【产品】500V/18A/236mΩ的N沟道功率MOSFET SLP18N50C、SLF18N50C
SLP18N50C、SLF18N50C这两款500V N沟道功率MOSFET，采用了美浦森（Maplesemi）先进的平面条纹DMOS技术，该技术专为降低导通电阻、提供出色的开关性能而开发，可承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
SLP18N50C、SLF18N50C的栅极电荷低，典型值仅69nC，开关速度快；导通电阻小，典型漏源导通电阻仅236mΩ（@VGS=10V），非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
特点
· 连续漏极电流（TC=25℃）：18A
漏源电压：500V
静态漏源导通电阻典型值：236mΩ@VGS=10V
· 低栅极电荷（典型值69nC）
· 高鲁棒性
· 开关速度快
· 100%雪崩测试
· 提高的dv/dt能力
封装和电路图
极限值（TC=25℃，除非另有说明）
热特性
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