【应用】耐压高达100V的车规级GaN场效应管EPC2212用于车载激光雷达,脉冲电流最大额定值为75A
随着科技的发展,人工智能更多的应用于我们的工作、生活中,激光雷达以其高分辨率、隐蔽性及抗干扰性等优势在智能网联汽车、自动驾驶等方面的应用越来越多。客户在车载激光雷达上需要耐压80V,峰值电流40A的GaN场效应管方案,结合使用给其推荐了EPC的车规级EPC2212,是一款最高耐压达100V,峰值电流达75A的增强型氮化镓功率晶体管,具有超高效率,低控制极电荷,低漏源恢复电荷,零反向恢复损耗。
客户车载激光雷达发射单元的基本原理如下:
客户发射单元使用EPC2212会带来如下优势:
1、 耐压高:漏源连续电压VDS最大额定值为100V,满足耐压80V以上的应用需求。
2、 峰值电流大:漏极连续电流ID最大额定值为18A,脉冲电流最大额定值为75A,驱动能力较强。
3、 开关速度快:具有超低的控制机电荷,QG典型值为3.2nC,可极大的提供开关速率。
4、 工作温度宽:已过AECQ-100认证,工作温度范围为-40℃~150℃,满足车载的器件需求。
5、 封装小:为DFN封装,尺寸大小为2.1mm×1.6mm,可极大节约PCB的尺寸。
综上所述,车规级GaN场效应管EPC2212耐压峰值电流都可以满足客户的使用需求,另外其效率高、开关速度快及低损耗等性能可极大的提高产品性能。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由张江敏提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
GaN Transistor for Several Power Applications
GaN transistors are significantly faster and smaller than silicon MOSFETs. The performance of GaN shows that efficiency and performance have improved significantly, leading to several new applications that were not possible with silicon technology. eGaN® FETs, from EPC, are supplied in a low inductance, low resistance, small and low-cost LGA or BGA packages. In addition, they offer designers the best in class compared to MOSFETs in both hard switching and soft-switching applications.
【应用】EPC车规级GaN场效应管EPC2203应用于激光雷达,脉冲电流可达17A,漏源耐压值可达80V
本文主要介绍EPC汽车级GaN场效应管EPC2203在激光雷达上的应用,主要用在激光雷达发射部分,用于控制激光器的快速开关,优势:漏源耐压值可达80V;持续电流1.7A,最大脉冲电流17A;漏源电阻仅80mΩ,可有效降低系统损耗等。
【应用】EPC的GaN场效应管EPC2212用于激光雷达,瞬态电流75A,耐高压100V
客户设计一款激光雷达产品时,采用GaN MOS用于激光管功率驱动,要求GaN MOS的耐压在60V以下,最大电流40A左右,小体积封装,推荐EPC的GaN场效应管EPC2212,VDS最大额定值100V,脉冲电流ID最大额定值75A。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
基板供应商替代产品/工艺变更通知(PCN)(PCN240531)
描述- EPC宣布Wafer Works成为第二家合格的Si基板供应商,拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works的基板生产设备。受影响的销售产品编号见附录I。
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2014C,EPC2016C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC8010,EPC2069,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2202,EPC2029,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2221,EPC2022,EPC7014,EPC8004,EPC2716C
面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)和集成电路应用简介
描述- 本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能,实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势,包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等,并提供了相关器件型号和配置的详细信息。
型号- EPC2212,EPC2010C,EPC2059,EPC2034C,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2032,EPC2053,EPC9047,EPC2033,EPC9062,EPC9048C,EPC2204,EPC2207,EPC9010C,EPC2007C,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90123,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC90124,EPC9091,EPC9006C
基板供应商替代产品/工艺变更通知(PCN)(PCN240501)
描述- EPC宣布Wafer Works成为Si基板第二家批准供应商,拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works的基板生产设备。受影响的销售部分编号见附录I。
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2014C,EPC2016C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC8010,EPC2069,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2202,EPC2029,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2221,EPC2022,EPC7014,EPC8004,EPC2716C
【方案】高动态高速TOF相机优选元器件方案
描述- 本方案通过采用Melexis公司汽车级的高动态高速TOF传感技术、EPC公司的eGaN工艺的高速、低RDS(on)晶体管及其相关器件,帮助TOF相机实现高动态高速测量,避免红爆现象并可在强日光下工作,同时帮助降低发热量,提升可靠性,产品应用更广泛。
型号- EPC2212,EPC2016,MLX75023,FC-12M,MLX75024,MLX75123,EPC2032,EPC2031,SGM41285,EFM32TG11,EFM32ZG,SG-8018,EPC2202,SGM6607,FA-20H,EPC2206,EPC2021,EPC2022,TSX-3225,SGM6232,PH,SGM220,SGM601X,FA-128,FC-135,RX8010SJ,EFM32HG,MGV
氮化镓可靠性和寿命预测:第16阶段可靠性报告
型号- EPC2212,EPC2069,EPC2302,EPC2203,EPC2034C,EPC2202,EPC2204,EPC2215,EPC2014C,EPC2218,EPC2207,EPC2206,EPC2071,EPC2052,EPC2051,EPC2045,EPC21701,EPC21601
面向雷射雷達的eGaN®FET — 發揮雷射驅動器EPC9126的最大功效應用筆記
描述- 本文主要介绍了面向激光雷达应用的eGaN®FET技术,特别是EPC9126激光驱动器的性能优化。文章详细阐述了激光雷达的基本原理、激光和脉冲的要求,以及eGaN®FET在激光雷达驱动器中的应用优势。同时,文章还提供了EPC9126和EPC9126HC激光二极管驱动器的设计指南,包括共振电容放电激光驱动器的原理图、主要波形、设计公式和实验结果。此外,文章还讨论了使用EPC9126的技巧和注意事项,以及如何通过优化设计来提高激光雷达的性能。
型号- EPC9126HC,EPC2212,EPC2001C,EPC9126XX系列,EPC2016C,EPC9126,EPC9126XX
极端氮化镓–当氮化镓®FET暴露于远高于数据手册限制的电压和电流水平时会发生什么
描述- 本文探讨了宽禁带氮化镓(GaN)器件在超出数据表极限电压和电流条件下的表现。文章介绍了高效功率转换公司(EPC)对第五代100V额定EPC2045 eGaN FET进行的测试,分析了其在硬开关条件下承受高达150V漏源偏置的情况。此外,还讨论了超过数据表最大脉冲电流限制的短路电流测试结果。
型号- EPC2212,EPC2203,EPC2207,EPC2052,EPC2051,EPC21603,EPC2045
【经验】EPC分享eGaN FET如何缩小现代电源电路的物理尺寸——以LLC谐振转换器的设计为例
EPC设计的氮化镓场效应管具有小尺寸,高功率密度的特点,本文从LLC谐振转换器的设计说明了eGaN FET如何缩小现代电源电路的物理尺寸,并提高功率密度。
电子商城
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
可定制单位/双位/三位/四位LED数码管的尺寸/位数/发光颜色等性能参数,每段亮度0.8~30mcd,主波长470~640nm,电压2~10.2V。
最小起订量: 1000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论