【应用】中电国基南方650V SiC SBD WS3A006065A助力通信电源PFC电路高效率设计
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在传统的离线AC-DC通讯电源应用中,AC输入可视为一个大的感性负载,会使得功率因数原低于1。采用PFC电路改善AC输入的功率因数,使其满足法规要求,主要拓扑结构如下图1所示。但是在实际应用时,普通硅二极管比较大的反向恢复电荷会造成在升压二极管处的反向损耗较高。同时,反向恢复电流在开通时会进一步灌入MOSFET,导致增加MOSFET的开通损耗,因此若想提高整机效率,建议采用SiC SBD作为PFC升压二极管。
图1:PFC电路拓扑
中电国基南方(CETC)的SiC SBD品类丰富,其中650V 型号WS3A006065A在PFC电路应用非常广泛。其拥有零反向恢复电流和零正向恢复电压,基本没有开关损耗,可进一步提高系统效率。普通硅二极管的反向恢复时间随温度升高而变大,而WS3A006065A则有与温度无关的开关特性,因此具有较强的温度稳定性。除此以外,高达175℃工作节温使WS3A006065A有更出色的高温性能,确保系统可靠性。以下为WS3A006065A的电性能参数表格:
除了WS3A006065A外,中电国基南方(CETC)650V SiC SBD还有多种型号可供选择,电流有2A-30A,封装有TO-252、TO-263-2、TO-220FM、TO-247-2L等。另外,作为国产SiC厂商,其产品价格和供货交期相比国外品牌,更有优势。
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【选型】中电国基南方SiC电力电子器件(SiC MOSFET/SiC SBD)选型指南(英文)
Company profile SIC MOSFET/SIC SBD Introduction SIC MOSFET SIC SBD
中电国基南方 - SIC SBD,SIC场效应晶体管,SIC晶圆,SIC SBD,SIC MOSFET,SIC WAFER,SIC MOSFET,SIC备用电池,肖特基二极管,SCHOTTKY DIODE,WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K,BUCK CONVERTERS,巴克变换器,DC/DC CONVERTERS,全氟化碳,DC/DC变换器,CHIP MANUFACTURING,PFC,BI-DIRECTIONAL CONVERTERS,双向变换器
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SiC 电力电子器件产品简册
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请帮忙推荐一颗sic的肖特基二级管,应用在电源模块中,600V耐压,25A整流电流,结温需要17℃,封装为TO-247-3封装,请帮忙推荐。
推荐中电国基南方的SIC 肖特基二极管 WS3A020065K,耐压650V,整流电流26A,结温175℃,封装为TO-247-3封装。 详情请查看数据手册:https://www.sekorm.com/doc/1987045.html。
【选型】中电国基南方SiC SBD裸芯片/二级管选型指南
SiC SBD裸芯片 三代650V二级管 三代1200V二级管 三代1700V二级管/一代2000V二级管
中电国基南方 - 二级管,SIC SBD裸芯片,三代1200V二级管,三代650V二级管,三代1700V二级管,一代2000V二级管,WS3A003065E,WS3A003065B,WS3A003065A,WS3A050120D,WS3A050120B,WS3A015065F,WS3A015065J,WS3A010170D,WS3A010170B,WS3A003065J,WS3A030120B,WS3A008120E,WS3A008120A,WS3A008120B,WS3A030120K,WS3A030120D,WS3A008120J,WS3A060120K,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A003120B,WS3A005120E,WS1A030330B,WS3A003120E,WS3A020120J,WS1A025170B,WS3A020120D,WS3A020120B,WS3A020120A,WS3A010065J,WS2A015120B,WS3A016120K,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A005120B,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A012065J,WS3A003120J,WS3A012065K,WS3A008065A,WS3A008065B,WS3A008065J,WS3A004065A,WS3A004065B,WS3A012065F,WS3A005170D,WS3A012065D,WS3A012065E,NSD10220B,WS3A012065B,WS3A005170B,WS3A012065A,WS3A020065J,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A020065B,WS3A006065E,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A002065B,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WS3A015120B,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS2A040120B,WS3A010065E,WS3A010065B,WS3A002065J,WS3A015170B,WS3A006065A,WS3A006065B,WS3A015170D,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS3A010065A,WS3A020065K,WS3A012120K,WS3A004065J,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WS3A050170D,WS1A050065B,WS3A050170B,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120B,WS3A015065B,WS3A002120E,WS3A015065A,WS3A006120J,WS3A015065D,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WS3A010120B,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WS3A006120B,WS3A040120K,WS3A010120A,WS3A030065A,WS3A030065B,WS3A030065J,WS3A030065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K
中电国基南方二极管参数对照表
提供中电国基南方二极管对照选型,覆盖电压650V~2000V,正向电流2A-60A,漏电流低至0.2uA
产品型号
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品类
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Package
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DC Blocking Voltage VR(V)
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Average Forward Current IF(A)
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Forward Voltage VF(TJ =25℃) (V) (Typ.)
