【应用】1200V SiC MOSFET和SiC SBD用于20KW BOOST，超宽负载范围效率超过98%
碳化硅器件属于宽禁带器件的一种，具有更高的阻断电压，更低的导通电阻和更高的导热性，因此可以在某些应用场合替代传统硅器件。本文介绍瞻芯电子旗下1200V/50mΩ SiC MOSFET和1200V/30A碳化硅二极管用于20KW BOOST。下图为碳化硅MOSFET和碳化硅二极管的封装和PIN脚定义。
利用上述两种碳化硅器件可以实现全碳化硅升压变换器，采用两路10KW交错并联输出20KW，进一步提升功率等级。每一路采用一只1200V/50mΩ碳化硅MOSFET和一只1200V/30A碳化硅二极管以实现10KW输出功率。碳化硅MOSFET具有低开关损耗，碳化硅二极管具有零反向恢复损耗的特点，使得采用全碳化硅方案的20KW升压变换器具有极高的效率，超宽负载范围效率超过98%(10%~100%负载范围)，峰值效率高达99.4%。图3为交错并联20KW升压变换器拓扑图，图4为交错并联20KW升压变换器效率曲线，图5为20KW交错式DC-DC升压电路实物图。
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