
外壳材料阻燃等级：UL 94V-0
焊接和组装条件：260℃/10s，MSL=1
最大额定值：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由翊翊所思翻译自Diotec，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】30V/10A N沟道功率MOSFET DI010N03PW, 采用QFN2x2节省空间的封装
Diotec推出商业等级N沟道功率MOSFET DI010N03PW，该器件漏源电压30V，漏极持续电流可达10A（25℃），导通电阻约为10mΩ，同时该器件采用QFN2x2节省空间的封装，具有剖面低，尺寸小的优点。
【产品】30V/40A的N沟道功率MOSFET DI040N03PT，可提供通过AEC-Q101认证的产品
Diotec（德欧泰克）推出的DI040N03PT是一款N沟道功率MOSFET，采用小型的QFN3×3封装，节省空间。漏源电压30V，连续漏极电流40A（TC=25℃），漏源导通电阻小，典型值仅6mΩ。提供通过AEC-Q101认证的产品，型号DI040N03PT-AQ。
【产品】50A/40V的N沟道功率MOSFET DI050N04PT， 采用QFN3×3封装
Diotec（德欧泰克）的N沟道功率MOSFET DI050N04PT，采用QFN3×3封装，具有低导通电阻和快速开关时间的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为40 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为37W，允许通过的漏极连续电流为50A（TC = 25℃ ），漏极峰值电流为140 A，工作结温和存储温度范围-55~+150℃。适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关，极性保护等应用场合。
DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
|
产品型号
|
品类
|
Type
|
Package
|
Drain Source Voltage VDS[V]
|
Drain Current ID[A]
|
Junction Temperature Tjmax[℃]
|
Polarity pol
|
Power Dissipation Ptot [W]
|
Peak Drain Current IDM [A]
|
Threshold Voltage VGSth[V]
|
On-Resistance RDSon[Ω]
|
On-Resistance ID[A]
|
On-Resistance VGS[V]
|
Turn-OnTime ton[ns]
|
Turn-Off Time toff[ns]
|
|
2N7000
|
MOSFETs
|
Wire-lead
|
TO-92
|
60
|
0.2
|
150
|
N
|
0.35
|
0.5
|
0.8
|
5
|
1
|
10
|
10
|
10
|
选型表 - DIOTEC 立即选型
【产品】适合负载开关应用的N沟道功率MOSFET AP1606系列，沟槽处理技术设计实现低导通电阻
铨力半导体旗下的AP1606系列N沟道功率MOSFET，采用沟槽处理技术设计，实现尽可能低的导通电阻，它的静态漏源导通电阻RDS(ON)典型值为210mΩ（VGS=2.5V，ID=0.5A）。这款器件具有开关速度快、传输效率高、无铅、符合RoHS标准等特性。
【产品】AP6009S型N沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，静态漏源导通电阻小于18mΩ
AP6009S是铨力半导体推出的采用先进沟槽技术设计的的N沟道功率MOSFET，采用超低导通电阻的高密度单元设计，静态漏源导通电阻RDS(ON)小于18mΩ@VGS=10V（典型值为14 mΩ），低导通电阻有效地降低了开关损耗，应用范围广泛。
【产品】10V/10A的N沟道功率MOSFET SLD10N10T/SLP10N10，导通损耗最小，开关性能优越
SLD10N10T/SLP10N10T是美浦森（Maplesemi）推出的采用先进平面条纹沟槽技术的N沟道功率MOSFET，这项先进的技术是为实现导通损耗最小化而特别设计的，可提供卓越的开关性能。
【产品】国产双N沟道功率MOSFET RUH30D18H，适用于电源管理、开关应用和负载开关等
锐骏半导体RUH30D18H是一款双N沟道功率MOSFET，漏源电压为30V，持续漏极电流为18A（Ta=25℃，VGS=10V）。具有低导通电阻和开关速度快等特性，可应用于电源管理、开关应用和负载开关等。
【产品】20V/60A的N沟道功率MOSFET SLD60N02T，采用平面条纹沟槽技术，导通电阻极低
美浦森采用先进平面条纹沟槽技术的N沟道功率MOSFET SLD60N02T，为实现导通损耗最小化而特别设计，可提供卓越开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。采用D-PAK封装，漏源电压最大额定值20V，连续漏极电流最大额定值60A。
【产品】漏源电压30V的N沟道功率MOSFET SLD90N03T，连续漏极电流最大额定值90A
SLD90N03T是美浦森推出的一款采用先进平面条形沟槽技术的N沟道功率MOSFET。器件采用D-PAK封装，漏源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为90A（TC=25℃），具有非常低的漏源导通电阻RDS(ON)、低反向传输电容和快速开关特性。
【产品】25A/65V N沟道功率MOSFET DI025N06PT，QFN3x3微型封装可节省空间
Diotec DI025N06PT N沟道功率MOSFET，采用QFN3x3封装，具有通态电阻低，开关速度快栅极电荷低等特点。产品适用于电源管理单元，电池供电设备，负载开关，极性保护以及商业/工业级应用等领域。
【产品】20V/6A N沟道增强型功率MOSFET RU206B，可用于负载开关和PWM应用
锐骏半导体推出一款SOT23封装的N沟道增强型功率MOSFET——RU206B，采用超高密度单元设计，漏源电压最大额定值为20V，连续漏极电流最大额定值为6A（TA=25℃），具有低导通电阻特性，可靠、坚固，可用于负载开关和PWM应用。
电子商城
现货市场
服务
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论