【产品】60V/250mA的N沟道小信号MOSFET RK7002BM，采用SOT-23表面贴装式封装
ROHM（罗姆）推出的N通道小信号MOSFET RK7002BM，采用SOT-23表面贴装式封装，并且器件具有低导通电阻、低功耗等特点，适用于开关类应用。
RK7002BM的漏极-源极电压可达60V，漏极电流为±250mA，脉冲漏极电流达±1A，栅极-源极电压为±20V，在一定的条件下，导通延时典型值为3.5ns，上升时间典型值为5ns，关断延时典型值为18ns，下降时间典型值为28ns；结温为150℃，存储温度范围为-55℃~+150℃。
图1 RK7002BM 产品图及内部电路图
ROHM（罗姆）RK7002BM Nch 60V 250mA小信号MOSFET的包装信息：
卷带长度为180mm，宽度为8mm，基础数量3000 PCS，编带代码为T116，芯片丝印为RKU。
RK7002BM 特征：
1.快速开关
2.超低驱动电压（2.5V驱动器）
3.高达2kV（HBM）的ESD保护
4.无铅电镀; 符合RoHS要求
5.无卤素
6.符合AEC-Q101
RK7002BM 应用领域：
开关电路
低侧负载开关
继电器驱动
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本文由陈俊涛翻译自ROHM，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
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