【产品】国产低功耗高效率肖特基势垒整流二极管1N5817W，1N5818W和1N5819W
高特半导体有限公司是一家专注于线路保护类器件和绿色能源方案的设计研发、生产及营销与一体的国家高新技术企业。产品涵盖ESD/TVS防护器件，极快恢复二极管，低正向压降肖特基二极管等产品，广泛应用于汽车电子，网络通讯，安防工控，智能终端及消费类电子产品等领域。
1N5817W，1N5818W和1N5819W是高特半导体公司生产的肖特基势垒整流二极管，采用金属硅结，多数载流子传导，都采用了SOD-123FL封装，存储和操作结温范围为-55℃~125℃，符合大多数应用环境，主要用于低压，高频逆变器，续流和极性保护等方面。
图一 1N5817W，1N5818W和1N5819W实物图
图二 1N5817W，1N5818W和1N5819W尺寸图
三者具有相同的最大平均正向整流电流为1A，具有高电流应用能力；最大正向浪涌电流为25A，器件可靠性高；最大瞬时反向电流为1mA（TA=25℃），10mA（TA=100℃）。1N5817W，1N5818W和1N5819W的最大重复峰值反向电压分别为20V，30V，40V；最大直流阻断电压分别为20V，30V，40V，提供了过压保护；正向电流为1A时的最大瞬时正向电压分别为0.45V，0.55V，0.6V，正向导通电压低，功耗低。
1N5817W，1N5818W和1N5819W肖特基势垒整流二极管的特点：
•金属硅结，多数载流子传导
•提供过压保护
•低功耗，高效率
•高电流能力
•低正向电压
•高抗浪涌能力
1N5817W，1N5818W和1N5819W肖特基势垒整流二极管的应用：
•低压，高频逆变器
•续流二极管
•极性保护二极管
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型号- JSPD1140A-CO
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产品型号
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品类
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封装
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IO(A)
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VRRM(V)
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IFSM(A)
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VF(V)
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IF(A)
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IR(μA)
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VR(V)
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1N5819W
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Schottky Barrier Rectifiers
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SOD-123FL
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1A
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40V
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25A
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0.6V
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1A
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1μA
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40V
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选型表 - 高特 立即选型
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品类
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VRRM(V)
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IFSM(A)
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VF(V)
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VF IF(A)
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IR(mA)
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IR VR(V)
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Trr(ns)
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Package
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DS12W
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Schottky Diode
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1
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20
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40
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0.55
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1
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0.3
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20
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-
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SOD-123FL
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选型表 - 高特 立即选型
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