【产品】-30V/-32A P沟道增强型MOSFET RM35P30DN，采用DFN 3x3封装
RM35P30DN是丽正国际推出的一款采用DFN 3x3封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于负载开关或PWM应用。
在TA=25°C时，RM35P30DN可以承受的漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±25V，漏极连续电流最大额定值为-32A，漏极脉冲电流最大额定值为-65A，最大功率耗散为29W，结温和储存温度范围为-55~150℃，结壳热阻典型值为4.32℃/W。
产品特性
•VDS =-30V,ID =-32A
RDS(ON) <32mΩ @ VGS=-4.5V
RDS(ON) <20mΩ @ VGS=-10V
•高功率和优秀的电流处理能力
•无铅产品
•表面贴装
•无卤素
应用领域
•PWM应用
•负载开关
•电源管理
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