【选型】国产P沟道功率MOSFET PJQ2815可Pin-Pin替代VISHAY的SiA923EDJ
某客户在光模块中选用了VISHAY公司的MOS管SiA923EDJ,不过因供货周期和价格压力,该客户需要选择一款低成本、供货交期好的替代产品,本文重点推荐强茂(PANJIT)的P沟道功率MOSFET PJQ2815可Pin-Pin替代SiA923EDJ,典型电性参数对比参考如下图1所示。
图1 PJQ2815与SiA923EDJ典型电性参数对照表
通过如上图示易知:
1、PJQ2815和SIA923EDJ的电性能参数非常接近,可以替换。
2、虽然二者封装命名不同,但尺寸一致,典型内部结构和引脚定义参考如下图2所示。
图2 PJQ2815与SiA923EDJ内部结构及引脚定义
通过如上图示易知:
二者内部功能及引脚定义完全一致,可实现兼容设计,无需更改任何外部电路。
另外,强茂的MOS管PJQ2815具有更低的成本和更好的供货周期,可快速支持样品和后续量产服务。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由一米阳光提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【选型】国产双P沟道MOSFET PJQ2815可Pin-Pin替代SiA975DJ,栅源极内置ESD保护
某客户在光模块中选用了VISHAY公司的双P沟道MOSFET SiA975DJ,不过因供货周期和价格压力需要选择一款低成本、供货交期好的替代产品,本文重点推荐国产强茂(PANJIT)的PJQ2815可Pin-Pin替代SiA975DJ,栅源极内置ESD保护,具有抗静电和电压尖峰能力。
强茂(PANJIT)MOSFET选型表
提供强茂电子低压MOSFET/中压MOSFET/小信号MOSFET等产品,覆盖漏源电压20V/30V/40V ,N沟道低压MOSFET,-20V/-30V/-40V P沟道低压MOSFET ,-60至100V中压MOSFET/小信号MOSFET ,包括Single/Dual/Comple等,涵盖SOT、DFN、TO等主流贴片与插件封装。
产品型号
|
品类
|
封装
|
Polarity
|
Config.
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
|
RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
|
RDS(on) Max.(mΩ)10V
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ.(nC)10V
|
PJA3403_R1_00001
|
低压MOS
|
SOT-23
|
P
|
Single
|
-30V
|
12V
|
-3.1A
|
165mΩ
|
114mΩ
|
98mΩ
|
443pF
|
-1.3V
|
11nc
|
选型表 - PANJIT 立即选型
强茂(PANJIT)Low Voltage MOSFET选型表
强茂(PANJIT)提供以下参数选型:VDS(V):-40~40,VGS(±V):8-20,ID(A):-100~136,RDS(on) Max. (Ω)(10V):1.6~160等。强茂开发一系列不同封装的低压MOSFET产品,适用于笔记型电脑,平板电脑,主机板等3C产品均会使用到此类型产品;采沟槽式(Trench)结构与封装技术相结合实现低导通电阻提升产品性能。
产品型号
|
品类
|
Package
|
Product Status
|
Replacement Part
|
AEC-Q101 Qualified
|
ESD
|
Polarity
|
Config.
|
VDS(V)
|
VGS(±V)
|
ID(A)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ. (nC)(10V)
|
Qg Typ. (nC)(4.5V)
|
PJQ5542V-AU
|
Low Voltage MOSFET
|
DFN5060-8L
|
New Product
|
-
|
AEC-Q101 Qualified
|
-
|
N
|
Single
|
40
|
20
|
136
|
3
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
3050
|
3.5
|
43
|
-
|
选型表 - PANJIT 立即选型
双芯片P沟道功率MOSFET AKF20P45D导通电阻低至35mΩ,提供高达2500V的ESD保护能力
成都方舟微电子最近又推出新款器件双芯片 20V P 沟道功率MOSFET—AKF20P45D。新器件采用紧凑的 DFN2X2 封装,不仅有优秀的散热能力,还具有业界最低的导通电阻:在 4.5V 栅源电压下提供35mΩ 超低导通电阻。同时该器件还有非常高的可靠性,能达到至少2500V 的 ESD 保护能力。
PJQ2815 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
描述- 该资料介绍了PPJQ2815这款20V P-Channel增强型MOSFET的特性。它具有低导通电阻、适用于开关负载和PWM应用等特点,并符合欧盟RoHS指令和环境标准。资料提供了详细的电气参数、典型特性曲线和应用信息。
型号- PJQ2815_R1_00001,PJQ2815
双P沟道20v(D-S)MOSFET SiA923EDJ
描述- 该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的SiA923EDJ型号双通道20V P-Channel MOSFET。资料涵盖了产品的特性、规格、应用领域以及封装信息。
型号- SIA923EDJ
P沟道mosfet
描述- 该资料介绍了多种类型的功率MOSFET产品及其应用。内容包括不同电压等级(从-200V到800V)的MOSFET,涵盖了低导通电阻、高效率、小型封装等特点。此外,还提到了适用于电池、笔记本、平板电脑、游戏机、消费电子设备、电信设备和工业应用的特定型号和系列。资料强调了产品的优化设计以降低功耗和提高能效。
型号- SIA468DJ,SIZF906DT,SIZ998DT,SIR626DP,SI8851EDB,SIA467EDJ,SIZ328DT,SIZ926DT,SUG90090E,SISS02DN,SIZ980DT,SUP90142E,SIZF914DT,SIZ988DT,SIZF916DT,SIZF918DT,SI7155DP,SISS22LDN,SUG80050E,SIZ340DT,SISA01DN,SIZ322DT,SIZ342DT,SIZ320DT,SIA437DJ,SUM70101EL
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论