【产品】100V/5A互补硅功率达林顿晶体管，专为低速开关和放大器应用
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商，Central推出的CZT122，CZT127器件是采用表面贴装封装制造的互补型硅功率达林顿晶体管，专为低速开关和放大器应用而设计。CZT122，CZT127的实物如图1所示，具有耐压高、持续工作电流大、增益高、低功耗以及饱和压降低等特点。
图1 CZT122，CZT127互补硅功率达林顿晶体管产品示意图
CZT122为NPN硅功率达林顿晶体管，而CZT127为PNP硅功率达林顿晶体管。在工作温度为25℃时，CZT122，CZT127的集电极-基极电压和集电极-发射极电压最大额定值均为100V，发射极-基极电压的最大额定值均为5.0V，具备较高的耐压能力。CZT122，CZT127的集电极持续工作电流最大额定值可达5.0A，集电极峰值工作电流最大额定值为8.0A，基极持续工作电流最大额定值为120mA。它们的存储和工作温度范围为-65~150℃，较宽的工作温度范围使其能够适应较为恶劣的工业温度环境，满足大部分应用对于环境温度的需求，保证器件稳定性。CZT122，CZT127的功耗最大额定值为2W，具有低功耗的优势，可以满足低功耗器件的设计要求。它们的热阻为62.5℃/W，热传导性能较好，散热性能佳，在恶劣环境下也能够正常运行。
CZT122，CZT127在工作温度为25℃的环境下，当VCE=50V时，其集电极-发射极电流最大值为500μA。它们的集电极-发射极击穿电压BVCEO在IC为30mA的条件下，最小值为100V。CZT122，CZT127的集电极-发射极饱和压降在IC=5.0A，IB=20mA的条件下，最大值均为4.0V。它们的增益系数hFE最小值均为1000。CZT122， CZT127的输出电容Cob在VCB=10V, IE=0，f=1.0MHz的条件下，最大值分别为200/300pF。它们的特征频率在VCE=4.0V, IC=3.0A，f=1.0MHz的条件下，最小值为4.0MHz。
图2 CZT122，CZT127互补硅功率达林顿晶体管的轮廓及尺寸图
CZT122，CZT127互补硅功率达林顿晶体管突出特点与优势
·集电极-发射极电压最大额定值均为100V
·发射极-基极电压的最大额定值均为5.0V
·集电极持续工作电流最大额定值为5.0A
·工作和存储温度范围为-65至+150°C
·功耗最大额定值为2W
·饱和压降VCE(SAT)最大值为4.0V(IC=5.0A，IB=20mA)
·特征频率最小值为4.0MHz
·输出电容COB最大值分别为200/300pF
·采用SOT-223表面贴装封装
CZT122，CZT127互补硅功率达林顿晶体管主要运用领域
·低速开关和放大器应用
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