英诺赛科推出同步整流驱动器和控制器产品,发布支持65W/140W/240W氮化镓快充的All-GaN解决方案

2022-02-22 英诺赛科
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在2021(秋季)USB PD&Type-C亚洲展上,邹艳波先生分享了英诺赛科新推出的INN150LA070A 150V同步整流氮化镓器件的特性,以及英诺赛科All-GaN解决方案在65W、140W、240W快充案例上的应用,具有高效高功率密度等特点,解决USB PD 3.1更高功率带来了的更大体积、更高发热痛点。英诺赛科拥有LV (30-150V) & HV(650V) GaN 功率器件,而且十分可靠,可为客户提供端到端全电压解决方案,实现全链路高效、高频、高功率密度。

图 1

USB PD 3.1快充标准的推出,将原本的快充应用扩展到了电动工具、摩托、无人机、医疗设备等跟人息息相关的电子领域。USB PD 3.1快充新增28V、36V、48V三个电压档位,最大功率提升至240W,对整个电源设计也带来了新的挑战,协议、电容等整个生态都要做出相应的调整。功率提升了,若要保持快充电源的便携性,就要进一步提高产品功率密度。

图 2

为解决上述问题,英诺赛科推出了150V同步整流氮化镓器件——INN150LA070A,相较传统Si MOS,具有无反向恢复损耗、Ron*Qg为Si MOS的1/6以及单位面积Ron更小三大优点,除天然性能优势之外,成本也会更低。

图 3

INN150LA070A具有支持MHZ 开关频率;高边同步整流自供电,不需辅助绕组,设计简单;效率更高,EMC更好处理;die size小、驱动损耗小、IC温度低等优点。


英诺赛科还重点展示了搭配 INN150LA070A 的三款 All-GaN 方案,分别为:65W、140W和240W 解决方案。

图 4

英诺赛科65W All-GaN方案:采用INN650DA260A+INN150LA070A氮化镓器件,具有高边同步整流-EMI噪声更小、单屏蔽层-变压器耦合更好,效率更高、高效率:93.4%@ 90Vac,94.7%@230V、高功率密度:31W/in³等优点。

图 5

英诺赛科140W All-GaN方案:采用INN650D150AINN650D260A和INN150LA070A各两颗,基于无桥PFC+ACF架构设计,支持5V3A-28V5A输出。DEMO尺寸60*60*22mm,功率密度30W/in³,真正做到体积和传统65W快充相当而功率翻倍。


图 6

英诺赛科240W All-GaN方案:采用INN650D150A*4+INN650DA260A*2+INN150LA070A*2共8颗氮化镓器件,Totem pole 无桥PFC+LLC架构设计,DEMO尺寸85*55*20.5mm,只有银行卡大小,功率密度41W/in³,最大输出功率240W,效率高达96.5%。

图 7

英诺赛科拥有LV (30-150V) & HV(650V) GaN 功率器件,可为客户提供端到端全电压解决方案,实现全链路高效、高频、高功率密度。英诺赛科650V功率器件主要有DFN5*6和DFN8*8两种封装方式,功率可涵盖30W-1600W,充分满足客户需求。

图 8

英诺赛科的产品从设计、制造过程中工艺的管控、测试各方面都有严格把关,可为客户提供高可靠性的产品。英诺赛科也是全球首家做进手机内部的电源厂家,跟国际一流客户进行深入合作,通过客户的反馈进一步完善英诺赛科的品控体系,因此产品质量值得信赖。

图 9

英诺赛科在氮化镓行业的出货量已经超过了4千万颗,合作量产客户超过100家,如此大的规模也体现了英诺赛科产品的可靠性。

图 10

英诺赛科也在积极扩展产品在绿色能源、数据中心能源、智能电动以及直流楼宇等领域的应用。数据中心英诺赛科可提供端到端的产品解决方案,而在新能源汽车的应用产品预计将于2022年推出,敬请期待。

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数据手册  -  英诺赛科  - Revision 1.0  - 2021-4-23 PDF 英文 下载

CAD模型库  -  英诺赛科  - 2023/12/1 RAR 英文 下载

【应用】英诺赛科耐压650V的GaN芯片INN650DA260A助力Realme闪充,有效节省空间

英诺赛科INN650DA260A,耐压650V,瞬态耐压750V,支持超高开关频率,无反向恢复电荷,具有极低的栅极电荷和输出电荷,符合JEDEC标准的工业应用要求。得益于工业的迭代,性能明显提升,适用于65-120W的反激架构,120-200W的LLC架构。

应用方案    发布时间 : 2023-04-29

【视频】650V国产GaN器件,为不同功率需求的PD快充设计提供对应的设计方案

型号- INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN650DA150A,INN650DA260A

商品及供应商介绍  -  英诺赛科 PDF 中文 下载

CAD模型库  -  英诺赛科  - 2023/10/25 RAR 英文 下载

【经验】GaN驱动电压负压为何被箝位?

随着第三代半导体的兴起,GaN已经在各行各业开始普及,但GaN的驱动电压范围偏窄,尤其是负压驱动。本文将结合英诺赛科的GaN增强模式功率晶体管INN650D150A,讨论下GaN驱动电压负压为何被箝位?

设计经验    发布时间 : 2021-09-29

【元件】英诺赛科2款FCQFN 150V Single GaN打入工业应用市场,具备高频高效、低导阻等优越特性

为了推进氮化镓在高频市场中的应用,英诺赛科基于150V电压平台推出了INN150FQ032A和INN150FQ070A两款中低压GaN,满足工业级可靠性要求,主要应用于太阳能系统优化器和微型逆变器,PD充电器与PSU同步整流、通信电源、电机驱动等。

新产品    发布时间 : 2023-07-27

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品牌:ROHM

品类:Controller IC

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品类:Controller IC

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品类:Controller IC

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品类:Controller IC

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品牌:必易微

品类:驱动控制器

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品牌:ROHM

品类:Controller IC

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品类:Controller IC

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品牌:华润微电子

品类:电源IC

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品牌:必易微

品类:高性能副边同步整流控制器

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品牌:亚成微电子

品类:同步整流控制器

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

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品牌:英诺赛科

品类:transistor

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

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品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

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压力传感器定制

可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压;数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O,温度补偿范围-20~85ºС;模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信,具备多种小型SIP和DIP封装可选择。

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液冷板/液冷机箱定制

定制水冷板尺寸30*30mm~1000*1000 mm,厚度1mm~50mm,散热能力最高50KW,承压可达3MPA;液冷机箱散热能力达500W~100KW。项目单次采购额需满足1万元以上,或年需求5万元以上。

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