【选型】自举电路中选择超快恢复SMD整流二极管US1M，具有恢复速度快、反向耐压高等特点
IGBT、SIC MOS的半桥驱动电路中高边驱动中运用自举电路可减少电源设计、简化电路、降低成本等优势；其中自举电路由一个自举二极管、一个自举电容组成（如下图），该电路工作原理是通过低边驱动打开下管Q2，此时VDD2经过二极管D1给电容CB充电，当上管Q1需要打开时（此时Q2需要关闭），该电容的电荷就经过高边驱动，送入上管Q1的门极，实现上管的驱动。
由上可知，此处二极管D1的作用是起到防止自举电容CB被放电，同时给电容充电。
这里二极管选型需要考虑的依据包括：根据电路工作频率选择二极管的恢复速度、充电电流；二极管反向耐压要高于高压VCC电源电压+VDD2电压，并且留有一定余量。
对于IGBT工作在DC 300V到600V的母线电压上，并结合上述分析，本文推荐德欧泰克（DIOTEC）的极快速恢复整流二极管US1M，该二极管有如下特点适合该处应用：
1、反向恢复时间<75ns，回复速度很快；
2、正向压降为小于1.7V，@正向平均整流电流1A；
3、1000V反向耐压，漏电流小于100uA@100℃，耐压范围宽，器件可靠性高；
4、工作结温-50℃~150℃，工作温度宽，可适应绝大多数工作环境。
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM[V]
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Maximum Average Forward Rectified Current IFAV[A]
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Junction Temperature Tjmax [℃]
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Peak Forward Surge Current IFSM[A]
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Forward Voltage VF[V]
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Forward Voltage IF[A]
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Leakage Current IR[A]
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Leakage Current VR[V]
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ABS10
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Single Phase Bridge Rectifiers
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SMD
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SO-DIL ABS 4mm
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1000
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0.8
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150
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27
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1.1
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0.8
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5
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1000
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选型表 - DIOTEC 立即选型
UM1..UM7超快恢复SMD整流二极管
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型号- USL1G,USL1J,USL1B/-AQ,USL1M/-Q,USL1D/-Q,USL1A,USL1K,USL1M
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描述- 该资料介绍了Diotec半导体公司的超快速高效表面贴装二极管（ES1A ... ES1J）。这些二极管适用于高频整流、高效率开关级，并符合商业/工业标准。它们具有极低的反向恢复时间、低正向电压降，且符合RoHS、REACH和冲突矿产规定。
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型号- US3B-AQ,US3K,US3J,US3G,US3D,US3M-Q,US3B,US3A,US3M
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描述- 该资料介绍了Diotec公司生产的ES3A至ES3J型号的超快速高效SMD整流二极管。这些二极管具有极低的反向恢复时间、低正向压降，适用于高频整流应用。产品符合RoHS和REACH标准，并提供商业/工业级和特殊等级（AEC-Q101合规或认证）版本。
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型号- ERL1D,ERL1J-AQ,ERL1B,ERL1G,ERL1J,ERL1A
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型号- EGL34D,EGL34G,EGL34A,EGL34B
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