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【产品】直流阻断电压高达1200V的碳化硅肖特基二极管,超快速开关,100%UIS测试
派恩杰推出的SiC SBD P3D12020K3碳化硅肖特基二极管,在TC=25℃条件下,重复峰值反向电压高达1200V,直流阻断电压1200V,产品具有零反向恢复电流,超快速开关,可高频操作等特点,能提高系统效率,并减少散热器需求,基本上没有开关损耗。
【产品】1200V碳化硅肖特基二极管P3D12015T2浪涌电流最高130A,总电容典型值最大831pF
派恩杰推出的P3D12015T2是一款1200V碳化硅肖特基二极管,已通过AEC-Q101认证,100%经过UIS测试。它具有超快速开关性能,反向恢复电流为零,可适应高频工作,典型应用包括消费类开关电源、PFC或DC/DC的升压二极管、交流/直流转换器等。
【产品】采用TO-247-2封装的碳化硅肖特基二极管P3D12040K2,符合AEC-Q101标准
派恩杰推出的碳化硅肖特基二极管P3D12040K2采用TO-247-2封装,在TJ=25℃条件下,反向重复峰值电压为1200V,直流阻断电压为1200V,正向电压为1.5V,产品具有超快速开关和零反向恢复电流等特点,能提高系统效率并减少散热器需求。
派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
【产品】1200V的碳化硅肖特基二极管P3D12010G2,工作结温高达175℃
P3D12010G2是派恩杰推出的一款1200V碳化硅肖特基二极管(SiC SBD),具有高频操作、零反向恢复电流等特性,有利于提高系统效率,减少散热需求,并且基本上没有开关损耗,并联使用时也不会出现热失控。反向重复峰值电压为1200V,正向非重复浪涌电流为106A。
【产品】派恩杰推出1200V碳化硅肖特基二极管P3D12010T2,助力系统效率提高减少散热需求
P3D12010T2是派恩杰推出的一款1200V碳化硅肖特基二极管(SIC SBD),具有高频操作、零反向恢复电流等特性,有利于提高系统效率,减少散热需求,并且基本上没有开关损耗,并联使用不会出现热失控。
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