【产品】容量为4G的DDR3 SDRAM，数据传输快速又稳定
ALLIANCE推出了两款容量均为4Gb的第三代双倍数据率（DDR3）同步动态随机存取存储器（SDRAM）——AS4C256M16D3A-12BCN和AS4C512M8D3A-12BAN。该DDR3存储器系列内部配有8个存储块，并采用最新的双倍数据速率架构以实现高速数据读写操作，在普通应用中的最高读写速率可达1866Mb/sec/pin，可被广泛应用于医疗、工业、汽车和电信等领域。
AS4C256M16D3A-12BCN的内部组织形式为32Mbit×16I/Os×8bank，AS4C512M8D3A-12BAN的内部组织形式为64Mbit×8I/Os×8bank。 这两款存储器都与DDR3 DRAM的关键特性兼容，所有控制和地址输入的同步均由一对外部差分时钟来实现。 同时，在差分时钟（CK上升沿和CK#下降沿）的交叉点处锁存输入信号。该DDR3类系列存储器符合JEDEC标准要求，采用1.5V电压供电，最快时钟频率为800MHz， 并符合JEDEC时钟抖动规范，有效地保障了数据传输的稳定性。
AS4C256M16D3A-12BCN和AS4C512M8D3A-12BAN均具有自动刷新和自我更新功能，可编程突发长度为4和8，所有I/O以源同步方式与差分DQS对进行同步。AS4C256M16D3A-12BCN采用96球的FBGA封装，封装尺寸仅为9mm×13mm×1.0mm，AS4C512M8D3A-12BAN采用78球的FBGA封装，封装尺寸仅为9mm×10.5mm×1.0mm ，这两款存储器均与RoHS兼容，不含铅和卤素。
主要特性：
• JEDEC标准兼容
• 电源电压：+1.5V±0.075V
• 完全同步操作
• 符合JEDEC时钟抖动要求
• 管线式内部架构
• 支持自动刷新和自我更新
• 支持动态ODT
• 符合RoHS要求
• 可编程模式和扩展模式寄存器
• 差分时钟：CK&CK#
• 双向单/差分数据选通：DQS和DQS＃
• 预充电和主动断电
• 最快时钟频率：800MHz
相关技术文档：
Alliance AS4C256M16D3A-12BCN DDR3 数据手册 详情>>>
Alliance AS4C256M16D3A-12BCN IBIS模型源程序文件 详情>>>
Alliance AS4C256M16D3A-12BCN可靠性报告 详情>>>
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产品型号
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品类
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Product Family
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DENSITY
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ORGANISATION
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VCC(V)
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TEMPERATURE RANGE(°C)
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PACKAGE
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MSL LEVEL
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AS7C164A-15JCN
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存储器
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FAST-Asynch
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64K Fast
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8K x 8
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5V
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Commercial (0 ~ 70°C)
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28pin SOJ(300mil)
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3
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