【产品】-40V/-44A P沟道增强型MOSFET PJQ4441P-AU，采用DFN3333-8L封装
PANJIT（强茂）推出了PJQ4441P-AU为P沟道增强型MOSFET。采用DFN3333-8L封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-44A。
图1 封装图
PJQ4441P-AU特性：
RDS(ON), VGS@-10V, ID@-10A<17mΩ
RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-8A<25mΩ
先进的沟槽技术
高密度单元设计，超低的导通电阻
符合AEC-Q101标准
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC61249标准
PJQ4441P-AU机械参数：
外壳：DFN3333-8L封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.001盎司，0.03克
PJQ4441P-AU最大额定值和热特性：
PJQ4441P-AU电气特性：
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