【选型】国产P沟道功率MOSFET PJQ2815可Pin-Pin替代VISHAY的SiA923EDJ

2020-04-11 PANJIT
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某客户在光模块中选用了VISHAY公司的MOS管SiA923EDJ,不过因供货周期和价格压力,该客户需要选择一款低成本、供货交期好的替代产品,本文重点推荐强茂(PANJIT)的P沟道功率MOSFET PJQ2815可Pin-Pin替代SiA923EDJ,典型电性参数对比参考如下图1所示。


图1  PJQ2815与SiA923EDJ典型电性参数对照表


通过如上图示易知:   

1、PJQ2815和SIA923EDJ的电性能参数非常接近,可以替换。

2、虽然二者封装命名不同,但尺寸一致,典型内部结构和引脚定义参考如下图2所示。


图2  PJQ2815与SiA923EDJ内部结构及引脚定义


通过如上图示易知:

二者内部功能及引脚定义完全一致,可实现兼容设计,无需更改任何外部电路。

 

另外,强茂的MOS管PJQ2815具有更低的成本和更好的供货周期,可快速支持样品和后续量产服务。

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产品型号
品类
封装
Polarity
Config.
VDS(V)
VGS(V)
ID(A)
RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
RDS(on) Max.(mΩ)10V
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ.(nC)10V
PJA3403_R1_00001
低压MOS
SOT-23
P
Single
-30V
12V
-3.1A
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11nc

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产品型号
品类
Package
Product Status
Replacement Part
AEC-Q101 Qualified
ESD
Polarity
Config.
VDS(V)
VGS(±V)
ID(A)
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ. (nC)(10V)
Qg Typ. (nC)(4.5V)
PJQ5542V-AU
Low Voltage MOSFET
DFN5060-8L
New Product
-
AEC-Q101 Qualified
-
N
Single
40
20
136
3
-
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-
-
3050
3.5
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品类:集成电路

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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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