英诺赛科推出同步整流驱动器和控制器产品,发布支持65W/140W/240W氮化镓快充的All-GaN解决方案
在2021(秋季)USB PD&Type-C亚洲展上,邹艳波先生分享了英诺赛科新推出的INN150LA070A 150V同步整流氮化镓器件的特性,以及英诺赛科All-GaN解决方案在65W、140W、240W快充案例上的应用,具有高效高功率密度等特点,解决USB PD 3.1更高功率带来了的更大体积、更高发热痛点。英诺赛科拥有LV (30-150V) & HV(650V) GaN 功率器件,而且十分可靠,可为客户提供端到端全电压解决方案,实现全链路高效、高频、高功率密度。
图 1
USB PD 3.1快充标准的推出,将原本的快充应用扩展到了电动工具、摩托、无人机、医疗设备等跟人息息相关的电子领域。USB PD 3.1快充新增28V、36V、48V三个电压档位,最大功率提升至240W,对整个电源设计也带来了新的挑战,协议、电容等整个生态都要做出相应的调整。功率提升了,若要保持快充电源的便携性,就要进一步提高产品功率密度。
图 2
为解决上述问题,英诺赛科推出了150V同步整流氮化镓器件——INN150LA070A,相较传统Si MOS,具有无反向恢复损耗、Ron*Qg为Si MOS的1/6以及单位面积Ron更小三大优点,除天然性能优势之外,成本也会更低。
图 3
INN150LA070A具有支持MHZ 开关频率;高边同步整流自供电,不需辅助绕组,设计简单;效率更高,EMC更好处理;die size小、驱动损耗小、IC温度低等优点。
英诺赛科还重点展示了搭配 INN150LA070A 的三款 All-GaN 方案,分别为:65W、140W和240W 解决方案。
图 4
英诺赛科65W All-GaN方案:采用INN650DA260A+INN150LA070A氮化镓器件,具有高边同步整流-EMI噪声更小、单屏蔽层-变压器耦合更好,效率更高、高效率:93.4%@ 90Vac,94.7%@230V、高功率密度:31W/in³等优点。
图 5
英诺赛科140W All-GaN方案:采用INN650D150A、INN650D260A和INN150LA070A各两颗,基于无桥PFC+ACF架构设计,支持5V3A-28V5A输出。DEMO尺寸60*60*22mm,功率密度30W/in³,真正做到体积和传统65W快充相当而功率翻倍。
图 6
英诺赛科240W All-GaN方案:采用INN650D150A*4+INN650DA260A*2+INN150LA070A*2共8颗氮化镓器件,Totem pole 无桥PFC+LLC架构设计,DEMO尺寸85*55*20.5mm,只有银行卡大小,功率密度41W/in³,最大输出功率240W,效率高达96.5%。
图 7
英诺赛科拥有LV (30-150V) & HV(650V) GaN 功率器件,可为客户提供端到端全电压解决方案,实现全链路高效、高频、高功率密度。英诺赛科650V功率器件主要有DFN5*6和DFN8*8两种封装方式,功率可涵盖30W-1600W,充分满足客户需求。
图 8
英诺赛科的产品从设计、制造过程中工艺的管控、测试各方面都有严格把关,可为客户提供高可靠性的产品。英诺赛科也是全球首家做进手机内部的电源厂家,跟国际一流客户进行深入合作,通过客户的反馈进一步完善英诺赛科的品控体系,因此产品质量值得信赖。
图 9
英诺赛科在氮化镓行业的出货量已经超过了4千万颗,合作量产客户超过100家,如此大的规模也体现了英诺赛科产品的可靠性。
图 10
英诺赛科也在积极扩展产品在绿色能源、数据中心能源、智能电动以及直流楼宇等领域的应用。数据中心英诺赛科可提供端到端的产品解决方案,而在新能源汽车的应用产品预计将于2022年推出,敬请期待。
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
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型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A
【应用】英诺赛科耐压650V的GaN芯片INN650DA260A助力Realme闪充,有效节省空间
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【经验】GaN驱动电压负压为何被箝位?
随着第三代半导体的兴起,GaN已经在各行各业开始普及,但GaN的驱动电压范围偏窄,尤其是负压驱动。本文将结合英诺赛科的GaN增强模式功率晶体管INN650D150A,讨论下GaN驱动电压负压为何被箝位?
