英诺赛科推出同步整流驱动器和控制器产品，发布支持65W/140W/240W氮化镓快充的All-GaN解决方案
在2021（秋季）USB PD＆Type-C亚洲展上，邹艳波先生分享了英诺赛科新推出的INN150LA070A 150V同步整流氮化镓器件的特性，以及英诺赛科All-GaN解决方案在65W、140W、240W快充案例上的应用，具有高效高功率密度等特点，解决USB PD 3.1更高功率带来了的更大体积、更高发热痛点。英诺赛科拥有LV (30-150V) & HV(650V) GaN 功率器件，而且十分可靠，可为客户提供端到端全电压解决方案，实现全链路高效、高频、高功率密度。
图 1
USB PD 3.1快充标准的推出，将原本的快充应用扩展到了电动工具、摩托、无人机、医疗设备等跟人息息相关的电子领域。USB PD 3.1快充新增28V、36V、48V三个电压档位，最大功率提升至240W，对整个电源设计也带来了新的挑战，协议、电容等整个生态都要做出相应的调整。功率提升了，若要保持快充电源的便携性，就要进一步提高产品功率密度。
图 2
为解决上述问题，英诺赛科推出了150V同步整流氮化镓器件——INN150LA070A，相较传统Si MOS，具有无反向恢复损耗、Ron*Qg为Si MOS的1/6以及单位面积Ron更小三大优点，除天然性能优势之外，成本也会更低。
图 3
INN150LA070A具有支持MHZ 开关频率；高边同步整流自供电，不需辅助绕组，设计简单；效率更高，EMC更好处理；die size小、驱动损耗小、IC温度低等优点。
英诺赛科还重点展示了搭配 INN150LA070A 的三款 All-GaN 方案，分别为：65W、140W和240W 解决方案。
图 4
英诺赛科65W All-GaN方案：采用INN650DA260A+INN150LA070A氮化镓器件，具有高边同步整流-EMI噪声更小、单屏蔽层-变压器耦合更好，效率更高、高效率：93.4%@ 90Vac，94.7%@230V、高功率密度：31W/in³等优点。
图 5
英诺赛科140W All-GaN方案：采用INN650D150A、INN650D260A和INN150LA070A各两颗，基于无桥PFC+ACF架构设计，支持5V3A-28V5A输出。DEMO尺寸60*60*22mm，功率密度30W/in³，真正做到体积和传统65W快充相当而功率翻倍。
图 6
英诺赛科240W All-GaN方案：采用INN650D150A*4+INN650DA260A*2+INN150LA070A*2共8颗氮化镓器件，Totem pole 无桥PFC+LLC架构设计，DEMO尺寸85*55*20.5mm，只有银行卡大小，功率密度41W/in³，最大输出功率240W，效率高达96.5%。
图 7
英诺赛科拥有LV (30-150V) & HV(650V) GaN 功率器件，可为客户提供端到端全电压解决方案，实现全链路高效、高频、高功率密度。英诺赛科650V功率器件主要有DFN5*6和DFN8*8两种封装方式，功率可涵盖30W-1600W，充分满足客户需求。
图 8
英诺赛科的产品从设计、制造过程中工艺的管控、测试各方面都有严格把关，可为客户提供高可靠性的产品。英诺赛科也是全球首家做进手机内部的电源厂家，跟国际一流客户进行深入合作，通过客户的反馈进一步完善英诺赛科的品控体系，因此产品质量值得信赖。
图 9
英诺赛科在氮化镓行业的出货量已经超过了4千万颗，合作量产客户超过100家，如此大的规模也体现了英诺赛科产品的可靠性。
图 10
英诺赛科也在积极扩展产品在绿色能源、数据中心能源、智能电动以及直流楼宇等领域的应用。数据中心英诺赛科可提供端到端的产品解决方案，而在新能源汽车的应用产品预计将于2022年推出，敬请期待。
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本文由三年不鸣转载自英诺赛科，原文标题为:英诺赛科推出高性能All-GaN解决方案，助力USB PD 3.1快速发展，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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