【产品】-60V/-5A P沟道增强型MOSFET PJW5P06A，反向传输电容低至47pF
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了SOT-223封装的PJW5P06A（-60V/-5A）P沟道增强型MOSFET。
图1 实物图和内部结构图
PJW5P06A P沟道增强型MOSFET特点：
•RDS(ON), VGS@-10V, ID@-5A<68mΩ
•RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-3A<85mΩ
•开关速度快
•改进的dv/dt能力
•栅极电荷低
•反向传输电容低
•符合欧盟RoHS 2.0 无铅标准
•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
PJW5P06A P沟道增强型MOSFET机械数据：
•外壳：SOT-223封装
•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
•重量约：0.043盎司，0.123克
表1 最大额定值
表2 电气特性
表3 订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由民工翻译自PANJIT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】采用DFN3333-8L封装的P沟道增强型MOSFETPJQ4407P，符合IEC 61249标准
PANJIT（强茂）推出了PJQ4407P为P沟道增强型MOSFET。采用DFN3333-8L封装，其中漏-源电压最大额定值为-30V，连续漏极电流最大额定值为-30A。
【产品】-40V/-3.1A SOT-23封装P沟道增强型MOSFET PJA3441-AU
PANJIT（强茂）推出的PJA3441-AU 为P沟道增强型MOSFET。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-3.1A。
【产品】30V/35A P沟道增强型MOSFET PJQ4403P
PANJIT(强茂)推出了DFN3333-8L封装的PJQ4403P（-30V/-35A）P沟道增强型MOSFET。开关速度快，栅极电荷低，符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
强茂（PANJIT）MOSFET选型表
提供强茂电子低压MOSFET/中压MOSFET/小信号MOSFET等产品，覆盖漏源电压20V/30V/40V ，N沟道低压MOSFET，-20V/-30V/-40V P沟道低压MOSFET ,-60至100V中压MOSFET/小信号MOSFET ,包括Single/Dual/Comple等，涵盖SOT、DFN、TO等主流贴片与插件封装。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
Polarity
|
Config.
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
|
RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
|
RDS(on) Max.(mΩ)10V
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ.(nC)10V
|
|
PJA3403_R1_00001
|
低压MOS
|
SOT-23
|
P
|
Single
|
-30V
|
12V
|
-3.1A
|
165mΩ
|
114mΩ
|
98mΩ
|
443pF
|
-1.3V
|
11nc
|
选型表 - PANJIT 立即选型
【产品】-60V/-16A P沟道增强型MOSFET PJD16P06A，采用TO-252AA封装
PANJIT(强茂)推出了TO-252AA封装的PJD16P06A（-60V/-16A）P沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
【产品】DFN3333-8L封装的-60V/-16A P沟道增强型MOSFET PJQ4465AP
PANJIT(强茂)推出了DFN3333-8L封装的PJQ4465AP（-60V/-16A）P沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
【产品】采用TO-252AA封装的-40V/-50A P沟道增强型MOSFET-PJD50P04，反向传输电容139pF
PANJIT（强茂）推出了PJD50P04为P沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-50A。具有开关速度快、栅极电荷低的特点，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
PJC7407 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Data sheet
型号- PJC7407_R1_00001,PJC7407_R2_00001,PJC7407
【经验】 P沟道增强型MOSFET PJD16P06A-AU在电源开关中的设计使用
电源开关一般可分为机械式和电子，由于MOS FET可允许通过大电流，而且控制简单成本较低广泛应用于电子开关中。笔者公司开发的一款产品A在电源输入端的控制就选用了强茂PANJIT的P沟道增强型MOSFET PJD16P06A-AU。本文主要介绍一些在使用的过程中的设计使用经验。
【产品】-40V/-44A P沟道增强型MOSFET PJQ4441P-AU，采用DFN3333-8L封装
PANJIT（强茂）推出了PJQ4441P-AU为P沟道增强型MOSFET。采用DFN3333-8L封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-44A。采用先进的沟槽技术，高密度单元设计，超低的导通电阻，符合AEC-Q101标准。
电子商城
品牌：PANJIT
品类：Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3210
现货： 5,965
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.5820
现货： 3,000
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.5650
现货： 2,980
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.5312
现货： 2,446
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.5424
现货： 1,950
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.4464
现货： 1,600
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.1752
现货： 188
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.0396
现货： 100
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.7628
现货： 100
现货市场
品牌：PANJIT
品类：Ultra Low Capacitance TVS/ESD Protection
价格：￥0.1994
现货：181,927
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论