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Reverse Current IR(TJ =25℃) (μA) (Typ.)
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Maximum Junction Temperature TJ(MAX) (℃)
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Non- Repetitive Peak Forward Surge Current IFSM(A)
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WS3A002065A
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二极管
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TO-220C- 2L
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650
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2
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1.4
|
0.5
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175
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20
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选型表 - 中电国基南方 立即选型
中电国基南方G3 650V SiC SBD选型表
提供中电国基南方650V SiC SBD选型,IF:2A~60A,IFSM:18A~250A,最高耐温175℃
产品型号
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品类
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Package
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VR(V)
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IF(A)
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VF(TJ =25℃) (V)
(Typ.)
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IR(TJ =25℃) (μA)
(Typ.)
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TJ(MAX) (℃)
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IFSM (A)
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WS3A002065A
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SiC SBD
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TO-220C-2L
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650
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2
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1.4
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0.5
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175
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20
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选型表 - 中电国基南方 立即选型
中电国基南方率先实现碳化硅产品批量应用,赢得电力电子器件发展先机
近年来,中电国基南方(以下简称国基南方)积极融入数字经济建设,发挥第三代半导体技术优势,瞄准重点数字产业,增强产业链关键环节竞争力,氮化镓技术产品保障新型装备、5G通信需求,2022年再次率先在碳化硅领域取得突破性进展,SiC MOSFET等碳化器件实现批量产用。
中电国基南方SiC肖特基二极管应用手册
本资料主要讲解了以下内容:(1)SiC半导体的材料特性、优点;(2)SiC肖特基二极管特性;(3)SiC SBD产品系列介绍、可靠性测试报告;(4)SiC的应用和优势示例应用优势。
中电国基南方 - SIC SBD,SIC肖特基势垒二极管,SIC肖特基二极管,碳化硅二极管,SIC备用电池,WS3A003065E,WS3A003065B,WS3A003065A,WS3A015065F,WS3A015065J,WS3A010170D,WS3A010170B,WS3A003065J,WS3A008120E,WS3A008120A,WS3A008120B,WS3A030120K,WS3A008120J,WSXAXXXXXX0,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A003120B,WS3A005120E,WS1A030330B,WS3A003120E,WS3A020120J,WS1A025170B,WS3A020120D,WS3A020120B,WS3A020120A,WS3A010065J,WS2A015120B,WS2A015120D,WS2A015120A,WS3A016120K,WS1A025170D,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A005120B,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A012065J,WS3A003120J,WS3A012065K,WS3A008065A,WS3A008065B,WS2A030120K,WS3A008065J,WS3A004065A,WS3A004065B,WS3A012065F,WS3A005170D,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A012065B,NSD10220B,WS3A005170B,WS3A012065A,WS3A020065J,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A020065B,WS3A006065E,WS3A020065A,WS3A006065F,WS3A002065B,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WS3A015120B,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A015120D,WS3A002065F,WS3A002065E,WS3A010065D,WS2A040120B,WS3A010065E,WS3A010065B,WS3A002065J,WS3A015170B,WS2A040120D,WS3A006065A,WS3A006065B,WS3A015170D,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS3A010065A,WS3A020065K,WS3A012120K,WS3A004065J,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WS1A050065D,WS1A050065B,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120B,WS3A015065B,WS3A002120E,WS3A015065A,WS3A006120J,WS3A015065D,WS3A010120D,WS3A010120E,WS3A015120E,WS3A002120J,WS3A010120B,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WS3A006120B,WS3A040120K,WS3A010120A,WS3A030065A,WS3A030065B,WS3A030065J,WS3A030065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K,车载OBC,大功率LED灯,比特币矿机,服务器电源,车载DC-DC,充电桩,DC/DC变换器,电动汽车,光伏逆变器,光伏,电机逆变器,功率因数校正(PFC)电路
【产品】中电国基南方推出碳化硅肖特基二极管WS3A005120E,反向重复峰值电压高达1200V
中电国基南方(CETC)研发的高压大功率SiC电力电子器件关键技术被评为“第十三届中国半导体创新产品和技术”。中电国基南方公司推出碳化硅肖特基二极管WS3A005120E,采用TO-252封装,反向重复峰值电压高达1200V,满足RoHS要求。
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可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
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可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
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