ROHM的SIC碳化硅功率模块/MOSFET/SBD/肖特基势垒二极管/栅极驱动器，帮助实现电力的有效利用
碳化硅功率元器件具有高耐压、低损耗、高速开关性能等传统的硅材料元器件所不具备的优异特性。如今，对它的期待正以不可估量的势态高涨。全球瞩目的最尖端功率元器件—碳化硅 (SiC)，罗姆已正式开始量产。通过全球领先的研发投入，罗姆将满足对功率元器件的需求。
近年来，全球对电力的需求逐年增长。伴随着化学燃料的枯竭和CO2排放量增多引发的全球变暖等现象，人们对能源问题和地球环境问题的担忧日益加深，电力的有效利用已成为当务之急。作为节能和减少CO2排放量的产品，罗姆向市场提供低功耗、高效率变换的LSI (大规模集成电路)，高集成电路、无源元件、光学半导体和使用上述元器件的模块等“环保元器件”。其中，碳化硅功率元器件作为新一代“环保元器件”，备受业界关注。
一、“全碳化硅”功率模块：开关损耗最大减少85％
采用罗姆生产的碳化硅元器件，推出低浪涌噪音的功率模块。最大限度发挥碳化硅的高速性能。大幅降低开关损耗。比Si-IGBT大幅降低损耗。
· 特点（BSM120D12P2C005）：
1、开关损耗最大降低85％（与传统产品Si-IGBT模块比较）
2、体积减少约50％
3、高速开关
4、额定电压1200Ｖ／额定电流120A
· 与Si-IGBT可以进行替换
碳化硅可以大幅降低开关损耗，根据使用条件可以与Si-IGBT进行替换。
· 内部电路图 (半桥电路)
· 产品线
二、SiC-MOSFET：实现高速、低导通电阻
同时实现硅元器件无法实现的高速开关和低导通电阻，高温下也具备优良的电气特性。大幅降低开关损耗，并实现周边元器件的小型化。
· 内部电路图
· 产品线
三、SiC-SBD(碳化硅-肖特基势垒二极管)：大幅降低开关损耗
开发出采用碳化硅材料的SBD (肖特基势垒二极管) ，适用于PFC电路和逆变电路。具有Si-FRD(硅-快速恢复二极管) 无法达到的极短反向恢复时间 (trr) ，实现高速开关。反向恢复电荷量 (Qrr) 小，可降低开关损耗，有助于设备的小型化。
· 产品线
四、内置绝缘元件的栅极驱动器：采用碳化硅实现高速工作
· 输入输出延迟时间Max.150ns的高速工作
· 使用无铁芯变压器，内置2500Vrms绝缘元件
· 采用独创的消音技术，实现高CMR
· 支持高VGS、负电源 ※BM6101FV-C，BM6104FV-C
· 小型封装 （6.5×8.1×2.01mm）
· 推荐工作范围（BM6101FV-C）
· IPM工作波形（BM6101FV-C）
· 产品线
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型号- SCS208AG,SCS206AJ,SCS208AJHR,SCS220KE2,SCS206AG,SCS306AM,SCS304AM,SCS308AJ,SCS205KG,SCS220AE2,SCS308AM,SCS315AG,SCS220KG,SCS315AJ,SCS230KE2,SCS230AE2,SCS220KE2HR,SCS212AJ,SCS210AG,SCS212AG,SCS315AM,SCS210AJ,SCS210KE2HR,SCS320AM,SCS215KG,SCS210KE2,SCS220AE2HR,SCS320AJ,SCS215AJHR,SCS320AG,SCS240KE2HR,SCS240AE2HR,SCS220AJHR,SCS220AJ,SCS212AJHR,SCS220AG,SCS310AM,SCS312AJ,SCS310AJ,SCS312AM,SCS312AG,SCS310AG,SCS215AJ,SCS240KE2,SCS215AG,SCS230KE2HR,SCS240AE2,SCS230AE2HR,SCS304AG,SCS210AJHR,SCS308AG,SCS306AJ,SCS306AG,SCS210KG,SCS304AJ,SCS206AJHR,SCS208AJ
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