【元件】英诺赛科2款FCQFN 150V Single GaN打入工业应用市场,具备高频高效、低导阻等优越特性
为了推进氮化镓在高频市场中的应用,英诺赛科基于150V电压平台推出了INN150FQ032A和INN150FQ070A两款中低压GaN,满足工业级可靠性要求,主要应用于太阳能系统优化器和微型逆变器,PD充电器与PSU同步整流、通信电源、电机驱动等。
电机控制参考指南
描述- 这份资料详细介绍了意法半导体的电机控制生态系统,涵盖了多种电机类型,包括永磁同步电机、直流无刷电机、三相感应电机、步进电机、直流有刷电机等。资料中重点介绍了ST的电机驱动器IC、电源模块、功率MOSFET、IGBT、栅极驱动器等关键产品,并提供了相应的评估板和参考设计,以简化设计流程并加速产品开发。此外,资料还强调了ST在电机控制领域的创新,如集成式智能功率模块、系统级封装、单片式电机驱动器等。
型号- STM32F30,STEVAL-CTM009V1,NUCLEO-H745ZI,TM8050H-8W,L6498L,L6225,L6226,L656X,L6227,STIB1560DM2T-L,PM8834,L6228,L6229,SCTW40N120G2V,STEVAL-IHM034V2,STGX25M120DF3,L64,STGAP,STGIPQ5C60T-HZ/L(S),EVAL2293Q,STTH810G,TSB712,A1P35S12M3/-F,TSB711,T2535T-8,STSPIN820,STSPIN23,TSC2系列,STM8/128-EVAL,STEVAL-IPM08B,STEVAL-GLA001V1,L6234,PM8841,L6235,STGX20M65DF2,L6470,L6230,L6472,STG*5H60DF,TSX712,EVAL6482H-DISC,L6474,TSX711,TSV99X,STEVAL-IHM023V3,STGIPN3HD60-H,STX130N6F7,STEVAL-IHT001V2,SCTW70N120G2V,STL130N8F7,STTH8R06,STEVAL-IPMNM1N,L6201,L6202,L6203,STEVAL-IPMNM1S,L6205,L6206,STTH8R04,L6207,STTH8R03,SM15T/1.5KE系列,STEVAL-IPM07F,VFB720Y,STX7N60DM2,STGXYYH60DF,PWD13F60,A1P50S65M2/-F,STSPIN32F0602,ESDA15P60-1U1M,STSPIN32F0601,TSB611,T2035H-8,STEVAL-IHM035V2,STIPN2M50T-H/L,T2035H-6,STSPIN2系列,L6208,HSP061-2M6,STIPNS1M50SDT-H,TSC201X,TS3022,STEVAL-ESC002V1,STL110N10F7,L6388E,STIPNS1M50T-H,T835H-6,TSU101,STTH6012W,T835H-8,TSC2010,VHD751Y,EVSPIN32G4NH,TSC2012,TSC2011,L6219,ESDAXXSC6 系列,HSP061-2N4,STGAP1,L62X8,STEVAL-AETKT1V2,TN2010H-6,STEVAL-AETKT1V1,T1635T-8,L6494L,TSU111,A1P18M65W2-1,STEVAL-IPM05F,X-NUCLEO-IHM11M1,STEVAL-ESC001V1,ACST1635-8FP,STM3241G-EVAL,ESDA25SC6,ESDA17P100-1U1M,EVAL6207Q,EVAL6229PD,L6386E,SCTWA90N65G2V-4,L6398,L6399,STEVAL-PTOOL2V1,T635T-8,L6390,L6391,L6392,L6393,ESDA25P35-1U1M,STL8N10F7,L6395,TN5015H-8,STEVAL-STDRIVE601,STGIPNS3H60T-H,SCTH35N65G2V-7,STEVAL-IHT003V2,L6387E,EVAL6208Q,STEVAL-ISQ007V1,STGAP2SICSM,TN3050H-12,EVALSTGAP2SM,SMB15F系列,L6480,A1P25S12M3/-F,STEVAL-IPM15B,L6482,STTH60RQ06,A2C25S12M3/-F,STG*10H60DF,STSPIN840,STDRIVEG600,STP260N4F7,EVAL6205N,STGIB3QM6QTS-LZ(E),STX310N10F7,T610H,SCTH90N65G2V-7,L6384E,L6498,STM32F103,STGXYYS120DF3,L6258,STEVAL-PTOOL1V1,STGX8M120DF3,STNRGOX,EVALSTDRIVK01,EVLPOWERSTEP01,STDRIVE101,L6491,L6494,STP220N6F7,STDRIVEG 系列,TN3015H-6,STSPIN830,SM15771.5KE 