【产品】单芯片上集成多个器件的ePower™功率级IC EPC2152,可节省33%的PCB面积

2020-05-17 EPC
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使用硅基氮化镓(GaN-on-Si)基板制作的集成电路投入生产已有五年多了,基于氮化镓的IC经历了各“阶段”的集成,从分立器件到单片式半桥器件、到集成驱动器的单片式功率FET、再到最近的包含功率FET、驱动器、电平转换电路、逻辑电路和保护电路的单片式功率级IC


第一阶段的集成——单片式半桥器件

半桥是功率转换系统中最常用的结构块,半桥可用于降压转换器、升压转换器、LLC转换器、总线转换器、电机驱动器及其他转换器拓扑。因此,EPC在2014年9月推出单片式半桥器件时,就相当于迈出了将功率系统集成到一个半导体基板上的第一步。这些器件中的第一款产品,如图1(a)所示,将高侧和低侧晶体管布置在一个基板上,图1(b)是其等效电路图。该集成器件的优点是能够减小尺寸和降低成本,而且两个晶体管紧密耦合,使得寄生共源电感也减小了。该集成器件还能提高开关速度,以获得更快的开关式功率转换系统。

图1(a)  EPC2100单片式半桥器件,尺寸为6 mm × 2 mm


图1(b)  等效电路图


这是个好的开始,但是,使用GaN晶体管或GaN半桥器件的用户,仍需要外加驱动电路。一些公司推出的使用传统硅工艺制造的驱动IC,可以很容易与增强型GaN晶体管连接,但使用这些驱动器所增加的尺寸、成本和栅极回路寄生电感,限制了GaN在功率转换系统中的潜能。


第二阶段的集成:半桥加驱动器

2018年初,为解决外加栅极驱动器的问题,便有了在GaN晶体管上增加驱动器的器件,如图2(a)所示,图2(b)是等效电路图。在GaN中,200V功率晶体管加上极短的栅极-漏极间距,就能制作出低压晶体管。这些GaN  FET加驱动器的集成电路可由简单的CMOS逻辑电路驱动,工作在多兆赫频率下,无需硅驱动IC。


2(a)  集成驱动器的EPC2112单片式GaN-on-Si FET,尺寸为1.1 mm × 2.9 mm



图2(b)  等效电路图


第三阶段的集成——ePower™功率级IC

2019年初,驱动功能、单片式半桥、电平转换器、同步升压电路、保护和输入逻辑电路被合并到一个硅基氮化镓基板上,如图3(a)和图3(b)所示。这个完整的ePower™功率级IC,可工作在多兆赫频率下,并由一个简单的接地参考的CMOS IC控制,只需添加少数的无源器件,就能形成一个完整的DC-DC稳压器。图4展示了该单片式功率级IC在一个48 VIN – 12 VOUT的降压转换器中、在1 MHz和2.5 MHz下的效率。

图3(a)  EPC2152单片式ePower功率级IC,尺寸为3.9 mm × 2.6 mm


图3(b)  等效电路图


图4   效率——输出电流图


图5展示了该功率级IC的基本横截面,其高侧和低侧功率FET都带有低压晶体管,最左边的电平转换晶体管必须具有和输出FET相同的额定电压,用于驱动器和逻辑功能的单个信号——电平器件可以具有较低的电压,因此栅极和漏极间距较小。图中没有展示电容和电阻。

图5   单片式功率级IC的横截面


ePower™功率级IC至少可代替3个分立芯片,栅极驱动器和两个FET,使设计和制造变得更简单。如图6所示,与使用分立器件相比,该器件能够节省至少33%的印刷电路板面积。该器件使设计师可以很容易发挥GaN技术的性能优势,在单芯片上集成多个器件,能使设计、布局、组装变得更容易,还能节省占板面积、提高效率。

图6   使用分立器件和ePower™功率级IC的48 V – 12 V降压转换器对比,功率级IC方案节省了33%的PCB面积

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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

选型表  -  EPC 立即选型

Enhancement-Mode Gallium Nitride Technology

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芯片级封装

型号- EPC2212,EPC2214,EPC2012C,EPC2016C,EPC2050,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC2102,EPC2101,EPC2024,EPC8009,EPC2104,EPC2001C,EPC2103,EPC2106,EPC2029,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC2100,EPC2023,EPC8004,EPC2022,EPC2036,EPC2035,EPC2112,EPC2010C,EPC2038,EPC2115,EPC2037,EPC2039,EPC2014C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2111,EPC2034,EPC2110,EPC2033,EPC8010,EPC2203,EPC2049,EPC2202,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC2040,EPC2045

应用及方案  -  EPC  - 2019/05/05 PDF 中文 下载

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品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥29.0520

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品类:场效应管

价格:¥45.8508

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品牌:EPC

品类:Integrated Gate Driver eGaN® IC

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品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥2.6758

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品牌:EPC

品类:Power Transistor

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品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥4.8739

现货: 11,741

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥7.0719

现货: 7,706

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode Power Transistor

价格:¥4.6827

现货: 6,661

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥6.0206

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品牌:EPC

品类:Laser Driver

价格:¥8.7920

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品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥3.5000

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥26.0000

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2G/3G/4G射频测试

支持GSM / GPRS 等多种制式产品的射频测试,覆盖所有上行和下行的各项射频指标,包括频差、相差、调制、功率、功控、包络、邻道泄漏比、频谱、杂散、灵敏度、同道干扰、邻道干扰、互调、阻塞等等。满足CE / FCC / IC / TELEC等主流认证的射频测试需求。

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EMC电磁兼容测试

提供电子电气产品的辐射骚扰测试、辐射抗干扰测试,以及RFID,SRD,2G,3G,4G等无线产品的辐射骚扰测试、辐射杂散测试、辐射功率测试以及辐射抗干扰测试。测试频率可覆盖9KHz-26.5GHz。

实验室地址: 深圳 提交需求>

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授权代理品牌:电子材料

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授权代理品牌:电工工具及材料

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