【产品】国产低功耗高频双极锁存型磁开关传感器TMR1202HT,静态供电电流低至1.5μA

2022-07-18 多维科技
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多维科技推出的TMR1202/TMR1208系列磁开关芯片是集成了隧道磁阻(TMR)传感器和CMOS 电路的双极锁存型磁开关芯片,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号,以实现位置的精确检测。与Hall/AMR 传感器不同,TMR传感器具有极高的电阻值,使此系列开关芯片工作在全时供电模式,保持低功耗的同时实现了真正的磁场信号连续检测,避免了传统的分时供电模式产生的采样误差。此系列芯片静态供电电流低至1.5μA,并且保持了5kHz 的磁信号响应频率。


产品型号:TMR1202HT

兼容型号:

类型:双极锁存

供电电压:1.8~5.5 V

功耗:1.5μA

工作模式:连续供电

敏感方向:X轴

B_op (Gs,25°C):17

B_rp (Gs,25°C):-17

输出接口:CMOS

封装形式:SOT23-3 TO92S

交付周期:In stock


产品特性

(1)隧道磁阻(TMR)技术;

(2)低功耗(静态电流1.5μA);

(3)高频率响应(至5kHz);

(4)双极锁存型磁开关;

(5)宽工作电压(1.8V~5.5V);

(6)CMOS 推挽输出;

(7)高灵敏度,低开关点;

(8)卓越的温度稳定性;

(9)优越的抗外磁场性能;

(10)符合RoHS & REACH。


典型应用

(1)水表、气表和热量表;

(2)接近开关;

(3)速度检测;

(4)线性及旋转位置检测;

(5)唤醒磁开关。


功能介绍

功能框图:此系列开关芯片由 TMR 传感器和信号处理电路 组成。TMR 传感器感应外界磁场并产生模拟电压信 号,经过电路处理之后,输出逻辑判断电平,如图 1 所示:

微信截图_20220615230357.png

工作原理:此开关芯片对外磁场的敏感方向平行于封装丝印 表面所处平面,箭头为 OP 磁场方向,敏感方向如图 2 所示:

微信截图_20220615230521.png

当敏感方向磁场强度超过工作点 BOP 时,芯片输 出低电平;当敏感方向磁场强度低于释放点 BRP 时, 芯片输出高电平;磁场工作点和释放点的差值就是传 感器的回差 BH,此过程如图 3 所示:

微信截图_20220615230545.png

引脚定义

微信截图_20220615230530.png

电磁参数

极限参数

微信截图_20220615230720.png

电性能参数

磁特性参数

特性曲线

电压特征曲线

微信截图_20220615230901.png

温度特征曲线

微信截图_20220615230919.png

应用指南

推荐在芯片供电 VCC 和地 GND 之间增加一个 0.1µF 的滤波电容,电容位置尽可能靠近芯片引脚, 如图 15 所示:

微信截图_20220615231040.png

此开关芯片不适合直接驱动功率负载。常规使用 方式是将芯片的输出信号作为三极管或者 MOS 管的 输入信号,提高驱动能力;或者将芯片的输出信号作 为 MCU 的输入信号,利用 MCU 来实现对功率负载 的驱动,如图 16 所示:

微信截图_20220615231047.png

常见失效工况描述:供电极性接反或供电电压超出“ 极限参数 ”。供电电源不稳定时,没有匹配供电端滤波电容,导 致芯片反复重启。使用芯片 VOUT 引脚直接控制功率器件(如继电器等) 使芯片输出电流 ISINK、ISOURCE 超出“ 极限参数 ”。外界磁场超出“ 极限参数 ”。长期在潮湿环境中工作,导致水汽浸入,引起功耗 增加。使用过高温度焊接芯片。暴力折弯引脚。


封装

SOT23-3 封装

微信截图_20220615231247.png

TO92S 封装

微信截图_20220615231259.png

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产品型号
品类
兼容型号
类型
供电电压(V)
功耗(nA、μA、mA)
工作模式
敏感方向
B_op(Gs,25°C)(Gs)
B_rp(Gs,25°C)(Gs)
输出接口
封装形式
TMR1102
TMR磁开关传感器芯片
单极
1.8~5.5 V
1.5μA
连续供电
X轴
17
13
CMOS
SOT23-3

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