【产品】-40V/-44A P沟道增强型MOSFET PJQ4441P-AU，采用DFN3333-8L封装

2019-12-29 PANJIT
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PANJIT（强茂）推出了PJQ4441P-AU为P沟道增强型MOSFET。采用DFN3333-8L封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-44A。

                                                                                      图1    封装图


PJQ4441P-AU特性：

RDS(ON), VGS@-10V, ID@-10A<17mΩ

RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-8A<25mΩ

先进的沟槽技术

高密度单元设计，超低的导通电阻

符合AEC-Q101标准

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

绿色环保塑封，符合IEC61249标准


PJQ4441P-AU机械参数：

外壳：DFN3333-8L封装

端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）

重量约为：0.001盎司，0.03克


PJQ4441P-AU最大额定值和热特性：


PJQ4441P-AU电气特性：


订购信息：


技术顾问：星晴123
授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台：世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道：世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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P沟道增强型MOSFET PJQ4441P-AU PANJIT 管状电机

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