【产品】工业界首款采用8引脚封装的负压偏置驱动器IVCR1402Q,35V/4A,能高效驱动SiC MOSFET
瞻芯电子推出的负压偏置驱动器IVCR1402Q是一款通过AEC-Q100认证的4A单通道高速智能驱动器,能够高效,安全地驱动SiC MOSFET和IGBT。带有负压的驱动可以在高dv/dt下,提高抗米勒效应的噪声抑制能力。退饱和检测可提供有效的短路保护,并降低电源设备和系统元件损坏的风险。内置固定的200ns消隐时间,以防止因开关沿电流尖峰和噪声而过早被触发过流保护。固定的正栅极驱动电压UVLO保护和固定的负偏置UVLO保护可确保可靠的栅极工作电压。当发生UVLO或过电流时,故障信号/FAULT变低电平并向系统发出警报。
IVCR1402Q带有热焊盘,并具有低传播延迟和失配时间,可使SiC MOSFET能够以数百kHz的频率开关。集成的负压生成和5V参考输出可最大程度地减少外部组件数量。它是工业界首款采用8引脚封装上,集成负压驱动、退饱和及UVLO功能的SiC MOSFET和IGBT驱动器。
特性
4A峰值拉、灌电流
高达35V VCC宽范围供电
内部集成3.5V负压偏置
低侧栅极驱动,也适用于自举高侧栅极驱动
具有UVLO的正栅极驱动电压和负栅极驱动电压
退饱和短路保护,带内部消隐时间
UVLO或触发DESAT输出/FAULT故障报警
5V/10mA供电输出,供如数字隔离器等
TTL和CMOS兼容输入
SOIC-8,带热焊盘,用于高频和高功率场合
内置去干扰滤波器,低传播延迟,典型45ns延迟
AEC-Q100认证通过
应用场合
EV车载充电器
EV/HEV逆变及充电站
AC/DC及DC/DC变换器
电机驱动
绝对最大额定值在室温范围内(除非另有说明)(1)
防静电等级
推荐工作条件
热阻信息
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型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
产品手册SiC功率半导体和IC解决方案
描述- 瞻芯电子(InventChip Technology Co., Ltd.)是一家专注于碳化硅(SiC)功率半导体和集成电路解决方案的领先供应商。公司成立于2017年,总部位于上海。IVCT致力于开发SiC功率器件、功率模块、栅极驱动器和控制器IC,提供一站式芯片解决方案。公司拥有6英寸SiC MOSFET技术,并拥有汽车级SiC晶圆厂,致力于按时、高质量地交付SiC产品,并追求持续的技术创新。产品涵盖SiC功率器件、SiC功率模块、栅极驱动器和控制器IC等。
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV2Q0606003Z,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q17020T4Z,IV2Q06040L1,IV3B20023BA2,IV2Q20045BD,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVSM12080HA2Z,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IVO1411DDWQR,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D20020T2,IV1D12030U3,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVCO1A02DR,IVHD122M1TA2Z,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IV1D0601002,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
SL27501 Series 35V 4A SiC 和 IGBT 8-引脚集成负压偏置驱动器
描述- SL27501系列是Silicon Labs推出的35V 4A SiC和IGBT集成负压偏置驱动器,旨在为SiC MOSFET和IGBT提供高效的栅极驱动控制。该产品具有内置的负压生成、退饱和/短路保护和UVLO设置,支持TTL和CMOS兼容输入,适用于多种工业应用。
型号- SL27501S,SL27501SE,SL27501,SL27501 SERIES
【IC】瞻芯电子新开发紧凑、智能的比邻驱动™(Nextdrive®)SiC专用驱动,支持多领域高效应用(上)
