【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407，适用于负载开关及PWM应用
上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性，器件适用于负载开关及PWM应用领域。
产品特征
VDS=-30V,ID=-4.1A
RDS(ON)<95mΩ@VGS=-4.5V
RDS(ON)<65mΩ@VGS=-10V
器件具有高功率和高电流处理能力
器件符合无铅认证标准
器件支持表面贴装
产品应用
PWM应用
负载开关
电源管理应用
绝对最大额定值(在TA=25℃时，除非另有说明)
电气参数(在TA=25℃时，除非另有说明)
注：
1：重复额定值：脉冲宽度受限于最高结温
2：表面贴装在FR4板上，t≤10s
3：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
4：由设计保证，不经过生产测试
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