【产品】1200V/20A双碳化硅MOSFET密封模块CHT-PLUTO-B1220 ,最高结温210℃

2022-01-13 CISSOID
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CHT-PLUTO-B1220CISSOID一款集成高温1200V/20A双碳化硅MOSFET的单独密封模块。该产品适用于在高温环境中实现功率半桥的应用,如DC-DC转换器或电机驱动器,两个独立的开关可并联使用,提供总共40A电流。该产品保证在-55℃至+210℃(Tj)的全温度范围内正常运行,每个MOSFET支持超过1200V的击穿电压,并能够切换高达20A的电流。该产品在VGS=20V时,导通电阻阻值在25℃时为90mΩ,在210℃时为200mΩ。每个MOSFET都有一个本征体二极管。


产品优势:

高功率密度转换器(支持高频开关和减少冷却需求)

寿命长,可靠性高

恶劣环境和高温功率转换器

采用HADES®栅极驱动解决方案的无缝驱动


产品应用:

直流电机驱动和执行器控制

DC-DC转换器


特性(每个开关)

温度规格:-55°C ~ +210°C (Tj)

VDS最大值:1200V

最大连续电流:

20A @ Tc≤160°C

17A @ Tc=175°C

最大脉冲电流:25A

典型导通电阻:

o RDSon= 40 mΩ @ Tj=25°C
o RDSon= 120 mΩ @ Tj=210°C

高速开关

电压控制:VGS=-5V/20V

低栅极电荷:QGS: 22nC

带隔离外壳的密封封装


原理框图:

注:图示为本征体二极管


封装配置

绝对最大额定参数:

栅源电压VGS:-5V~22V

漏源电压VDS:1200V

最大直流漏极电流IDS:20A

最高结温Tjmax:210℃

Tc=175°C 时的功率损耗:45W


ESD等级

人体模式 >1kV


工作条件( 每个开关)

栅源电压VGS:-5V~20V

漏源电压VDS:1200V

最大直流漏极电流IDS (Tc=175°C):17A

最大直流漏极电流IDS (Tc≤160°C):20A

最大脉冲漏极电流:25A

结温: -55℃~+210℃

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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型号- CHT-PLA8294A-HM8A-T,CHT-PLA3777A-HM8A-T,CHT-PLA8294A,CHT-PLAXXXXX,CHT-PLA2316A-HM8A-T,CHT-PLA2228A-HM8A-T,CHT-PLUTO-B1220,CHT-PLUTO-C1230,CHT-PLUTO-B1230,CHT-PLUTO-C1220

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型号- CHT-PLA8294A-HM8A-T,CHT-PLA3777A-HM8A-T,CHT-PLAXXXXX,CHT-PLA2316A-HM8A-T,CHT-PLA3777A,CHT-PLA2228A-HM8A-T,CHT-PLUTO-B1220,CHT-PLUTO-C1230,CHT-PLUTO-C1220,CHT-PLUTO-B1230

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