【产品】TO-252塑封封装的无卤N沟道MOS场效应管BRD4N65，VDSS值650V

时间： 2023-01-14 来源：蓝箭电子

技术问答

蓝箭电子推出的TO-252塑封封装N沟道MOS场效应管 BRD4N65，具有低栅电荷、低反馈电容、开关速度快的特征。该器件适用于适配器和充电器的功率开关电路，其V_DSS值650V，I_D(Tc=25℃)值为4.0A，T_j和T_stg温度范围为-55～150℃，无卤产品。

特征：

低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。无卤产品。

用途：

该器件适用于适配器和充电器的功率开关电路

极限参数（Ta=25℃）

电性能参数（Ta=25℃）

外形尺寸图：

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