【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407，适用于负载开关及PWM应用
上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性，器件适用于负载开关及PWM应用领域。
产品特征
VDS=-30V,ID=-4.1A
RDS(ON)<95mΩ@VGS=-4.5V
RDS(ON)<65mΩ@VGS=-10V
器件具有高功率和高电流处理能力
器件符合无铅认证标准
器件支持表面贴装
产品应用
PWM应用
负载开关
电源管理应用
绝对最大额定值(在TA=25℃时，除非另有说明)
电气参数(在TA=25℃时，除非另有说明)
注：
1：重复额定值：脉冲宽度受限于最高结温
2：表面贴装在FR4板上，t≤10s
3：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
4：由设计保证，不经过生产测试
订购信息
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型号- HM20P02D
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产品型号
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品类
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BV(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Max.
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VTH (V) Min.
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VTH (V) Typ.
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VTH (V) Max.
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Package
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BLM1216Y
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沟槽场效应晶体管
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-12
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-8
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-
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-
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11.5
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18
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14
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22
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-0
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-1
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-1
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SOT23
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选型表 - 上海贝岭 立即选型
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型号- JMT,JMTQ160P03A
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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
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授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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