基于碳化硅(SiC)MOSFET的应用特点,瞻芯电子创新开发了比邻驱动™(Nextdrive®)系列碳化硅 (SiC)专用栅极驱动芯片,以确保碳化硅MOSFET安全、可靠和高效运行,也能有效降低应用系统的总体物料成本。
【应用】工作电压高达35V的4A单通道隔离型SIC驱动IVCR1401,满足电机控制器电压需求
工业领域的电压电流会相对较高,耐压、过流能力优秀的SIC MOS、IGBT恰好满足需求但该类物料需要搭配对应的驱动芯片,瞻芯电子的IVCR1401DPR隔离型SIC驱动用于一电机控制器项目中,芯片传播延时低仅45ns,宽工作电压最高达35V。
IVCR1401 35V 4A SiC 和IGBT 8-引脚集成负压偏置驱动器
描述- 本文档介绍了瞻芯电子的IVCR1401 35V 4A SiC和IGBT 8引脚集成负压偏置驱动器。该驱动器专为高效、安全地驱动SiC MOSFET和IGBT设计,具有内置的负压生成、退饱和检测、可调节UVLO保护和短路保护等功能。它适用于多种应用领域,包括EV车载充电器、UPS AC/DC及DC/DC变换器等。
型号- IVCR1401DP,IVCR1401DR,IVCR1401DPR,IVCR1401D,IVCR1401
集成负偏置的IVCR1402Q 35V 4A SiC和IGBT 8引脚驱动器
描述- 该资料介绍了InventChip公司的IVCR1402Q是一款AEC-Q100认证的单通道高速智能驱动器,适用于高效安全地驱动碳化硅MOSFET和IGBT。它具有内置负偏置、欠压锁定(UVLO)、过流保护等功能,适用于电动汽车充电器、逆变器、交流/直流转换器和电机驱动等领域。
型号- IVCR1402Q,IVCR1402DPQR
集成负偏压的IVCR1401 35V 4A SiC和IGBT 8针驱动器
描述- 该资料介绍了IVCR1401是一款35V 4A SiC和IGBT 8引脚驱动器,具有集成负偏置功能。它适用于低边和高边电源启动,提供可编程的欠压锁定保护和固定欠压锁定保护,并具备短路检测功能。该驱动器专为高效和安全地驱动SiC MOSFET和IGBT而设计,具有良好的噪声免疫能力和短路过流保护。
型号- IVCR1401DP,IVCR1401DR,IVCR1401DPR,IVCR1401D,IVCR1401
【应用】瞻芯电子IGBT驱动IVCR1402DPQR用于新能源PTC加热器控制器,峰值拉、灌电流4A
本文中将为大家介绍瞻芯电子推出的IGBT驱动IVCR1402DPQR在新能源PTC加热器控制器上的应用。该产品具备4A峰值拉、灌电流,高达35V的VCC宽范围供电;已通过AEC-Q100认证;上升沿与下降沿时间为13ns。
IVCR1401 EVM 用户指南
描述- 本指南详细介绍了IVCR1401评估模块(EVM)的使用,包括其原理图、物料清单、布局、连接器、测试点和跳线。EVM是一个4A单通道高速智能驱动器评估模块,适用于多种应用,如EV车载充电器、逆变器等。指南提供了测试设置和性能评估的必要信息,包括传播延迟、上升和下降时间、DESAT保护和负电压建立及欠压保护等性能数据。
型号- 112404,5000,5001,5002,3362P-201,5-146261-1,CL10B102KB8NNNC,RTT052000FTP,0603B104K500NT,KEYSTONE5002,RTT03101JTP,0805W8F100JT5E,0805W8F510JT5E,0353-0-67-80-03-27-10-0,M55342E12B6E00RWS,5-146274-4,0603CG470J500NT,TSW-103-07-G-S,GMK107BJ105KA-T,MBR0540,PK007-015,C2M0025120D,KF350-2P,0805W8J0512T5E,CR0603-FX-1301ELF,STTH112A,CR0603-FX-2002ELF,74650073R,IVCR1401
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可加工PCB层数:4~32层,加工板材:多层板/HDI板/FR4板/高频板/高速板/高温板/铜基板/铝基板/陶瓷基板/软硬结合板,成品尺寸:3~1100mm,板厚:0.15-80mm,最小孔径:0.1mm,铜厚:最高14oz。
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可定制变压器支持60W-600W范围,额定电流最高10A,漏感稳定度最小3%;支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
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