系列,L6385E,EVAL6206Q,X-NUCLEO-IHM04A1,L293D,L6228Q,L293E,STM32F0,L293B,L623,STM32F4,TN5015H-6G,TN1605H-6,STM32F7,STX140N6F7,EVAL6472H-DISC,STM32F1系列,EVALSTGAP2DM,L639系列,STDRIVE 系列,EVAL6227PD,SCTWA35N65G2V-4,STIPQ3M60T-HZ/L,TD352,NUCLEO-F072RB,X-NUCLEO-IHM15A1,TD351,TD350,STSPIN32G4,L6229Q,ACST4,STGIB15CH60TS-LZ(E)(X),ACST3,STM32G0,SCTH40N120G2V-7,STGX6M65DF2,T1235T-8,ACST8,STM32G4,ACS108,STEVAL-ISQ013V1,VFB715S,POWERSTEP01,STEVAL-3DP001V1,STDRIVE601,ESDA13P70-1U1M,EVAL6227QR,SMA6F系列,X-NUCLEO-IHM09M1,STG*20H60DF,ESDA7P 120-1U1M,STEVAL-IHT005V2,EVAL6474H,ACST2,EVAL6498L,STGIF10CH6QTS-L(E),X-NUCLE0-IHM17M1,ESDAXXSC6,L6226Q,TSX561,STM32系列,X-NUCLEO-IHM03A1,SLUMM第二系列,TSB572,TSB571,L649,STGYA50M120DF3,TS941,STEVAL-IPMM15B,STEVAL-IHM039V1,SCT1000N170,STIPNS2M50(T)-H,STGX40S120DF3,EVALSTDRV600HB8,STXYN6F7,L6227Q,STGX10M65DF2,X-NUCLEO-IHM14A1,STGIB10CH60TS-LZ(E)(X),STGX50M65DF2,STX6N60DM2,TSH22,STX100N10F7,STEVAL-IHM028V2,STGX40M120DF3,L639,EVAL6228QR,T1635H-6,X-NUCLEO-IHM08M1,STGIPQ3HD60-HZ/L,T1635H-8,ESDA7P120-1U1M,T835T-8,TSV9系列,EVAL6472H,X-NUCLE0-IHM16M1,STEVAL-SPIN3204,X-NUCLEO-IHM06A1,NUCLEO-F103RB,EVAL6225PD,STEVAL-SPIN3202,STEVAL-SPIN3201,STGAP2HS,STL160N4F7,STTH15S12W,EVALSTGAP2SCM,STGIPN3H60(A)(T)-(H),STL90N10F7,STTD6050H-12M2Y,STM323Q3E-EVAL,EVAL6235Q,STTH30RQ06C,SMB6F系列,STSPIN32F0A,EVALPWD13F60,SCTWA20N170,STSPIN32F0B,STEVAL-SCR001V1,STM32072B-EVAL,TSC210,STIPQ5M60T-HZ/L,STGIPNS3HD60-H,STEVAL-IHM029V2,VFB735Y,STSPIN32F0251/Q,TSC213,STGAP2HD,A2C35S12M3/-F,STX150N10F7,ESDA6V15SC6,STX5N60DM2,STGAP2HSCM,X-NUCLEO-IHM05A1,STL130N6F7,PM8851,VHD738Y,STGXYYM120DF3,TSC102,TSC101,VFB712S,STL260N4LF7,STM32G081B-EVAL,TSC103,STM32F0系列,STL260N4F7,STM32L476G-EVAL,STGAP系列,L2293Q,SCTWA35N65G2V,STXYN4F7,L6235Q,STTH12R06,STBR3012,STEVAL-ISQ014V1,ESDAXP-1U1M系列,SMA4F系列,L498系列,STSPIN32F0252/Q,PWD5F60,STGX120M65DF2,STEVAL-IHT008V1,STM32G 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【应用】国产GaN MOSFET INN650D150A助力家用手持射频美容仪推挽电路设计,实现5M射频输出
传统的射频美容仪大多使用Si MOSFET来设计推挽电路,这样设计的话成本固然会有所降低,但是这样设计的产品最高只能达到2M左右的射频输出。本文介绍的新方案是利用英诺赛科的INN650D150A GaN MOSFET,实现5M以上射频输出。
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可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压;数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O,温度补偿范围-20~85ºС;模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信,具备多种小型SIP和DIP封装可选择。
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