【产品】适用于DDR4 RDIMM和LRDIMM的完整芯片组，包含DDR4寄存时钟驱动器、数据缓冲器及温度传感器

时间： 2019-05-16 来源：IDT（Renesas收购）

IDT（RENESAS收购）拥有业界最广泛的产品系列，是唯一能够为企业级服务器存储器模块提供完整 DDR4 及 DDR3 芯片组解决方案的公司。

IDT 的 DDR4 寄存时钟驱动器、数据缓冲器及温度传感器组成了业界首款适用于 DDR4 寄存双列直插存储器模块 (RDIMM) 和低负载双列直插存储器模块 (LRDIMM) 的完整芯片组。随着 DDR4 的数据传输速率攀升至 3.2 Gb/s 乃至更高，RDIMM 和 LRDIMM 卓越的速度可扩展存储器技术具备毋庸置疑的优势，这有望在广泛的存储器密集型计算与存储应用领域进一步提高普及率。

IDT DDR4 寄存时钟驱动器 (4RCD0124) 和数据缓冲器 (4DB0226) 可通过高度灵活的 I/O 控制、定时与电压校准及控制寄存器的可编程性，在 JEDEC ® 定义的所有 DDR4 LRDIMM 和 RDIMM 拓扑中以更高的密度实现更快的数据速率。可将 DIMM 拓扑配置和DRAM 信息存储在 IDT 的温度传感器 EEPROM (TSE2004) 中。

随各代 DDR 产品的成功推出，IDT 器件在存储器接口芯片组技术上积累了深厚的知识，能够提供可靠的性能。

IDT的DDR4产品：

1、寄存器

• 同时用于 RDIMM 与 LRDIMM

• 与 4DB0226 配对，支持 LRDIMM

• 32 位 1:2 指令／地址寄存器

• 1.2 V Vdd 工作电压

• 支持多达 4 组封装队列和可提供原生3DS 支持的 8 组逻辑队列

• 高级 I/O 启用控制

• 可为数据缓冲控制提供全速 BCOM 总线

• 自动阻抗校准

• 全新 DDR4 低功耗协议

• 命令／地址奇偶校验检测

• 控制寄存器 RCW 回读

• 1 MHz I2C 总线

2、数据缓冲器

• 与 4RCD0124 配对，支持 LRDIMM

• 两个支持差分数据选通的 4 位双向数据寄存器

• 1.2 V Vdd 工作电压

• 自动阻抗校准

• BCOM 奇偶校验检测

• 控制寄存器 BCW 回读

3、温度传感器 + EEPROM

• 用于 UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM

• 仅为 ±0.5℃的温度精度误差

• 512 字节 EEPROM 用于厂商信息

• 1 MHz I2C 总线

IDT的DDR4产品优势：

• 所有器件均符合 JEDEC® 标准，同时满足针对高可靠性与应用合规性的严格要求

• 与 DDR3 相比，DDR4 可将功耗降低多达 35%

• 支持大字节 DIMM 存储器

• 奇偶校验和 CRC 可提高数据错误恢复率

• 更高的调试与系统裕量

IDT的DDR4产品的应用：

需要在更高数据速率及最低功耗下提供更深存储器的应用，包括企业级服务器、数据中心、工作站、存储设备以及通信等。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由宝丁转载自IDT（Renesas收购），原文标题为:服务器存储器接口芯片组的领导者，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】瑞萨电子新推出支持工业温度级DDR5和DDR4的寄存时钟驱动器,可带来2倍的通道速度提升

2021年11月4日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团今日宣布，推出支持工业温度等级DDR5（5RCD0148H）和DDR4（4RCD0232K）寄存时钟驱动器（RCD），面向要求严苛的边缘计算、汽车、工业4.0和5G等应用。

2021-11-06 - 新产品

【产品】符合JEDEC标准的DDR4数据缓冲器4DB0232KD1，可在商业级温度下工作

IDT（Renesas收购）推出的4DB0232KD1是一款符合JEDEC标准的DDR4数据缓冲器，具有双路4位双向“DQ”数据寄存器和“DQS”差分选通，可用于DDR4 LRDIMM应用，工作在1.2 VDD下。每个4位双向数据寄存器的DQ主机接口端连接到一个内存控制器，MDQ接口端连接到两个×4 DRAM。

2020-08-29 - 新产品

【产品】用于内存模块的集成4kbit EEPROM的DDR4温度传感器TSE2004GB2B0

IDT（Renesas收购）推出的TSE2004GB2B0数字温度传感器的精度最高可达±0.5℃，它根据最高温度读取水平的应用而设计。该器件还包含512字节EEPROM，用于存储供应商信息和系统配置，如用于DIMM模块的SPD。

2019-04-13 - 新产品

LRDIMM

描述- SMART Modular Technologies提供一系列DDR4和DDR3 LRDIMM（负载减少双列直插式内存模块），采用分布式缓冲技术，以支持CPU中的高速内存控制器驱动更多内存。这些模块适用于需要大量内存的数据中心和高密度配置的服务器。SMART Modular提供从32GB到256GB不同密度的DDR4 LRDIMM，并支持企业级产品以满足关键任务需求。

型号- SR1637LR440425-SD

10.03.24 - SMART - 数据手册 - Rev.16 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

