【产品】1200V/20A双碳化硅MOSFET密封模块CHT-PLUTO-B1220 ,最高结温210℃
CHT-PLUTO-B1220是CISSOID一款集成高温1200V/20A双碳化硅MOSFET的单独密封模块。该产品适用于在高温环境中实现功率半桥的应用,如DC-DC转换器或电机驱动器,两个独立的开关可并联使用,提供总共40A电流。该产品保证在-55℃至+210℃(Tj)的全温度范围内正常运行,每个MOSFET支持超过1200V的击穿电压,并能够切换高达20A的电流。该产品在VGS=20V时,导通电阻阻值在25℃时为90mΩ,在210℃时为200mΩ。每个MOSFET都有一个本征体二极管。
产品优势:
高功率密度转换器(支持高频开关和减少冷却需求)
寿命长,可靠性高
恶劣环境和高温功率转换器
采用HADES®栅极驱动解决方案的无缝驱动
产品应用:
直流电机驱动和执行器控制
DC-DC转换器
特性(每个开关)
温度规格:-55°C ~ +210°C (Tj)
VDS最大值:1200V
最大连续电流:
20A @ Tc≤160°C
17A @ Tc=175°C
最大脉冲电流:25A
典型导通电阻:
o RDSon= 40 mΩ @ Tj=25°C
o RDSon= 120 mΩ @ Tj=210°C
高速开关
电压控制:VGS=-5V/20V
低栅极电荷:QGS: 22nC
带隔离外壳的密封封装
原理框图:
注:图示为本征体二极管
封装配置
绝对最大额定参数:
栅源电压VGS:-5V~22V
漏源电压VDS:1200V
最大直流漏极电流IDS:20A
最高结温Tjmax:210℃
Tc=175°C 时的功率损耗:45W
ESD等级
人体模式 >1kV
工作条件( 每个开关)
栅源电压VGS:-5V~20V
漏源电压VDS:1200V
最大直流漏极电流IDS (Tc=175°C):17A
最大直流漏极电流IDS (Tc≤160°C):20A
最大脉冲漏极电流:25A
结温: -55℃~+210℃
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