【产品】-60V/-5A P沟道增强型MOSFET PJW5P06A，反向传输电容低至47pF
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了SOT-223封装的PJW5P06A（-60V/-5A）P沟道增强型MOSFET。
图1 实物图和内部结构图
PJW5P06A P沟道增强型MOSFET特点：
•RDS(ON), VGS@-10V, ID@-5A<68mΩ
•RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-3A<85mΩ
•开关速度快
•改进的dv/dt能力
•栅极电荷低
•反向传输电容低
•符合欧盟RoHS 2.0 无铅标准
•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
PJW5P06A P沟道增强型MOSFET机械数据：
•外壳：SOT-223封装
•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
•重量约：0.043盎司，0.123克
表1 最大额定值
表2 电气特性
表3 订购信息
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