【产品】适用于DDR4 RDIMM和LRDIMM的完整芯片组，包含DDR4寄存时钟驱动器、数据缓冲器及温度传感器
IDT（RENESAS收购）拥有业界最广泛的产品系列，是唯一能够为企业级服务器存储器模块提供完整 DDR4 及 DDR3 芯片组解决方案的公司。
IDT 的 DDR4 寄存时钟驱动器、数据缓冲器及温度传感器组成了业界首款适用于 DDR4 寄存双列直插存储器模块 (RDIMM) 和低负载双列直插存储器模块 (LRDIMM) 的完整芯片组。随着 DDR4 的数据传输速率攀升至 3.2 Gb/s 乃至更高，RDIMM 和 LRDIMM 卓越的速度可扩展存储器技术具备毋庸置疑的优势，这有望在广泛的存储器密集型计算与存储应用领域进一步提高普及率。
IDT DDR4 寄存时钟驱动器 (4RCD0124) 和数据缓冲器 (4DB0226) 可通过高度灵活的 I/O 控制、定时与电压校准及控制寄存器的可编程性，在 JEDEC ® 定义的所有 DDR4 LRDIMM 和 RDIMM 拓扑中以更高的密度实现更快的数据速率。可将 DIMM 拓扑配置和DRAM 信息存储在 IDT 的温度传感器 EEPROM (TSE2004) 中。
随各代 DDR 产品的成功推出，IDT 器件在存储器接口芯片组技术上积累了深厚的知识，能够提供可靠的性能。
IDT的DDR4产品 ：
1、寄存器
• 同时用于 RDIMM 与 LRDIMM
• 与 4DB0226 配对，支持 LRDIMM
• 32 位 1:2 指令／地址寄存器
• 1.2 V Vdd 工作电压
• 支持多达 4 组封装队列和可提供原生3DS 支持的 8 组逻辑队列
• 高级 I/O 启用控制
• 可为数据缓冲控制提供全速 BCOM 总线
• 自动阻抗校准
• 全新 DDR4 低功耗协议
• 命令／地址奇偶校验检测
• 控制寄存器 RCW 回读
• 1 MHz I2C 总线
2、数据缓冲器
• 与 4RCD0124 配对，支持 LRDIMM
• 两个支持差分数据选通的 4 位双向数据寄存器
• 1.2 V Vdd 工作电压
• 自动阻抗校准
• BCOM 奇偶校验检测
• 控制寄存器 BCW 回读
3、温度传感器 + EEPROM
• 用于 UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM
• 仅为 ±0.5℃的温度精度误差
• 512 字节 EEPROM 用于厂商信息
• 1 MHz I2C 总线
IDT的DDR4产品优势：
• 所有器件均符合 JEDEC® 标准，同时满足针对高可靠性与应用合规性的严格要求
• 与 DDR3 相比，DDR4 可将功耗降低多达 35%
• 支持大字节 DIMM 存储器
• 奇偶校验和 CRC 可提高数据错误恢复率
• 更高的调试与系统裕量
IDT的DDR4产品的应用：
需要在更高数据速率及最低功耗下提供更深存储器的应用，包括企业级服务器、数据中心、工作站、存储设备以及通信等。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由宝丁转载自IDT（Renesas收购），原文标题为:服务器存储器接口芯片组的领导者，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】可通过EEPROM精确地校准电阻桥式传感器的传感器信号调理器集成电路ZSC31010
IDT（Renesas收购）推出的ZSC31010是一种能够通过EEPROM简单而精确地校准电阻桥式传感器的一种传感器信号调理器集成电路。当与电阻式传感器配合适用时，它能够通过选择校正偏移和增益系数以及温度线性度以数字校正偏移和增益。
新产品 发布时间 : 2019-08-22
【产品】瑞萨电子新推出支持工业温度级DDR5和DDR4的寄存时钟驱动器,可带来2倍的通道速度提升
2021年11月4日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团今日宣布，推出支持工业温度等级DDR5（5RCD0148H）和DDR4（4RCD0232K）寄存时钟驱动器（RCD），面向要求严苛的边缘计算、汽车、工业4.0和5G等应用。
新产品 发布时间 : 2021-11-06
【产品】电容式信号传感器ZSSC3122、ZSSC3123，具有一阶、二阶温度增益和偏置漂移的数字补偿
ZSSC3122和ZSSC3123是瑞萨旗下IDT公司推出的两款电容式信号调节器，两款调节器均是基于电容特性进行设计，二者的传感器偏移、灵敏度和温度漂移可通过内部数字信号处理器来实现数字补偿，校正系数可存储在EEPROM中。两款调节器兼容单电容和差分电容传感器，测量值可输出为I2C、SPI、PDM等信号
