【经验】一文解析三极管和场效应管区别
三极管和场效应管都是常见的电子元器件，虽然都有三个引脚，长得也有很像，但功能是不同的。三极管是电流控制型的器件，通过基极电流去控制集电极电流，实现电流、电压信号放大或者驱动负载工作，场效应管是电压控制器件，需要通过栅极（G）电压来控制场效应的导通，实现场效应的导通和关断。本文辰达行为您解析三极管和场效应管区别。
三极管
三极管由两个PN结组成，可以排列成NPN或者PNP的结构。有基极（B）、集电极（C）和发射极（E）三个引脚。它有三个工作区：截止区、放大区、饱和导通区。
NPN三极管：由基极（B）流进的控制电流Ib，控制由集电极（C）流进的电流Ic；
PNP三极管：由基极（B）流出的控制电流Ib，控制由集电极（C）流出的电流Ic；
场效应管
场效应管也是由P型和N型半导体组成，它也有三个引脚，分别是栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。
N沟道场效应管：漏极（D）、源极（S）都是连接在N型半导体上，而栅极（G）连接的金属通过氧化物再与P型半导体衬底连接。当Vgs》0时场效应管开始导通，电流可以从漏极（D）源极（S），也可以从源极（S）漏极（D），当然Vgs要达到一定的开启电压才可以稳定的导通。
P沟道场效应管：漏极（D）、源极（S）都是连接在P型半导体上，而栅极（G）连接的金属通过氧化物再与N型半导体衬底连接。当Vgs场效应管导通后内阻很小，一般只有几毫欧到几十毫欧，可以用于驱动功率较大的直流负载。三极管无法驱动的直流负载，我们都可以用场效应管来驱动。
【MDD】封装SOT-23特点
小外形晶体管封装，这种封装就是贴片型小功率晶体管封装，比TO封装体积小。开关速度快，表面装置式，反向漏电流低、正向浪涌承受能力较强、高温焊接保证。
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