【产品】DDR3同步DRAM(SDRAM)AS4C32M16D3-12BIN,AS4C32M16D3-12BCN

2020-07-05 Alliance
DDR3,同步DRAM,SDRAM,AS4C32M16D3-12BCN DDR3,同步DRAM,SDRAM,AS4C32M16D3-12BCN DDR3,同步DRAM,SDRAM,AS4C32M16D3-12BCN DDR3,同步DRAM,SDRAM,AS4C32M16D3-12BCN

ALLIANCE Memory推出的DDR3同步DRAMSDRAMAS4C32M16D3-12BINAS4C32M16D3-12BCN,总容量可达512Mb,由8组DRAM内存构成,结构为4Mbit x 16 I/Os x 8 bank。该芯片采用双倍数据速率架构,可实现高速运行,对于一般应用,其可实现高达1866 Mb / sec / pin的高速双数据传输速率。该产品96ball FBGA 封装。

该芯片的设计符合所有关键的DDR3L DRAM主要特性,所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点(CK上升和CK#下降)。所有I / O都以源同步方式与差分DQS对同步。该产品采用1.5V±0.075V单电源供电,采用BGA封装。


特点

•符合JEDEC标准
•电源:VDD和VDDQ=+1.5V±0.075V
•工作温度:
   -商业级:TC=0~95°C
   -工业级:TC=-40~95°C
•支持JEDEC时钟抖动规范
•完全同步操作

•快速时钟频率:800MHz
•差分时钟,CK和CK#

•双向差分数据选通
  -DQS和DQS
•8个内部bank并行运行
•8n位预取架构
•内部流水线架构

•预充电和主动断电

•可编程模式和扩展模式寄存器
•附加延迟(AL):0,CL-1,CL-2
•可编程突发长度:4,8
•突发类型:顺序/交错

•输出驱动器阻抗控制
•平均刷新周期
  -8192个刷新周期/64ms (7.8us at -40°C ≦ TC ≦ +85°C)

  -8192个刷新周期/32ms (3.9us at +85°C ≦ TC ≦ +95°C)
•写入均衡
•ZQ校准
•动态ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR) 
•符合RoHS标准
•自动刷新和自刷新
•96-ball 8 x 13 x 1.0mm FBGA封装

  -无铅无卤素


订购信息


速度等级信息





授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • 真大虫无双 Lv8. 研究员 2020-07-05
    Mark~
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产品型号
品类
Product Family
DENSITY
ORGANISATION
VCC(V)
TEMPERATURE RANGE(°C)
PACKAGE
MSL LEVEL
AS7C164A-15JCN
存储器
FAST-Asynch
64K Fast
8K x 8
5V
Commercial (0 ~ 70°C)
28pin SOJ(300mil)
3

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