【产品】200V/14A/22mΩ的eGaN FET EPC2207,Qg典型值仅4.5nC
氮化镓具有极高的电子迁移率和较低的温度系数,因此RDS(on)极低。EPC(宜普电源转换公司)是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商,其EPC2207是增强型氮化镓功率晶体管,符合RoHS标准、无铅、无卤素。EPC2207 eGaN FET仅以钝化模具形式提供焊料凸点, 模具尺寸:2.9x0.9毫米,具有效率高,无反向恢复、超低QG以及占板面积小等优点。该器件实物如图1所示,可用于直流-直流转换器、无刷直流电机驱动、AC/DC和DC-DC同步整流、多电平交流/直流电源、无线电力、太阳能微型逆变器、机器人以及D类音频等运用。
图1 EPC2207的产品示意图
图2 最大额定值
图3 热特性
静态特性方面,栅极阈值电压VGS(TH)典型值为1.1V(VDS = VGS, ID = 2 mA),漏源导通电阻RDS(on)最大值为22mΩ(VGS = 5 V, ID = 14 A);动态特性方面,总栅极电荷QG的典型值为4.5nC(VDS = 100 V, VGS = 5 V, ID = 14 A),源极-漏极恢复电荷QRR为零。
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
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产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
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型号- EPC2023
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.6384
现货: 2,417
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.9251
现货: 2,357
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥10.5122
现货: 1,620
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.4342
现货: 485
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.9121
现货: 465
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.2431
现货: 401
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.6254
现货: 347
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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