描述- SMART Modular Technologies 提供多种 DDR4 和 DDR3 LRDIMM（负载减少双列直插式内存模块），采用分布式缓冲技术以支持高速 CPU 内存控制器驱动更大容量的内存。这些模块适用于需要大量服务器内存的数据中心和高密度配置的服务器系统。SMART Modular 提供从 32GB 到 256GB 的不同容量选项，并针对关键任务应用提供企业级 LRDIMM 以降低 DRAM 故障风险。

型号- ST1637LR420402-HM,ST3277LR440444-SM,ST1637LR440414-SM1

01.03.24 - SMART - 数据手册 - Rev.11 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

DDR4 SDRAM RDIMM MTA36ASF4G72PZ–32GB

描述- 本资料详细介绍了32GB DDR4 RDIMM内存模块的技术规格和特性。该模块支持DDR4功能，具有288针注册双列直插内存模块（RDIMM）设计，数据传输速率高达PC4-3200，并支持ECC错误检测和纠正。此外，该模块还具有低功耗自动自我刷新（LPASR）功能，并配备了I2C温度传感器和集成串行存在检测（SPD）EEPROM。

型号- MTA36ASF4G72PZ-2G3__,MTA36ASF4G72PZ-3G2E1,MTA36ASF4G72PZ-2G6__,MTA36ASF4G72PZ-2G6,MTA36ASF4G72PZ-3G2,MTA36ASF4G72PZ-2G3,MTA36ASF4G72PZ-2G1,MTA36ASF4G72PZ-3G2__,MTA36ASF4G72PZ-2G1__,MTA36ASF4G72PZ

7/17 - MICRON - 数据手册 - Rev. G

未来Xeon®可扩展处理器上的DDR4 LRDIMM系统级验证结果

描述- 本资料主要介绍了Intel平台DDR4 LRDIMM内存验证结果，包括测试实验室、内存模块样本、供应商信息、内存缓冲器密度、日期、供应商编号、宽度、供应商修订、晶圆代码等详细数据。资料还强调了测试的目的是为了指导模块与Intel服务器参考平台的兼容性，但不应替代正常的OEM认证流程。

型号- M386AAK40B40-CWD,MTA72ASS8G72LZ-2G6B2,CT64G4LFQ4266.36DB2,HMAA8GL7AMR4N-VKT3,HMAA8GL7AMR4N-VKTF,HMABAGL7M4R4N-VNTF,M386A8K40BM2-CTD,HMABAGL7M4R4N-VNT3,MT40A4G4NRE-075E:B,K4AAG045WB-MCTD

August 11, 2017 - INTEL - 技术文档

4DB0232KD1 DDR4数据缓冲器3200能效模式

型号- 4DB0232KD1

April 30, 2020 - RENESAS - 数据手册

【选型】Renesas内置256byte EEPROM的数字温度传感器TSE2002GB2A1助力DDR内存条

Renesas的温度传感器TSE2002GB2A1内置了256byte的EEPROM，可以用来存放内存条的内存芯片及模组厂商、频率、电压、速度、容量等参数，内存厂商不必额外增加EEPROM来存放这些信息（SPD），在降低成本的同时减小PCB占用面积。此外，还提供了三个地址选择引脚，在同一组IIC总线上，可挂载多个温度传感器，满足多点测温的需求。

2021-06-17 - 器件选型

基于电容介电常数随酒精浓度成线性变化的原理，接触式测量酒精浓度。现需要一款能够与电容值变化成正比的测量芯片，输出为模拟信号或PWM波信号，芯片集成了温度信号更好。

推荐使用Renesas品牌的电容信号处理芯片ZSSC3123，集成片上温度传感器，芯片内部的输出偏移、灵敏度和温度漂移可通过内部数字信号处理器来实现数字补偿，校正系数可存储在EEPROM中,可以实现单电容和差分电容传感器，测量值可输出为I2C、SPI、PDM等信号。可以参考文章：【应用】电容式信号传感器ZSSC3123用于非接触式液位测量，精度高且不需要外部设备修正。

2019-08-26 - 技术问答

TSE2004GB2C0 DDR4温度传感器，集成4Kbit EEPROM，用于存储模块数据表

型号- TSE2004GB2C0NCG8,TSE2004GB2C0NCG,TSE2004GB2C0,TSEXXXXXXXXXXXXX

December 14, 2022 - RENESAS - 数据手册

服务器存储器接口芯片组的领导者数据手册

描述- 本资料介绍了IDT公司作为服务器存储器接口芯片组领导者的产品，包括DDR4寄存时钟驱动器、数据缓冲器和温度传感器。这些产品旨在支持RDIMM和LRDIMM，提供高可靠性和低功耗，适用于企业级服务器、数据中心、工作站等存储密集型应用。

型号- DDR4

2018/02/25 - IDT - 数据手册

服务器存储器接口芯片组的领导者

描述- 该资料主要介绍了IDT公司提供的DDR4存储器接口芯片组解决方案，包括寄存器、数据缓冲器、温度传感器等产品。这些产品支持RDIMM和LRDIMM，具有低功耗、高可靠性和符合JEDEC标准等特点。资料还强调了IDT在存储器接口芯片组技术上的积累和优势，以及DDR4在数据中心、服务器等领域的应用潜力。

0815 - IDT - 技术文档 - RevB