【产品】80V SGT工艺N-Channel MOSFET ,适用于电机驱动和电池管理,多种封装类型可选
扬杰科技针对储能、BMS电池管理、电机驱动等领域,推出全新的N-80V SGT 场效应晶体管产品,采用扬杰科技SGT特殊工艺制程的80V SGT工艺N-Channel MOSFET,根据电机驱动和电池管理应用要求,优化导通内阻(Rdson)和栅极电荷(Qg)性能,降低导通损耗和开关损耗,提升系统效率,同时改善产品的EAS能力,提高了系统的可靠性。扬杰科技针对电机驱动和电池管理应用,推出80V系列产品,包含PDFN5060,TO-263,TO-220等封装形式。
产品特点
1、采用扬杰科技SGT特殊工艺制程设计,具有更高的工艺稳定性和可靠性
2、系列产品具有更快的开关速度,更小的栅电荷和更高的应用效率
3、PDFN5060、TO-220、TO-263等多种封装形式可选
电性参数
应用领域
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃)
|
Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
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Grade
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
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