【产品】200V/14A/22mΩ的eGaN FET EPC2207,Qg典型值仅4.5nC

2020-08-26 EPC
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氮化镓具有极高的电子迁移率和较低的温度系数,因此RDS(on)极低。EPC(宜普电源转换公司)是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商,其EPC2207增强型氮化镓功率晶体管,符合RoHS标准、无铅、无卤素。EPC2207 eGaN FET仅以钝化模具形式提供焊料凸点, 模具尺寸:2.9x0.9毫米,具有效率高,无反向恢复、超低QG以及占板面积小等优点。该器件实物如图1所示,可用于直流-直流转换器、无刷直流电机驱动、AC/DC和DC-DC同步整流、多电平交流/直流电源、无线电力、太阳能微型逆变器、机器人以及D类音频等运用。

图1 EPC2207的产品示意图

图2  最大额定值

图3  热特性

静态特性方面,栅极阈值电压VGS(TH)典型值为1.1V(VDS = VGS, ID = 2 mA),漏源导通电阻RDS(on)最大值为22mΩ(VGS = 5 V,  ID = 14 A);动态特性方面,总栅极电荷QG的典型值为4.5nC(VDS = 100 V, VGS = 5 V, ID = 14 A),源极-漏极恢复电荷QRR为零。


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  • 薛雨 Lv8. 研究员 2020-09-27
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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

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型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033

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产品型号
品类
最大耐压(V)
持续电流(A)
导通阻抗(mΩ)
导通电荷(nC)
峰值电流(A)
封装(mm)
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
15V
3.4A
30mΩ
0.745nC
28A
BGA 0.85 mm*1.2mm

选型表  -  EPC 立即选型

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型号- EPC2023

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品类:Power Transistor

价格:¥13.3094

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品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

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品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

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品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

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品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

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品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

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实验室地址: 深圳 提交需求>

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