ROHM的SIC碳化硅功率模块/MOSFET/SBD/肖特基势垒二极管/栅极驱动器，帮助实现电力的有效利用

时间： 2019-07-04 来源：ROHM

技术问答

碳化硅功率元器件具有高耐压、低损耗、高速开关性能等传统的硅材料元器件所不具备的优异特性。如今，对它的期待正以不可估量的势态高涨。全球瞩目的最尖端功率元器件—碳化硅 (SiC)，罗姆已正式开始量产。通过全球领先的研发投入，罗姆将满足对功率元器件的需求。

近年来，全球对电力的需求逐年增长。伴随着化学燃料的枯竭和CO₂排放量增多引发的全球变暖等现象，人们对能源问题和地球环境问题的担忧日益加深，电力的有效利用已成为当务之急。作为节能和减少CO₂排放量的产品，罗姆向市场提供低功耗、高效率变换的LSI (大规模集成电路)，高集成电路、无源元件、光学半导体和使用上述元器件的模块等“环保元器件”。其中，碳化硅功率元器件作为新一代“环保元器件”，备受业界关注。

一、“全碳化硅”功率模块：开关损耗最大减少85％

采用罗姆生产的碳化硅元器件，推出低浪涌噪音的功率模块。最大限度发挥碳化硅的高速性能。大幅降低开关损耗。比Si-IGBT大幅降低损耗。

· 特点（BSM120D12P2C005）：

1、开关损耗最大降低85％（与传统产品Si-IGBT模块比较）

2、体积减少约50％

3、高速开关

4、额定电压1200Ｖ／额定电流120A

· 与Si-IGBT可以进行替换

碳化硅可以大幅降低开关损耗，根据使用条件可以与Si-IGBT进行替换。

· 内部电路图 (半桥电路)

· 产品线

二、SiC-MOSFET：实现高速、低导通电阻

同时实现硅元器件无法实现的高速开关和低导通电阻，高温下也具备优良的电气特性。大幅降低开关损耗，并实现周边元器件的小型化。

· 内部电路图

· 产品线

三、SiC-SBD(碳化硅-肖特基势垒二极管)：大幅降低开关损耗

开发出采用碳化硅材料的SBD (肖特基势垒二极管) ，适用于PFC电路和逆变电路。具有Si-FRD(硅-快速恢复二极管) 无法达到的极短反向恢复时间 (trr) ，实现高速开关。反向恢复电荷量 (Qrr) 小，可降低开关损耗，有助于设备的小型化。

· 产品线

四、内置绝缘元件的栅极驱动器：采用碳化硅实现高速工作

· 输入输出延迟时间Max.150ns的高速工作

· 使用无铁芯变压器，内置2500Vrms绝缘元件

· 采用独创的消音技术，实现高CMR

· 支持高VGS、负电源 ※BM6101FV-C，BM6104FV-C

· 小型封装（6.5×8.1×2.01mm）

· 推荐工作范围（BM6101FV-C）

· IPM工作波形（BM6101FV-C）

· 产品线

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全部评论（1）

cherryyang Lv7. 资深专家 2021-08-19

学习

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选型指南 - ROHM - Edition 2022 - 2022/8/3 PDF 英文下载

ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）肖特基二极管选型指南（中文）

描述- SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。

型号- SCS208AG,SCS206AJ,SCS208AJHR,SCS220KE2,SCS206AG,SCS306AM,SCS304AM,SCS308AJ,SCS205KG,SCS220AE2,SCS308AM,SCS315AG,SCS220KG,SCS315AJ,SCS230KE2,SCS230AE2,SCS220KE2HR,SCS212AJ,SCS210AG,SCS212AG,SCS315AM,SCS210AJ,SCS210KE2HR,SCS320AM,SCS215KG,SCS210KE2,SCS220AE2HR,SCS320AJ,SCS215AJHR,SCS320AG,SCS240KE2HR,SCS240AE2HR,SCS220AJHR,SCS220AJ,SCS212AJHR,SCS220AG,SCS310AM,SCS312AJ,SCS310AJ,SCS312AM,SCS312AG,SCS310AG,SCS215AJ,SCS240KE2,SCS215AG,SCS230KE2HR,SCS240AE2,SCS230AE2HR,SCS304AG,SCS210AJHR,SCS308AG,SCS306AJ,SCS306AG,SCS210KG,SCS304AJ,SCS206AJHR,SCS208AJ