新产品 发布时间 : 2019-03-29
【选型】Renesas内置256byte EEPROM的数字温度传感器TSE2002GB2A1助力DDR内存条
Renesas的温度传感器TSE2002GB2A1内置了256byte的EEPROM，可以用来存放内存条的内存芯片及模组厂商、频率、电压、速度、容量等参数，内存厂商不必额外增加EEPROM来存放这些信息（SPD），在降低成本的同时减小PCB占用面积。此外，还提供了三个地址选择引脚，在同一组IIC总线上，可挂载多个温度传感器，满足多点测温的需求。
器件选型 发布时间 : 2021-06-17
TSE2002B3C Temperature Sensor with Integrated EEPROM for Memory Modules Data Sheet
型号- TSE2002B3C,TSE2002B3CNCG8,TSEXXXXXXXXXXX,TSE2002B3C NRG8
【应用】电容式信号传感器ZSSC3123用于非接触式液位测量，精度高且不需要外部设备修正
Renesas的电容信号处理芯片ZSSC3123，芯片内部的输出偏移、灵敏度和温度漂移可通过内部数字信号处理器来实现数字补偿，校正系数可存储在EEPROM中,可以实现单电容和差分电容传感器，测量值可输出为I2C、SPI、PDM等信号。可以应用在工业产品的液位测量，比如压缩机的液位测量。
应用方案 发布时间 : 2019-06-10
TSE2004GB2C0 DDR4 Temperature Sensor with Integrated 4Kbit EEPROM for Memory Module Datasheet
型号- TSE2004GB2C0NCG8,TSE2004GB2C0NCG,TSE2004GB2C0,TSEXXXXXXXXXXXXX
DDR4 Temperature Sensor with Integrated 4Kbit EEPROM for Memory Modules
型号- TSE2004GB2B0NCG8,TSE2004GB2B0 NCG8,TSE2004GB2B0
TSE2004GB2B0 DDR4 Temperature Sensor with Integrated 4Kbit EEPROM for Memory Modules Data sheet
型号- TSE2004GB2B0NCG8,TSE2002,TSE2004GB2B0,TSEXXXXXXXXXXXXX
【产品】符合JEDEC标准的DDR4数据缓冲器4DB0232KD1，可在商业级温度下工作
IDT（Renesas收购）推出的4DB0232KD1是一款符合JEDEC标准的DDR4数据缓冲器，具有双路4位双向“DQ”数据寄存器和“DQS”差分选通，可用于DDR4 LRDIMM应用，工作在1.2 VDD下。每个4位双向数据寄存器的DQ主机接口端连接到一个内存控制器，MDQ接口端连接到两个×4 DRAM。
新产品 发布时间 : 2020-08-29
TSE2004GB2C0 DDR4 Temperature Sensor with Integrated 4Kbit EEPROM for Memory Module
型号- TSE2004GB2C0NCG8,TSE2004GB2C0NCG,TSE2004GB2C0
基于电容介电常数随酒精浓度成线性变化的原理，接触式测量酒精浓度。现需要一款能够与电容值变化成正比的测量芯片，输出为模拟信号或PWM波信号，芯片集成了温度信号更好。
推荐使用Renesas品牌的电容信号处理芯片ZSSC3123，集成片上温度传感器，芯片内部的输出偏移、灵敏度和温度漂移可通过内部数字信号处理器来实现数字补偿，校正系数可存储在EEPROM中,可以实现单电容和差分电容传感器，测量值可输出为I2C、SPI、PDM等信号。可以参考文章：【应用】电容式信号传感器ZSSC3123用于非接触式液位测量，精度高且不需要外部设备修正。
技术问答 发布时间 : 2019-08-26
现货市场
服务
可定制温度范围-230℃~1150℃、精度可达±0.1°C；支持NTC传感器、PTC传感器、数字式温度传感器、热电堆温度传感器的额定量程和输出/外形尺寸/工作温度范围等参数定制。
提交需求>
可定制烧结NdFeB磁铁的剩磁最高1.45T，易加工成各种尺寸。充磁方向：径向充磁、轴向充磁、辐射充磁等；镀层：Zn、Sn、Ni、电泳等，最高工作温度220℃。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论