【产品】采用PMDE封装的超快恢复二极管RFN1VWM2STF,正向电压典型值0.85V

2022-05-24 ROHM
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RFN1VWM2STFROHM推出的一款200V/1A超快恢复二极管,具有超快恢复时间、低正向电压、低开关损耗、高电流过载能力等特点,采用体积小巧、可靠性高且散热效率高的PMDE封装,非常适合用于一般整流应用。该产品采用硅外延平面结构,正向峰值浪涌电流可达20A(60Hz,正弦半波,非重复,Tj=25℃),反向恢复时间典型值低至14ns(IF=0.5A, IR=1A,Irr=0.25xIR),正向电压典型值低至0.85V(IF=1A),最大结温可达175℃,存储温度范围为-55℃至175℃。

 

图1   产品外观图以及内部电路图


 产品特性:

• 低正向电压

• 低开关损耗

• 高电流过载能力

 

应用场合:

• 一般整流应用

 

绝对最大额定值:(TC=25℃,除非另有说明)


电气特性:(Tj=25°C,除非另有说明)


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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