【产品】-60V/-5A P沟道增强型MOSFET PJW5P06A，反向传输电容低至47pF

2019-12-30 PANJIT
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PANJIT(强茂)电子有限公司推出了SOT-223封装的PJW5P06A（-60V/-5A）P沟道增强型MOSFET。

图1 实物图和内部结构图


PJW5P06A P沟道增强型MOSFET特点：

•RDS(ON), VGS@-10V, ID@-5A<68mΩ

•RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-3A<85mΩ

•开关速度快

•改进的dv/dt能力

•栅极电荷低

•反向传输电容低

•符合欧盟RoHS 2.0 无铅标准

•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准


PJW5P06A P沟道增强型MOSFET机械数据：

•外壳：SOT-223封装

•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）

•重量约：0.043盎司，0.123克

表1 最大额定值

表2 电气特性

表3 订购信息


技术顾问：WYH
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P沟道增强型MOSFET PJW5P06A PANJIT 管状电机

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VGS(V)
ID(A)
RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
RDS(on) Max.(mΩ)10V
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ.(nC)10V
PJA3403_R1_00001
低压MOS
SOT-23
P
Single
-30V
12V
-3.1A
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443pF
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