选型指南 - ROHM - 2024/2/27 PDF 中文下载

内置SiC-SBD的SiC-MOSFET产品规格表中记载的二极管规格是体二极管的还是SiC-SBD的？

连接于内部，不能从外部分离出特性。但是SiC-SBD的VF小，通常使用范围内只在SiC-SBD流过正向电流，因此If-Vf特性、反向恢复特性基本上是SiC-SBD的特性。

技术问答发布时间 : 2024-08-30

【经验】基于栅极驱动器BM6104FV-C与IXDD609的SiC MOSFET驱动电路设计

SiC MOSFET对驱动要求高，主要体现在驱动电压和驱动速度。SiC MOSFET标称驱动电压范围一般为-6~22V，其开启电压一般很低，并随温度上升而降低，但只有达到18-20V时，才能完全开通。硅器件的驱动电压最高一般为15V，所以驱动不能直接用于驱动SiC MOSFET。笔者针对应用要求，在实际设计中选用ROHM BM6104FV-C栅极驱动器并在后级添加力特的IXDD609进行功率放大。

设计经验发布时间 : 2019-11-05

ROHM（罗姆）电机驱动器选型指南（英文）

目录- Motor Drivers Introduction Motor Drivers Selection Brushed DC/Stepper Motor Drivers Brushless DC Motor Drivers IPM/Gate Driver/ Power Device Shunt Resistors Motor Drivers Motor Drivers Selection by Application Package List Motor Drivers Selection Table

选型指南 - ROHM - Ver.13.1 - 2021/12/23 PDF 英文下载

SiC-MOSFET的体二极管的恢复时间为什么比Si-MOSFET短？

SiC-MOSFET的体二极管为pn结合形式，但少数载流子的寿命短，少数载流子的积蓄效应几乎看不到，因此显示与SBD同等的超高速恢复性能（几十ns)，恢复时间与SBD一样不依赖于正向注入电流，为固定值。（ｄI/dt固定的条件下）。

技术问答发布时间 : 2024-08-30

ROHM 栅极驱动器选型表

采用罗姆独创的微细加工技术，开发出片上变压器工艺。进而成功开发出小型、内置绝缘元件的栅极驱动器。

产品型号

品类

Grade

Isolation Voltage [Vrms]

I/O Delay Time (Max.)[ns]

Min. Input Pulse Width [ns]

Temperature (Min.)[°C]

Temperature (Max.)[°C]

AEC-Q100 (Automotive Grade)

选型表 - ROHM 立即选型

【经验】SiC-MOSFET与IGBT的区别

本章将针对ROHM推出的SiC-MOSFET与IGBT的区别进行介绍。SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，导通电阻特性的变化呈直线型，因此在低电流范围优于IGBT。SiC-MOSFET的开关损耗大大低于IGBT。

设计经验发布时间 : 2018-12-24

SiC-MOSFET串联时，应注意哪些？

・上侧元器件接地绝缘只能保证绝缘耐压。・需要串联数栅极电压用浮动电源。・串联时，导通电阻的温度系数变为正，为防止热失控，请考虑产品偏差和充分的电流降额。・串联后作为高耐压单开关使用时，推荐并列插入大电阻进行适当分压。・若不符合开关时序，则将破坏耐压。

技术问答发布时间 : 2024-08-30

【产品】高侧N沟道MOSFET的栅极驱动器IC BD2270HFV、BD2270HFV-LB，工作电流典型值为50μA

罗姆(ROHM)株式会社推出了两款高侧N沟道MOSFET的栅极驱动器IC——BD2270HFV和BD2270HFV-LB。它们具有用于栅极驱动的内置电荷泵电路和用于输出电荷的内置放电电路，可在不使用任何外部元件的情况下配置用于N沟道MOSFET驱动的高侧负载开关，减少外部元件数量，且采用节省空间的HVSOF5封装。工作电流典型值为50μA，待机电流典型值为5μA，可以满足各类应用的低功耗需求。

新产品发布时间 : 2018-09-24