UMS宣布其0.25µm GaN（GH25）Pathwave ADS PDK支持新的电气和热设计功能
2020年1月29日-UMS宣布其0.25µm GaN（GH25）Pathwave ADS PDK支持新的电气和热设计功能。此新功能不仅包括在GH25 GaN PDK中，而且还包含在UMS PPH15X-20 GaAs功率pHEMT PDK中。
图1 产品示意图
大功率放大器的封装设计是一项具有挑战性的工作。GaAs和GaN器件将耗散功率集中在很小的面积上。根据连续或脉冲使用条件，以及所使用的不同材料和封装制程，器件温升有所差别。此外，晶体管内部的温度会影响其特性和性能；ADS将热仿真与电气仿真相结合，可以对器件的电热性能进行全面而完整的分析，并可以优化其封装内的MMIC。从RF GaN器件中获取最佳性能是一种合适的设计方法。
客户可以通过设定自己封装解决方案的热参数来进行系统的电热仿真。ADS提供了一种简便的方法来简化结温的计算，这是MMIC设计评估的关键步骤。得益于与Keysight专家和开发团队的紧密合作，UMS的PDK中可以获取热数据。对于UMS而言，与Keysight的这种合作关系十分重要，通过定期对MMIC设计工具进行创新升级，有助于提高客户的满意度。
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